設(shè)計了一種帶振幅控制的晶體振蕩器，用于32 768 Hz的實時時鐘。振幅調(diào)節(jié)環(huán)采用源接地振蕩器形式來得到高的頻率穩(wěn)定性和低的功耗。使用MOS管電阻有效的減小了版圖面積。電路在0.35 μm、5 V CMOS工藝上實現(xiàn)，仿真和測試結(jié)果都能滿足設(shè)計要求。
標(biāo)簽： 振幅 調(diào)節(jié) 晶體振蕩器
上傳時間： 2013-11-10
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AD5933/AD5934的電流-電壓（I-V）放大級還可能輕微增加信號鏈的不準(zhǔn)確性。I-V轉(zhuǎn)換級易受放大器的偏置電流、失調(diào)電壓和CMRR影響。通過選擇適當(dāng)?shù)耐獠糠至⒎糯笃鱽韴?zhí)行I-V轉(zhuǎn)換，用戶可挑選一個具有低偏置電流和失調(diào)電壓規(guī)格、出色CMRR的放大器，提高I-V轉(zhuǎn)換的精度。該內(nèi)部放大器隨后可配置成一個簡單的反相增益級。
標(biāo)簽： 阻抗轉(zhuǎn)換器 阻抗測量 高精度
上傳時間： 2013-10-27
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圖1所示電路采用digiPOT+系列數(shù)字電位計AD5292、雙通道運算放大器ADA4091-2和基準(zhǔn)電壓源ADR512，提供一種低成本、高電壓、單極性DAC。該電路提供10位分辨率，輸出電壓范圍為0 V至30 V，能夠提供最高±20 mA的輸出電流。AD5292可以通過SPI兼容型串行接口編程。
上傳時間： 2013-11-23
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提出了一種基于gm /ID方法設(shè)計的可變增益放大器。設(shè)計基于SMIC90nmCMOS工藝模型，可變增益放大器由一個固定增益級、兩個可變增益級和一個增益控制器構(gòu)成。固定增益級對輸入信號預(yù)放大，以增加VGA最大增益。VGA的增益可變性由兩個受增益控制器控制的可變增益級實現(xiàn)。運用gm /ID的綜合設(shè)計方法，優(yōu)化了任意工作范圍內(nèi)，基于gm /ID和VGS關(guān)系的晶體管設(shè)計，實現(xiàn)了低電壓低功耗。為得到較寬的增益范圍，應(yīng)用了一種新穎的偽冪指函數(shù)。利用Cadence中spectre工具仿真，結(jié)果表明，在1.2 V的工作電壓下，具有76 dB的增益，控制電壓范圍超過0.8 V，帶寬范圍從34 MHz到183.6 MHz，功耗為0.82 mW。
上傳時間： 2013-11-10
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為了測量某試件多點溫度，且溫度跨度很大，還要達(dá)到要求精度，本文利用幾種不同類型的傳感器（AD590、PT1000和K型熱電偶）進(jìn)行采集，其輸出形式（電流源、電阻和熱電勢）和大小均不相同，設(shè)計了電源電路、信號轉(zhuǎn)換電路和放大抬升電路，使各種傳感器的輸出達(dá)到統(tǒng)一的1～5 V的標(biāo)準(zhǔn)信號；在實驗室利用高精度電壓、電流源和電阻箱分別對熱電偶、AD590和PT1000進(jìn)行模擬，結(jié)果表明該方法可行，調(diào)理電路的相對精度可達(dá)到0.1級。
標(biāo)簽： 溫度傳感器 信號調(diào)理 電路設(shè)計
上傳時間： 2013-12-11
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ADM1073 –48 V熱插拔控制器，可通過動態(tài)控制置于電源路徑中外部N溝道FET上的柵極電壓，精確限制該電源產(chǎn)生的電流。內(nèi)部檢測放大器可以檢測連接在電源VEE和SENSE引腳之間的檢測電阻上的電壓。該電平體現(xiàn)了負(fù)載電流水平。檢測放大器具有100 mV (±3%)的預(yù)設(shè)控制環(huán)路閾值。這意味著當(dāng)檢測電阻上檢測到100 mV的電壓時，電流控制環(huán)路就會調(diào)節(jié)負(fù)載電流。這樣檢測電阻值可以設(shè)置促使環(huán)路進(jìn)行調(diào)節(jié)的電流水平。100 mV除以RSENSE可以得到電流值，此時檢測電阻會促使環(huán)路進(jìn)行調(diào)節(jié)。
