如果了解FAT的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，并理解了FatSL的軟件結(jié)構(gòu)，那么文件系統(tǒng)移植并不困難（其實(shí)文件系統(tǒng)移植都是大同小異的）。本文給出的例子是基于STEVAL-CCM007V1硬件平臺，通過NFTL層（NAND Flash Translation Layer）在NAND Flash上建立該文件系統(tǒng)的情況。
標(biāo)簽： fatsl
上傳時(shí)間： 2022-02-21
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Chapter 1：Introduction and Overview Chapter 2：Switches，Buttons，and Knob 開關(guān)按鈕Chapter 3：Clock Sources 時(shí)鐘脈沖源Chapter 4：FPGA Configuration Options 配置Chapter 5：Character LCD Screen LCD顯示屏特性Chapter 6：VGA Display Port VGA接口——接到顯示器上Chapter 7：RS-232 Serial Ports RS-232接口——接器件Chapter 8：PS/2 Mouse/Keyboard Port PS/2鼠標(biāo)鍵盤接口Chapter 9：Digital to Analog Converter（DAC）D/A接口Chapter 10：Analog Capture Circuit 模擬捕獲電路Chapter 11：Intel StrataFlash Parallel NOR Flash PROM Chapter 12：SPI Serial Flash 串行外圍接口系列閃存Chapter 13：DDR SDRAM 內(nèi)存Chapter 14：10/100 Ethernet Physical Layer Interface以太網(wǎng)物理層接口Chapter 15：Expansion Connectors 擴(kuò)展接口Chapter 16：XC2C64A CoolRunner-II CPLDChapter 17：DS2432 1-Wire SHA-1 EEPROMSpartan-3E入門實(shí)驗(yàn)板使設(shè)計(jì)人員能夠即時(shí)利用Spartan-3E系列的完整平臺性能。設(shè)備支持：Spartan-3E、CoolRunner-ll關(guān)鍵特性：Xilinx器件：Spartan-3E（50萬門，XC3S500E-4FG320C），CoolRunnerTM-lI與Platform Flash時(shí)鐘：50MHz晶體時(shí)鐘振蕩器存儲器：128Mbit 并行Flash，16 Mbit SPI Flash，64MByte DDR SDRAM連接器與接口：以太網(wǎng)10/100Phy，JTAG USB下載，兩個(gè)9管腳RS-232串行端口，PS/2類型鼠標(biāo)/鍵盤端口，帶按鈕的旋轉(zhuǎn)編碼器，四個(gè)滑動開關(guān)，八個(gè)單獨(dú)的LED輸出
標(biāo)簽： Spartan-3E
上傳時(shí)間： 2022-06-19
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前幾天AUGTEK 發(fā)表了《LoRa 技術(shù)， 你來問， 我來答》上下兩部分，考慮到這一部分內(nèi)容是對《LoRa 科普》很好的補(bǔ)充，故整合發(fā)布。感興趣的盆友可以多關(guān)注菜單欄，如果有新的LoRa 技術(shù)提問，小編會及時(shí)整合更新。鑒于LoRaWAN Server 是LoRaWAN 網(wǎng)絡(luò)框架中是比較重要的一環(huán)，且目前全球僅有少數(shù)幾家產(chǎn)商能夠提供，小編將在下篇新文章中為大家重點(diǎn)介紹。1. 什么是LoRa？LoRa 是低功耗廣域網(wǎng)通信技術(shù)中的一種，是Semtech 公司采用和推廣的一種基于擴(kuò)頻技術(shù)的超遠(yuǎn)距離無線傳輸技術(shù)， 是Semtech 射頻部分產(chǎn)生的一種獨(dú)特的調(diào)制格式。LoRa 射頻部分的核心芯片是SX1276 和SX1278。這類芯片集成規(guī)模小、效率高， 為LoRa 無線模塊帶來高接收靈敏度。而網(wǎng)關(guān)芯片則采用的是集成度更高、信道數(shù)更多的SX1301。用SX1301 作為核心開發(fā)出的LoRa 網(wǎng)關(guān)，可以與許許多多的LoRa 模塊構(gòu)成多節(jié)點(diǎn)的復(fù)雜的物聯(lián)網(wǎng)自組網(wǎng)。2. LoRa是擴(kuò)頻技術(shù)嗎？ LoRa 是一種擴(kuò)頻技術(shù)，但它不是直接序列擴(kuò)頻。直接序列擴(kuò)頻通過調(diào)制載波芯片來傳輸更多的頻譜，從而提高編碼增益。而LoRa 調(diào)制與多狀態(tài)FSK 調(diào)制類似，使用未調(diào)制載波來進(jìn)行線性調(diào)頻，使能量分散到更廣泛的頻段。3. LoRa 是Mesh 網(wǎng)絡(luò)、點(diǎn)對點(diǎn)傳輸還是星形網(wǎng)絡(luò)？ LoRa調(diào)制技術(shù)本身是一個(gè)物理層（ PHY layer ）協(xié)議，能被用在幾乎所有的網(wǎng)絡(luò)技術(shù)中。Mesh 網(wǎng)絡(luò)雖然擴(kuò)展了網(wǎng)絡(luò)覆蓋的范圍，但是卻犧牲了網(wǎng)絡(luò)容量、同步開銷、電池使用壽命。隨著LoRa 技術(shù)鏈路預(yù)算和覆蓋距離的同時(shí)提升， Mesh 網(wǎng)絡(luò)已不再適合，故采用星形的組網(wǎng)方式來優(yōu)化網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)、延長電池壽命、簡化安裝。LoRa 網(wǎng)關(guān)和模塊間以星形網(wǎng)方式組網(wǎng)，而LoRa 模塊間理論上可以以點(diǎn)對點(diǎn)輪詢的方式組網(wǎng)，當(dāng)然點(diǎn)對點(diǎn)輪詢效率要遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于星形網(wǎng)
