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tMS-FET

  • 10pin jtag接口定義

    10pin jtag接口定義 表1 Rainbow Blaster 的10PIN 母頭接口定義引AS 模式 PS 模式 JTAG 模式腳 信號(hào)名 描述 信號(hào)名 描述 信號(hào)名 描述1 DCLK 時(shí)鐘信號(hào) DCLK 時(shí)鐘信號(hào) TCK 時(shí)鐘信號(hào)2 GND 信號(hào)地 GND 信號(hào)地 GND 信號(hào)地3 CONF_DONE 配置完畢 CONF_DONE 配置完畢 TDO 數(shù)據(jù)來自于器件4 VCC(TRGT) 目標(biāo)電源 VCC(TRGT) 目標(biāo)電源 VCC(TRGT) 目標(biāo)電源5 nCONFIG 配置控制 nCONFIG 配置控制 TMS JTAG 狀態(tài)機(jī)控制6 nCE Cyclone 芯片使能/ /7 DATAOUT AS 數(shù)據(jù)輸出 nSTATUS 配置狀態(tài) /8 nCS 串行配置器件芯片使能/ /9 ASDI AS 數(shù)據(jù)輸入 DATA0 數(shù)據(jù)到器件 TDI 數(shù)據(jù)到器件10 GND 信號(hào)地 GND 信號(hào)地 GND 信號(hào)地

    標(biāo)簽: jtag pin 10 接口定義

    上傳時(shí)間: 2014-04-02

    上傳用戶:lina2343

  • 使用jtag接口通過網(wǎng)口燒寫程序

    什么是JTAG 到底什么是JTAG呢? JTAG(Joint Test Action Group)聯(lián)合測試行動(dòng)小組)是一種國際標(biāo)準(zhǔn)測試協(xié)議(IEEE 1149.1兼容),主要用于芯片內(nèi)部測試?,F(xiàn)在多數(shù)的高級(jí)器件都支持JTAG協(xié)議,如DSP、FPGA器件等。標(biāo)準(zhǔn)的JTAG接口是4線:TMS、 TCK、TDI、TDO,分別為模式選擇、時(shí)鐘、數(shù)據(jù)輸入和數(shù)據(jù)輸出線。 JTAG最初是用來對(duì)芯片進(jìn)行測試的,基本原理是在器件內(nèi)部定義一個(gè)TAP(Test Access Port�測試訪問口)通過專用的JTAG測試工具對(duì)進(jìn)行內(nèi)部節(jié)點(diǎn)進(jìn)行測試。JTAG測試允許多個(gè)器件通過JTAG接口串聯(lián)在一起,形成一個(gè)JTAG鏈,能實(shí)現(xiàn)對(duì)各個(gè)器件分別測試?,F(xiàn)在,JTAG接口還常用于實(shí)現(xiàn)ISP(In-System rogrammable�在線編程),對(duì)FLASH等器件進(jìn)行編程。 JTAG編程方式是在線編程,傳統(tǒng)生產(chǎn)流程中先對(duì)芯片進(jìn)行預(yù)編程現(xiàn)再裝到板上因此而改變,簡化的流程為先固定器件到電路板上,再用JTAG編程,從而大大加快工程進(jìn)度。JTAG接口可對(duì)PSD芯片內(nèi)部的所有部件進(jìn)行編程 JTAG的一些說明 通常所說的JTAG大致分兩類,一類用于測試芯片的電氣特性,檢測芯片是否有問題;一類用于Debug;一般支持JTAG的CPU內(nèi)都包含了這兩個(gè)模塊。 一個(gè)含有JTAG Debug接口模塊的CPU,只要時(shí)鐘正常,就可以通過JTAG接口訪問CPU的內(nèi)部寄存器和掛在CPU總線上的設(shè)備,如FLASH,RAM,SOC(比如4510B,44Box,AT91M系列)內(nèi)置模塊的寄存器,象UART,Timers,GPIO等等的寄存器。 上面說的只是JTAG接口所具備的能力,要使用這些功能,還需要軟件的配合,具體實(shí)現(xiàn)的功能則由具體的軟件決定。 例如下載程序到RAM功能。了解SOC的都知道,要使用外接的RAM,需要參照SOC DataSheet的寄存器說明,設(shè)置RAM的基地址,總線寬度,訪問速度等等。有的SOC則還需要Remap,才能正常工作。運(yùn)行Firmware時(shí),這些設(shè)置由Firmware的初始化程序完成。但如果使用JTAG接口,相關(guān)的寄存器可能還處在上電值,甚至?xí)r錯(cuò)誤值,RAM不能正常工作,所以下載必然要失敗。要正常使用,先要想辦法設(shè)置RAM。在ADW中,可以在Console窗口通過Let 命令設(shè)置,在AXD中可以在Console窗口通過Set命令設(shè)置。

