帶有異步復(fù)位端的D觸發(fā)器#2
上傳時間: 2014-12-23
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常用D/A轉(zhuǎn)換器和A/D轉(zhuǎn)換器介紹 下面我們介紹一下其它常用D/A轉(zhuǎn)換器和 A/D 轉(zhuǎn)換器,便于同學(xué)們設(shè)計(jì)時使用。 1. DAC0808 圖 1 所示為權(quán)電流型 D/A 轉(zhuǎn)換器 DAC0808 的電路結(jié)構(gòu)框圖。用 DAC0808 這類器件構(gòu) 成的 D/A轉(zhuǎn)換器,需要外接運(yùn)算放大器和產(chǎn)生基準(zhǔn)電流用的電阻。DAC0808 構(gòu)成的典型應(yīng)用電路如圖2 所示。
標(biāo)簽: 轉(zhuǎn)換器
上傳時間: 2014-12-23
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isoad系列產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)傳感器和主機(jī)之間的信號安全隔離和高精度數(shù)字采集與傳輸,廣泛應(yīng)用于rs-232/485總線工業(yè)自動化控制系統(tǒng),4-20ma / 0-10v信號測量、監(jiān)視和控制,小信號的測量以及工業(yè)現(xiàn)場信號隔離及長線傳輸?shù)冗h(yuǎn)程監(jiān)控場合。通過軟件的配置,可接入多種傳感器類型,包括電流輸出型、電壓輸出型、以及熱電偶等等。 產(chǎn)品內(nèi)部包括電源隔離,信號隔離、線性化,a/d轉(zhuǎn)換和rs-485串行通信等模塊。每個串口最多可接256只iso ad系列模塊,通訊方式采用ascii 碼字符通訊協(xié)議或modbus rtu通訊協(xié)議,其指令集兼容于adam模塊,波特率可由用戶設(shè)置,能與其他廠家的控制模塊掛在同一rs-485總線上,便于主機(jī)編程。 isoad系列產(chǎn)品是基于單片機(jī)的智能監(jiān)測和控制系統(tǒng),所有用戶設(shè)定的校準(zhǔn)值,地址,波特率,數(shù)據(jù)格式,校驗(yàn)和狀態(tài)等配置信息都儲存在非易失性存儲器eeprom里。 isoad系列產(chǎn)品按工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)、制造,信號輸入 / 輸出之間隔離,可承受3000vdc隔離電壓,抗干擾能力強(qiáng),可靠性高。工作溫度范圍- 45℃~+80℃。
標(biāo)簽: 20 mA D轉(zhuǎn)換 模擬信號
上傳時間: 2013-11-23
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Abstract: Class D amplifiers are typically very efficient, making them ideal candidates for portable applications that require longbattery life and low thermal dissipation. However, electromagnetic interference (EMI) is an issue that commonly accompanies theClass D switching topology. Active-emissions limiting reduces radiated emissions and enables "filterless" operation, allowingdesigners to create small, efficient portable applications with low EMI.
標(biāo)簽: EMI D類放大器 保持 便攜式產(chǎn)品
上傳時間: 2013-11-23
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計(jì)數(shù)器是一種重要的時序邏輯電路,廣泛應(yīng)用于各類數(shù)字系統(tǒng)中。介紹以集成計(jì)數(shù)器74LS161和74LS160為基礎(chǔ),用歸零法設(shè)計(jì)N進(jìn)制計(jì)數(shù)器的原理與步驟。用此方法設(shè)計(jì)了3種36進(jìn)制計(jì)數(shù)器,并用Multisim10軟件進(jìn)行仿真。計(jì)算機(jī)仿真結(jié)果表明設(shè)計(jì)的計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)了36進(jìn)制計(jì)數(shù)的功能。基于集成計(jì)數(shù)器的N進(jìn)制計(jì)數(shù)器設(shè)計(jì)方法簡單、可行,運(yùn)用Multisim 10進(jìn)行電子電路設(shè)計(jì)和仿真具有省時、低成本、高效率的優(yōu)越性。
標(biāo)簽: 歸零法 N進(jìn)制計(jì)數(shù)器原
上傳時間: 2013-10-11
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在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進(jìn)行定量計(jì)算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實(shí)用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。
上傳時間: 2013-10-31
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本次在線座談主要介紹TI的高精度Delta-Sigma A/D轉(zhuǎn)換器的原理及其應(yīng)用,Delta-Sigma A/D轉(zhuǎn)換器在稱重儀器中,大量采用比例測量方法。
標(biāo)簽: Delta-Sigma 高精度 轉(zhuǎn)換器
上傳時間: 2013-10-17
上傳用戶:zhqzal1014
Differential Nonlinearity: Ideally, any two adjacent digitalcodes correspond to output analog voltages that are exactlyone LSB apart. Differential non-linearity is a measure of theworst case deviation from the ideal 1 LSB step. For example,a DAC with a 1.5 LSB output change for a 1 LSB digital codechange exhibits 1⁄2 LSB differential non-linearity. Differentialnon-linearity may be expressed in fractional bits or as a percentageof full scale. A differential non-linearity greater than1 LSB will lead to a non-monotonic transfer function in aDAC.Gain Error (Full Scale Error): The difference between theoutput voltage (or current) with full scale input code and theideal voltage (or current) that should exist with a full scale inputcode.Gain Temperature Coefficient (Full Scale TemperatureCoefficient): Change in gain error divided by change in temperature.Usually expressed in parts per million per degreeCelsius (ppm/°C).Integral Nonlinearity (Linearity Error): Worst case deviationfrom the line between the endpoints (zero and full scale).Can be expressed as a percentage of full scale or in fractionof an LSB.LSB (Lease-Significant Bit): In a binary coded system thisis the bit that carries the smallest value or weight. Its value isthe full scale voltage (or current) divided by 2n, where n is theresolution of the converter.Monotonicity: A monotonic function has a slope whose signdoes not change. A monotonic DAC has an output thatchanges in the same direction (or remains constant) for eachincrease in the input code. the converse is true for decreasing codes.