標(biāo)簽： lora
上傳時(shí)間： 2022-06-19
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le flows through MOS channel while Ih flows across PNP transistor Ih= a/(1-a) le, IE-le+lh=1/(1-a)' le Since IGBT has a long base PNP, a is mainly determined by ar si0 2ar= 1/cosh(1/La), La: ambipolar diff length a-0.5 (typical value)p MOSFET channel current (saturation), le=U"Cox"W(2"Lch)"(Vc-Vth)le Thus, saturated collector current Ic, sat=1/(1-a)"le=-1/(1-a)"UCox"W/(2Lch)"(Vo-Vth)2Also, transconductance gm, gm= 1/(1-a)"u' Cox W/Lch*(Vo-Vth)Turn-On1. Inversion layer is formed when Vge>Vth2. Apply positive collector bias, +Vce3. Electrons flow from N+ emitter to N-drift layer providing the base current for the PNP transistor4. Since J1 is forward blased, hole carriers are injected from the collector (acts as an emitter).5. Injected hole carriers exceed the doping level of N-drift region (conductivity modulation). Turn-Off1. Remove gate bias (discharge gate)2. Cut off electron current (base current, le, of pnp transistor)
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上傳時(shí)間： 2022-06-20
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pcie（PCI-Express）處理層協(xié)議中文詳解處理層協(xié)議（transaction Layer specification）◆TLP概況。◆尋址定位和路由導(dǎo)向。◆i/o，.memory，configuration，message request、completion 詳解。◆請求和響應(yīng)處理機(jī)制。◆virtual channel（ve）Mechanism虛擬通道機(jī)制。◆data integrity 數(shù)據(jù)完整性。一.TLP概況處理層（transaction Layer specification）是請求和響應(yīng)信息形成的基礎(chǔ)。包括四種地址空間，三種處理類型，從下圖可以看出在transaction Layer中形成的包的基本概括。一類是對io口和memory的讀寫包（TLPS:transaction Layers packages），另一類是對配置寄存器的讀寫設(shè)置包，還有一類是信息包，描述通信狀態(tài)，作為事件的信號告知用戶。對memory的讀寫包分為讀請求包和響應(yīng)包、寫請求包（不需要存儲器的響應(yīng)包）。而io類型的讀寫請求都需要返回I/O口的響應(yīng)包，
標(biāo)簽： pcie
上傳時(shí)間： 2022-06-30
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一、建焊盤打開建立焊盤的軟件Pad Designer路徑：包括采用的制式，現(xiàn)在選公制單位毫米，精度3，右側(cè)問是否需要多重鉆孔，這個(gè)功能一般是用于做非圓孔。一般圓孔不用勾選。下面設(shè)定鉆孔樣式，一般是圓孔，鉆孔內(nèi)部是否鍍銅 plated（no plated即為不鍍銅，一般用于塑膠件定位孔），再是鉆孔直徑，設(shè)置精度，是否偏移等。如果是表貼元件，鉆孔直徑設(shè)為0。如果是表面安裝元件，把signle layer mode勾選。焊盤一般需要 begin layer和end layer，還有就是soldmask_top，soldmask_bottom，pastemask top，pastemask bottom這幾個(gè)層面。對表面安裝元件來說，只需要begin layer，soldermask_top以及pastemask_top就可以了。鼠標(biāo)左鍵點(diǎn)擊begin layer，會發(fā)現(xiàn)最下面三個(gè)對話框被刷新，在下面填入需要的值：從左到右：規(guī)則焊盤，熱焊盤，反焊盤。1規(guī)則焊盤下面需要填入焊盤形狀，長寬，是否有偏移。1熱焊盤，要求選擇焊盤類型，尺寸等；1反焊盤，作用是設(shè)定焊盤與周邊間距，一般比規(guī)則焊盤略大6-10mil。鼠標(biāo)點(diǎn)擊soldermask_top，下面對話框刷新出該選項(xiàng)。按照需要填入數(shù)據(jù)。Pastemask top同樣處理。右邊上角還有視圖角度選擇，Xsection為水平視圖，TOP為從上往下看。