    標(biāo)簽: jtag 接口 燒寫程序

    上傳時(shí)間: 2013-10-23

    上傳用戶:aeiouetla

  • 自制單片機(jī)MSP-FET430仿真器

    自制單片機(jī)MSP-FET430仿真器 前言:本想到市場買個(gè)自制的MSP-FET430仿真工具,但看其做工可不敢恭維。于是打開當(dāng)時(shí)千元購買的FET(1個(gè)不夠用?。?,又參網(wǎng)上提供的自制FET的資料,依南士接插件的外殼尺寸繪制了自認(rèn)為布板較合理的PCB使用。上圖為電路參考原型,注意圖中FET 的連接形式(25 針屏蔽電纜轉(zhuǎn)接線,長度小于20 厘米的扁平線),這樣的連接更利于下載調(diào)試的可靠性。.....

    標(biāo)簽: MSP-FET 430 單片機(jī) 仿真器

    上傳時(shí)間: 2013-11-20

    上傳用戶:xdqm

  • Xilinx UltraScale:為您未來架構(gòu)而打造的新一代架構(gòu)

      Xilinx UltraScale™ 架構(gòu)針對(duì)要求最嚴(yán)苛的應(yīng)用,提供了前所未有的ASIC級(jí)的系統(tǒng)級(jí)集成和容量。    UltraScale架構(gòu)是業(yè)界首次在All Programmable架構(gòu)中應(yīng)用最先進(jìn)的ASIC架構(gòu)優(yōu)化。該架構(gòu)能從20nm平面FET結(jié)構(gòu)擴(kuò)展至16nm鰭式FET晶體管技術(shù)甚至更高的技術(shù),同 時(shí)還能從單芯片擴(kuò)展到3D IC。借助Xilinx Vivado®設(shè)計(jì)套件的分析型協(xié)同優(yōu)化,UltraScale架構(gòu)可以提供海量數(shù)據(jù)的路由功能,同時(shí)還能智能地解決先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)上的頭號(hào)系統(tǒng)性能瓶頸。 這種協(xié)同設(shè)計(jì)可以在不降低性能的前提下達(dá)到實(shí)現(xiàn)超過90%的利用率。   UltraScale架構(gòu)的突破包括:   • 幾乎可以在晶片的任何位置戰(zhàn)略性地布置類似于ASIC的系統(tǒng)時(shí)鐘,從而將時(shí)鐘歪斜降低達(dá)50%   • 系統(tǒng)架構(gòu)中有大量并行總線,無需再使用會(huì)造成時(shí)延的流水線,從而可提高系統(tǒng)速度和容量   • 甚至在要求資源利用率達(dá)到90%及以上的系統(tǒng)中,也能消除潛在的時(shí)序收斂問題和互連瓶頸   • 可憑借3D IC集成能力構(gòu)建更大型器件,并在工藝技術(shù)方面領(lǐng)先當(dāng)前行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)整整一代   • 能在更低的系統(tǒng)功耗預(yù)算范圍內(nèi)顯著提高系統(tǒng)性能,包括多Gb串行收發(fā)器、I/O以及存儲(chǔ)器帶寬   • 顯著增強(qiáng)DSP與包處理性能   賽靈思UltraScale架構(gòu)為超大容量解決方案設(shè)計(jì)人員開啟了一個(gè)全新的領(lǐng)域。

    標(biāo)簽: UltraScale Xilinx 架構(gòu)

    上傳時(shí)間: 2013-11-17

    上傳用戶:皇族傳媒

  • 用于Xilinx和Altera FPGA的電源管理解決方案

        本資料是TI(德州儀器)推出的用于Xilinx和Altera FPGA的電源管理解決方案介紹。其主要內(nèi)容包括:低失真調(diào)整器、步減控制器、集成FET轉(zhuǎn)換器、低功率集成FET轉(zhuǎn)換器等。