上傳時間： 2013-10-30
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設(shè)計了一款用于UHF RFID射頻前端接收機(jī)的高線性度LNA。該低噪聲放大器采用噪聲消除技術(shù)，具有單端輸入差分輸出的功能，能夠同時實現(xiàn)輸出平衡，噪聲消除和非線性失真抵消，具有高的線性度。該電路采用TSMC 0.18 μm工藝設(shè)計，芯片面積只有0.02 mm2。電源電壓為1.8 V，總電流為8 mA，后仿真結(jié)果增益為19.2 dB，噪聲因子為2.5 dB，輸入1 dB壓縮點為-5.2 dBm。
上傳時間： 2014-01-21
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介紹了一種基于低壓、寬帶、軌對軌、自偏置CMOS第二代電流傳輸器（CCII）的電流模式積分器電路，能廣泛應(yīng)用于無線通訊、射頻等高頻模擬電路中。通過采用0.18 μm工藝參數(shù)，進(jìn)行Hspice仿真，結(jié)果表明：電流傳輸器電壓跟隨的線性范圍為-1.04～1.15 V，電流跟隨的線性范圍為-9.02～6.66 mA，iX/iZ的-3 dB帶寬為1.6 GHz。輸出信號的幅度以20dB/decade的斜率下降，相位在低于3 MHz的頻段上保持在90°。
上傳時間： 2014-06-20
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為了克服傳統(tǒng)功率MOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結(jié)構(gòu),稱為超級結(jié)器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導(dǎo)體薄層交替排列組成。在截止態(tài)時,由于p 型和n 型層中的耗盡區(qū)電場產(chǎn)生相互補償效應(yīng),使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會引起器件擊穿電壓的下降。導(dǎo)通時,這種高濃度的摻雜使器件的導(dǎo)通電阻明顯降低。由于CoolMOS 的這種獨特器件結(jié)構(gòu),使它的電性能優(yōu)于傳統(tǒng)功率MOS。本文對CoolMOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓關(guān)系的理論計算表明,對CoolMOS 橫向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,對縱向器件: Ron ·A = C ·V B ,與縱向DMOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間Ron ·A = C ·V 2. 5B 的關(guān)系相比,CoolMOS 的導(dǎo)通電阻降低了約兩個數(shù)量級。
標(biāo)簽： CoolMOS VDMOS 導(dǎo)通電阻 分
上傳時間： 2013-10-21
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設(shè)計了一種用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS運算放大器。主運放采用帶開關(guān)電容共模反饋的折疊式共源共柵結(jié)構(gòu)，利用增益提高和三支路電流基準(zhǔn)技術(shù)實現(xiàn)一個可用于12~14 bit精度，100 MS/s采樣頻率的高速流水線（Pipelined）ADC的運放。設(shè)計基于SMIC 0.25 μm CMOS工藝，在Cadence環(huán)境下對電路進(jìn)行Spectre仿真。仿真結(jié)果表明，在2.5 V單電源電壓下驅(qū)動2 pF負(fù)載時，運放的直流增益可達(dá)到124 dB，單位增益帶寬720 MHz，轉(zhuǎn)換速率高達(dá)885 V/μs，達(dá)到0.1%的穩(wěn)定精度的建立時間只需4 ns，共模抑制比153 dB。
標(biāo)簽： CMOS 增益提高 運算 放大器設(shè)計
上傳時間： 2014-12-23
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