標(biāo)簽： cadence allegro
上傳時(shí)間： 2022-07-02
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STM32 HAL固件庫是Hardware Abstraction Layer的縮寫，中文名稱是：硬件抽象層。HAL庫是ST公司為STM32的MCU最新推出的抽象層嵌入式軟件，為更方便的實(shí)現(xiàn)跨STM32產(chǎn)品的最大可移植性。HAL庫的推出，可以說ST也慢慢的拋棄了原來的標(biāo)準(zhǔn)固件庫，這也使得很多老用戶不滿。但是HAL庫推出的同時(shí)，也加入了很多第三方的中間件，有RTOS，USB，TCP / IP和圖形等等。和標(biāo)準(zhǔn)庫對比起來，STM32的HAL庫更加的抽象，ST最終的目的是要實(shí)現(xiàn)在STM32系列MCU之間無縫移植，甚至在其他MCU也能實(shí)現(xiàn)快速移植。
上傳時(shí)間： 2022-07-08
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STM32CubeMX是ST出的一款免費(fèi)的開發(fā)工具，近幾年ST也在一直大力推這個(gè)工具，也在推行新的HAL庫（an STM32 abstraction layer embedded software ensuring maximized portability across the STM32 portfolio）硬件抽象層API。使用HAL庫開發(fā)的好處是方便用戶在不同的芯片平臺上移植代碼。Cube的作用是通過圖形化的配置生成基礎(chǔ)的工程文件，生成的文件包含了芯片初始化代碼，現(xiàn)支持IAR、MDK、TureSTUDIO等IDE, 對于用慣了使用標(biāo)準(zhǔn)庫開發(fā)的我來說我覺得還是非常方便的。
標(biāo)簽： cubemx教程
上傳時(shí)間： 2022-07-21
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Power PCB如何在不同層去設(shè)不同線寬之走線1.選擇 Setup\Design Rules2.選澤 Conditional Rules Setup3.設(shè)定Sousce rule object（可依照不同的狀況去選擇使用Al/Classes/Nets/Groups/Pin pairs）4.設(shè)定Against rule object（可依照不同的狀況去選擇使用 Layer/Classes/Nets）5.設(shè)定Existing rule sets將 Sousce rule object與Against rule object之定按Create產(chǎn)生）6.案例說明一有一條信號CLK_32M當(dāng)走到Layer1時(shí)需為線寬6mil間距6mil；Layer3時(shí)需為線寬20mil間距20mil
標(biāo)簽： padslayout
上傳時(shí)間： 2022-07-24
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在Altium 軟件中區(qū)分內(nèi)電層是正片還是負(fù)片的方法通常情況下，大家都知道電路板的表層都是正片，負(fù)片特指內(nèi)電層，然而內(nèi)電層不一定都是負(fù)片，也有用正片的。電路板的內(nèi)電層使用正片或是負(fù)片，是由設(shè)計(jì)電路板的人決定的，和個(gè)人習(xí)慣有關(guān)。下面就簡單的說下，如何識別這個(gè)電氣層是正片還是負(fù)片。方法一、在板層的顯示和隱藏界面查看；進(jìn)入板層顏色管理界面Design → Board Layers & Colors（快捷鍵L）有上圖可以看出，中間上方的Signal Layers 欄所示的都是正片層，Internal Planes 欄所示的都是負(fù)片層。這里注意一點(diǎn)，使用負(fù)片層時(shí)，負(fù)片層是不允許用交互式布線命令走線的。方法二、看層疊結(jié)構(gòu);進(jìn)入層疊管理，Design → Layer Stack Manager上圖中右上角標(biāo)注1 和2 的地方，1 處表示添加負(fù)片層，2 處表示添加正片層，執(zhí)行此命令后，會在圖中的層疊處看到添加后的效果。本例中，使用了4 個(gè)正片層和兩個(gè)負(fù)片層；拿其中一種來說明問題，圖二中的3 標(biāo)號處為負(fù)片層，雙擊層名稱，彈出對話框，參數(shù)如下圖所示；Net name 項(xiàng)是不允許修改的，這是負(fù)片層參數(shù)的特征。
標(biāo)簽： altium
上傳時(shí)間： 2022-07-27
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