    標(biāo)簽: Xilinx Altera FPGA 電源管理

    上傳時(shí)間: 2013-11-07

    上傳用戶:363186

  • Xilinx UltraScale:為您未來架構(gòu)而打造的新一代架構(gòu)

      Xilinx UltraScale™ 架構(gòu)針對(duì)要求最嚴(yán)苛的應(yīng)用,提供了前所未有的ASIC級(jí)的系統(tǒng)級(jí)集成和容量。    UltraScale架構(gòu)是業(yè)界首次在All Programmable架構(gòu)中應(yīng)用最先進(jìn)的ASIC架構(gòu)優(yōu)化。該架構(gòu)能從20nm平面FET結(jié)構(gòu)擴(kuò)展至16nm鰭式FET晶體管技術(shù)甚至更高的技術(shù),同 時(shí)還能從單芯片擴(kuò)展到3D IC。借助Xilinx Vivado®設(shè)計(jì)套件的分析型協(xié)同優(yōu)化,UltraScale架構(gòu)可以提供海量數(shù)據(jù)的路由功能,同時(shí)還能智能地解決先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)上的頭號(hào)系統(tǒng)性能瓶頸。 這種協(xié)同設(shè)計(jì)可以在不降低性能的前提下達(dá)到實(shí)現(xiàn)超過90%的利用率。   UltraScale架構(gòu)的突破包括:   • 幾乎可以在晶片的任何位置戰(zhàn)略性地布置類似于ASIC的系統(tǒng)時(shí)鐘,從而將時(shí)鐘歪斜降低達(dá)50%   • 系統(tǒng)架構(gòu)中有大量并行總線,無需再使用會(huì)造成時(shí)延的流水線,從而可提高系統(tǒng)速度和容量   • 甚至在要求資源利用率達(dá)到90%及以上的系統(tǒng)中,也能消除潛在的時(shí)序收斂問題和互連瓶頸   • 可憑借3D IC集成能力構(gòu)建更大型器件,并在工藝技術(shù)方面領(lǐng)先當(dāng)前行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)整整一代   • 能在更低的系統(tǒng)功耗預(yù)算范圍內(nèi)顯著提高系統(tǒng)性能,包括多Gb串行收發(fā)器、I/O以及存儲(chǔ)器帶寬   • 顯著增強(qiáng)DSP與包處理性能   賽靈思UltraScale架構(gòu)為超大容量解決方案設(shè)計(jì)人員開啟了一個(gè)全新的領(lǐng)域。

    標(biāo)簽: UltraScale Xilinx 架構(gòu)

    上傳時(shí)間: 2013-12-23

    上傳用戶:小儒尼尼奧

  • 用于Xilinx和Altera FPGA的電源管理解決方案

        本資料是TI(德州儀器)推出的用于Xilinx和Altera FPGA的電源管理解決方案介紹。其主要內(nèi)容包括:低失真調(diào)整器、步減控制器、集成FET轉(zhuǎn)換器、低功率集成FET轉(zhuǎn)換器等。

    標(biāo)簽: Xilinx Altera FPGA 電源管理

    上傳時(shí)間: 2015-01-01

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  • 如何快速創(chuàng)建開關(guān)電源的PCB版圖設(shè)計(jì)

    如今的開關(guān)穩(wěn)壓器和電源越來越緊湊,性能也日益強(qiáng)大,而越來越高的開關(guān)頻率是設(shè)計(jì)人員面臨的主要問題之一,正是它使得PCB的設(shè)計(jì)越來越困難。事實(shí)上,PCB版圖已經(jīng)成為區(qū)分好與差的開關(guān)電源設(shè)計(jì)的分水嶺。本文針對(duì)如何一次性創(chuàng)建優(yōu)秀PCB版圖提出一些建議。考慮一個(gè)將24V降為3.3V的3A開關(guān)穩(wěn)壓器。設(shè)計(jì)這樣一個(gè)10W穩(wěn)壓器初看起來不會(huì)太困難,設(shè)計(jì)人員可能很快就可以進(jìn)入實(shí)現(xiàn)階段。不過,讓我們看看在采用Webench等設(shè)計(jì)軟件后,實(shí)際會(huì)遇到哪些問題。如果我們輸入上述要求,Webench會(huì)從若干IC中選出“Simpler Switcher”系列中的LM25576(一款包括3A FET的42V輸入器件)。該芯片采用帶散熱墊的TSSOP-20封裝。Webench菜單中包括了對(duì)體積或效率的設(shè)計(jì)優(yōu)化。設(shè)計(jì)需要大容量的電感和電容,從而需要占用較大的PCB空間。Webench提供如表1的選擇。

