2012TI杯陜西賽題H題,2012TI杯陜西賽題B題--頻率補償電路.
上傳時間： 2013-10-07
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為了克服傳統(tǒng)功率MOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結(jié)構(gòu),稱為超級結(jié)器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導(dǎo)體薄層交替排列組成。在截止態(tài)時,由于p 型和n 型層中的耗盡區(qū)電場產(chǎn)生相互補償效應(yīng),使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會引起器件擊穿電壓的下降。導(dǎo)通時,這種高濃度的摻雜使器件的導(dǎo)通電阻明顯降低。由于CoolMOS 的這種獨特器件結(jié)構(gòu),使它的電性能優(yōu)于傳統(tǒng)功率MOS。本文對CoolMOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓關(guān)系的理論計算表明,對CoolMOS 橫向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,對縱向器件: Ron ·A = C ·V B ,與縱向DMOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間Ron ·A = C ·V 2. 5B 的關(guān)系相比,CoolMOS 的導(dǎo)通電阻降低了約兩個數(shù)量級。
標(biāo)簽： CoolMOS VDMOS 導(dǎo)通電阻 分
上傳時間： 2013-10-21
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在高速數(shù)字電路飛速發(fā)展的今天，信號的頻率不斷提高, 信號完整性設(shè)計在P C B設(shè)計中顯得日益重要。其中由于傳輸線效應(yīng)所引起的信號反射問題是信號完整性的一個重要方面。本文研究分析了高速PCB 設(shè)計中的反射問題的產(chǎn)生原因，并利用HyperLynx 軟件進行了仿真，最后提出了相應(yīng)的解決方法。
上傳時間： 2013-10-16
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工藝流程波峰焊中的成型工作，是生產(chǎn)過程中效率最低的部分之一，相應(yīng)帶來了靜電損壞風(fēng)險并使交貨期延長，還增加了出錯的機會。雙面貼裝A面布有大型IC器件，B面以片式元件為主充分利用PCB空間，實現(xiàn)安裝面積最小化，效率高單面混裝* 如果通孔元件很少，可采用回流焊和手工焊的方式一面貼裝、另一面插裝* 如果通孔元件很少，可采用回流焊和手工焊的方式
上傳時間： 2013-11-14
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磁芯電感器的諧波失真分析 摘 要：簡述了改進鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB，從而降低總諧波失真THD的歷史過程，分析了諸多因數(shù)對諧波測量的影響，提出了磁心性能的調(diào)控方向。 關(guān)鍵詞：比損耗系數(shù)， 磁滯常數(shù)ηB ，直流偏置特性DC-Bias，總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年來，變壓器生產(chǎn)廠家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠家，在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標(biāo)控制上，進行了深入的探討和廣泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術(shù)上采取了不少有效措施，促進了質(zhì)量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。 一、 歷史回顧 總諧波失真（Total harmonic distortion） ，簡稱THD，并不是什么新的概念，早在幾十年前的載波通信技術(shù)中就已有嚴(yán)格要求<1>。1978年郵電部公布的標(biāo)準(zhǔn)YD/Z17－78“載波用鐵氧體罐形磁心”中，規(guī)定了高μQ材料制作的無中心柱配對罐形磁心詳細(xì)的測試電路和方法。如圖一電路所示，利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測量磁心產(chǎn)生的非線性失真。這種相對比較的實用方法，專用于無中心柱配對罐形磁心的諧波衰耗測試。 這種磁心主要用于載波電報、電話設(shè)備的遙測振蕩器和線路放大器系統(tǒng)，其非線性失真有很嚴(yán)格的要求。 圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器，輸出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通濾波器，阻抗 150Ω，阻帶衰耗大于61dB， Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表，輸入高阻抗， L ——被測無心罐形磁心及線圈， C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測量時，所配用線圈應(yīng)用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝， （線架為一格） ， 其空心電感值為 318μH（誤差1％） 被測磁心配對安裝好后，先調(diào)節(jié)振蕩器頻率為 36.6～40KHz， 使輸出電平值為+17.4 dB， 即選頻表在 