標(biāo)簽: Converters Defini DAC
上傳時間: 2013-10-30
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磁芯電感器的諧波失真分析 摘 要:簡述了改進(jìn)鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB,從而降低總諧波失真THD的歷史過程,分析了諸多因數(shù)對諧波測量的影響,提出了磁心性能的調(diào)控方向。 關(guān)鍵詞:比損耗系數(shù), 磁滯常數(shù)ηB ,直流偏置特性DC-Bias,總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient,hysteresis constant,DC-Bias,THD 近年來,變壓器生產(chǎn)廠家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠家,在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標(biāo)控制上,進(jìn)行了深入的探討和廣泛的合作,逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術(shù)上采取了不少有效措施,促進(jìn)了質(zhì)量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。 一、 歷史回顧 總諧波失真(Total harmonic distortion) ,簡稱THD,并不是什么新的概念,早在幾十年前的載波通信技術(shù)中就已有嚴(yán)格要求<1>。1978年郵電部公布的標(biāo)準(zhǔn)YD/Z17-78“載波用鐵氧體罐形磁心”中,規(guī)定了高μQ材料制作的無中心柱配對罐形磁心詳細(xì)的測試電路和方法。如圖一電路所示,利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測量磁心產(chǎn)生的非線性失真。這種相對比較的實(shí)用方法,專用于無中心柱配對罐形磁心的諧波衰耗測試。 這種磁心主要用于載波電報(bào)、電話設(shè)備的遙測振蕩器和線路放大器系統(tǒng),其非線性失真有很嚴(yán)格的要求。 圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器,輸出阻抗 150Ω, Ld47 —— 47KHz 低通濾波器,阻抗 150Ω,阻帶衰耗大于61dB, Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器,阻抗 150Ω,三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器,阻抗 150Ω,三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30~50KHz 放大器, 阻抗 150Ω, 增益不小于 43 dB,三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表,輸入高阻抗, L ——被測無心罐形磁心及線圈, C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測量時,所配用線圈應(yīng)用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝, (線架為一格) , 其空心電感值為 318μH(誤差1%) 被測磁心配對安裝好后,先調(diào)節(jié)振蕩器頻率為 36.6~40KHz, 使輸出電平值為+17.4 dB, 即選頻表在 22′端子測得的主波電平 (P2)為+17.4 dB,然后在33′端子處測得輸出的三次諧波電平(P3), 則三次諧波衰耗值為:b3(+2)= P2+S+ P3 式中:S 為放大器增益dB 從以往的資料引證, 就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測量是一項(xiàng)很精細(xì)的工作,其中測量系統(tǒng)的高、低通濾波器,信號源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴(yán),阻抗必須匹配,薄膜電容器的非線性也有相應(yīng)要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質(zhì)的大空心線圈繞成,以保證本身的“潔凈” ,不至于造成對磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機(jī)的小型化和穩(wěn)定性要求, 必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀(jì) 70 年代初,1409 所和四機(jī)部、郵電部各廠,從工藝上改變了推板空氣窯燒結(jié),出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式,改用真空爐,并控制燒結(jié)、冷卻氣氛。技術(shù)上采用共沉淀法攻關(guān)試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩(wěn)定材料,在此基礎(chǔ)上,還實(shí)現(xiàn)了高μ7000~10000材料的突破,從而大大縮短了與國外企業(yè)的技術(shù)差異。當(dāng)時正處于通信技術(shù)由FDM(頻率劃分調(diào)制)向PCM(脈沖編碼調(diào)制) 轉(zhuǎn)換時期, 日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ,100KHz)的超優(yōu)鐵氧體材料<3>,其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵
上傳時間: 2014-12-24
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N+緩沖層設(shè)計(jì)對PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行仿真。提取相同電流密度下,不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降,得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線,該仿真結(jié)果與理論分析一致。對于PT-IGBT結(jié)構(gòu),N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值,只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。
上傳時間: 2013-11-12
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