    標(biāo)簽: PCB 開關(guān)電源 版圖設(shè)計(jì)

    上傳時(shí)間: 2013-10-08

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  • PCB設(shè)計(jì)經(jīng)典資料

    本文將接續(xù)介紹電源與功率電路基板,以及數(shù)字電路基板導(dǎo)線設(shè)計(jì)。寬帶與高頻電路基板導(dǎo)線設(shè)計(jì)a.輸入阻抗1MHz,平滑性(flatness)50MHz 的OP增幅器電路基板圖26 是由FET 輸入的高速OP 增幅器OPA656 構(gòu)成的高輸入阻抗OP 增幅電路,它的gain取決于R1、R2,本電路圖的電路定數(shù)為2 倍。此外為改善平滑性特別追加設(shè)置可以加大噪訊gain,抑制gain-頻率特性高頻領(lǐng)域時(shí)峰值的R3。圖26 高輸入阻抗的寬帶OP增幅電路圖27 是高輸入阻抗OP 增幅器的電路基板圖案。降低高速OP 增幅器反相輸入端子與接地之間的浮游容量非常重要,所以本電路的浮游容量設(shè)計(jì)目標(biāo)低于0.5pF。如果上述部位附著大浮游容量的話,會(huì)成為高頻領(lǐng)域的頻率特性產(chǎn)生峰值的原因,嚴(yán)重時(shí)頻率甚至?xí)驗(yàn)閒eedback 阻抗與浮游容量,造成feedback 信號(hào)的位相延遲,最后導(dǎo)致頻率特性產(chǎn)生波動(dòng)現(xiàn)象。此外高輸入阻抗OP 增幅器輸入部位的浮游容量也逐漸成為問題,圖27 的電路基板圖案的非反相輸入端子部位無full ground設(shè)計(jì),如果有外部噪訊干擾之虞時(shí),接地可設(shè)計(jì)成網(wǎng)格狀(mesh)。圖28 是根據(jù)圖26 制成的OP 增幅器Gain-頻率特性測試結(jié)果,由圖可知即使接近50MHz頻率特性非常平滑,-3dB cutoff頻率大約是133MHz。

    標(biāo)簽: PCB

    上傳時(shí)間: 2013-11-09

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  • MSP-TEST44X 學(xué)習(xí)板光盤資料及實(shí)驗(yàn)說明 本學(xué)習(xí)板是按照教育大綱

    MSP-TEST44X 學(xué)習(xí)板光盤資料及實(shí)驗(yàn)說明 本學(xué)習(xí)板是按照教育大綱,采納國內(nèi)外許多單片機(jī)實(shí)驗(yàn)儀的優(yōu)點(diǎn),保持了傳統(tǒng)機(jī)的實(shí)驗(yàn) 項(xiàng)目,增加了以實(shí)用技術(shù)為主的許多實(shí)驗(yàn)。實(shí)驗(yàn)內(nèi)容涉及到端口,時(shí)鐘,F(xiàn)LASH 讀寫,看 門狗,硬件乘法器,TIMER_A_操作,TIMER_A ,ADC&bt&lcd,通訊操作(232,485, SPI),鍵盤操作(獨(dú)立按鍵,行列按鍵),LED 顯示,LCD 點(diǎn)陣操作,擴(kuò)展 DATA FLASH 操作, EEPROM 共 14 個(gè)例程,采用 C 和匯編兩種語言形式。學(xué)習(xí)版硬件平臺(tái)以 MSP430F449 為核 心,使用了 MSP430F449 內(nèi)部的絕大多數(shù)資源,配合 FET 仿真調(diào)試&編程工具,可方便的 實(shí)現(xiàn)開發(fā),在線調(diào)試與編程下載。為了便于大家查找學(xué)習(xí)板的資料及便捷的觀看實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)書, 特作此說明。

    標(biāo)簽: MSP-TEST 44 光盤 實(shí)驗(yàn)

    上傳時(shí)間: 2017-09-27

    上傳用戶:拔絲土豆

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