22′端子測得的主波電平 （P2）為+17.4 dB，然后在33′端子處測得輸出的三次諧波電平（P3）， 則三次諧波衰耗值為：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 為放大器增益dB 從以往的資料引證， 就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測量是一項很精細(xì)的工作，其中測量系統(tǒng)的高、低通濾波器，信號源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴(yán)，阻抗必須匹配，薄膜電容器的非線性也有相應(yīng)要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質(zhì)的大空心線圈繞成，以保證本身的“潔凈” ，不至于造成對磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機的小型化和穩(wěn)定性要求， 必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀(jì) 70 年代初，1409 所和四機部、郵電部各廠，從工藝上改變了推板空氣窯燒結(jié)，出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式，改用真空爐，并控制燒結(jié)、冷卻氣氛。技術(shù)上采用共沉淀法攻關(guān)試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩(wěn)定材料，在此基礎(chǔ)上，還實現(xiàn)了高μ7000～10000材料的突破，從而大大縮短了與國外企業(yè)的技術(shù)差異。當(dāng)時正處于通信技術(shù)由FDM（頻率劃分調(diào)制）向PCM（脈沖編碼調(diào)制） 轉(zhuǎn)換時期， 日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ，100KHz）的超優(yōu)鐵氧體材料<3>，其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵
上傳時間： 2014-12-24
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電路板級的電磁兼容設(shè)計:本應(yīng)用文檔從元件選擇、電路設(shè)計和印制電路板的布線等幾個方面討論了電路板級的電磁兼容性（EMC）設(shè)計。本文從以下幾個部分進行論述：第一部分：電磁兼容性的概述第二部分：元件選擇和電路設(shè)計技術(shù)第三部分：印制電路板的布線技術(shù)附錄A：電磁兼容性的術(shù)語附錄B：抗干擾的測量標(biāo)準(zhǔn)第一部分 — 電磁干擾和兼容性的概述電磁干擾是現(xiàn)代電路工業(yè)面對的一個主要問題。為了克服干擾，電路設(shè)計者不得不移走干擾源，或設(shè)法保護電路不受干擾。其目的都是為了使電路按照預(yù)期的目標(biāo)來工作——即達(dá)到電磁兼容性。通常，僅僅實現(xiàn)板級的電磁兼容性這還不夠。雖然電路是在板級工作的，但是它會對系統(tǒng)的其它部分輻射出噪聲，從而產(chǎn)生系統(tǒng)級的問題。另外，系統(tǒng)級或是設(shè)備級的電磁兼容性必須要滿足某種輻射標(biāo)準(zhǔn)，這樣才不會影響其他設(shè)備或裝置的正常工作。許多發(fā)達(dá)國家對電子設(shè)備和儀器有嚴(yán)格的電磁兼容性標(biāo)準(zhǔn)；為了適應(yīng)這個要求，設(shè)計者必須從板級設(shè)計開始就考慮抑制電子干擾。
標(biāo)簽： 電路 板級 電磁兼容設(shè)計
上傳時間： 2013-10-12
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這里僅討論電容及電感值的選取。種類的選取,則需要更多的工程實踐,更多的RF電路的經(jīng)驗,這里不再討論。從理論上講,隔直電容、旁路電容的容量應(yīng)滿足。顯然,在任何角頻率下,這在工程上是作不到的。電容量究竟取多大是合理的呢？圖1-5(a),(b)給出了隔直電容(多數(shù)情況下,這個電容又稱為耦合電容)和旁路電容的使用簡化
上傳時間： 2013-11-12
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一直以來， 電子電路斷路器( E C B ) 都是由一個MOSFET、一個 MOSFET 控制器和一個電流檢測電阻器所組成的。
上傳時間： 2013-10-18
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為簡化總線式RS485隔離器的設(shè)計，提出基于脈沖變壓器的總線式RS485隔離器的技術(shù)方案。該方案具有簡單實用、無需電源、無需考慮數(shù)據(jù)流向、在有限范圍內(nèi)波特率自適應(yīng)、底層用戶群體易于理解和掌控等特點。給出了基本實驗電路和脈沖變壓器的主要設(shè)計依據(jù)?；诿}沖變壓器的總線式RS485隔離器，尤其適合工業(yè)環(huán)境下半雙工的A、B兩線制RS485通信網(wǎng)的升級改造，其基本思想也適用于全雙工的W、X、Y、Z四線制RS485/RS422通信網(wǎng)。
上傳時間： 2013-10-07
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在靜電傳感器測量氣/固兩相流參數(shù)的基礎(chǔ)上，以J.B.Gajewski教授的成果為基礎(chǔ)，對電容的計算進行了研究。將靜電傳感器電極與屏蔽罩間的電容cp看作圓柱型電容，對其建立的靜電傳感器數(shù)學(xué)模型中的感應(yīng)電極與屏蔽罩間電容值進行探討，并得到了這個電容的計算式。
上傳時間： 2014-12-24
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