這里僅討論電容及電感值的選取。種類的選取,則需要更多的工程實踐,更多的RF電路的經驗,這里不再討論。從理論上講,隔直電容、旁路電容的容量應滿足。顯然,在任何角頻率下,這在工程上是作不到的。電容量究竟取多大是合理的呢？圖1-5(a),(b)給出了隔直電容(多數情況下,這個電容又稱為耦合電容)和旁路電容的使用簡化
上傳時間： 2013-11-12
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一直以來， 電子電路斷路器( E C B ) 都是由一個MOSFET、一個 MOSFET 控制器和一個電流檢測電阻器所組成的。
上傳時間： 2013-10-18
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電子設備的 ON/OFF 按鈕給繫統設計師帶來了一組獨特的挑戰
上傳時間： 2013-10-13
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為簡化總線式RS485隔離器的設計，提出基于脈沖變壓器的總線式RS485隔離器的技術方案。該方案具有簡單實用、無需電源、無需考慮數據流向、在有限范圍內波特率自適應、底層用戶群體易于理解和掌控等特點。給出了基本實驗電路和脈沖變壓器的主要設計依據?；诿}沖變壓器的總線式RS485隔離器，尤其適合工業環境下半雙工的A、B兩線制RS485通信網的升級改造，其基本思想也適用于全雙工的W、X、Y、Z四線制RS485/RS422通信網。
上傳時間： 2013-10-07
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在靜電傳感器測量氣/固兩相流參數的基礎上，以J.B.Gajewski教授的成果為基礎，對電容的計算進行了研究。將靜電傳感器電極與屏蔽罩間的電容cp看作圓柱型電容，對其建立的靜電傳感器數學模型中的感應電極與屏蔽罩間電容值進行探討，并得到了這個電容的計算式。
上傳時間： 2014-12-24
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電子、電氣產品的設計，必須保證在一定的電磁環境中能正常工作，既滿足標準規定的抗干擾極限值要求，在受到一定的電磁干擾時，無性能降級或故障；又要滿足標準規定的電磁輻射極限值的要求，對電磁環境不構成污染。所以，產品設計之初，就要從分析產品預期的電磁環境、干擾源、耦合途徑和敏感部件入手，采用相應的技術措施，抑制干擾源、切斷或削弱耦合途徑，增強敏感部件的抗干擾能力等。文中詳細介紹了一款485通訊隔離產品從輻射超標到順利通過FCC CLASS B認證，在原理設計、PCB制板等多方面所做的各項改進措施。文中所提到的方法及規則，對產品EMC設計具有很大的參考及指導意義。
上傳時間： 2013-10-24
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AL-LJ(K)系列零序電流互感器 保定奧蘭電氣科技有限責任公司生產的AL-LJ(K)系列零序電流互感器經電力工業部電氣設備質量檢測中心檢測，質量優于國標GB1208-1997《電流互感器》，具有精度高，線性度好，運行可靠，安裝方便，外型美觀等特點。 零序電流互感器（電纜型）的孔徑范圍為Ф40～Ф360，有各種容量、變比、準確限值系數，可與小電流接地選線裝置、繼電器、儀表等配套使用，實現對系統的檢測和保護。裝置具有靈敏度高，線性度好等優點。產品分整體式和組合式兩類。互感器采用工程塑料外殼、樹脂澆注全密封；外型美觀、安裝方便、節省安裝空間、規格品種多，可適用各種保護裝置和電力系統各種運行方式（中性點接地，中性點不接地，大電阻接地，小電阻接地和消弧線圈接地）的需要。 空格：用于小電流接地選線裝置 A：與DD11/60型繼電器配合使用 J：用于微機型繼電保護 B：與DL11/0.2型繼電器配合使用 保定市奧蘭電氣科技有限責任公司開發生產的零序電流互感器是一種套在電纜上的CT，它的一次繞組為穿過CT內孔的三相一次導體電纜，它的一次電流是一次三相電流的向量和（在正常、三相平衡時為0），當發生一次系統單相接地時三相平衡關系被打破，這時零序電流互感器的二次就有電流輸出，供給保護裝置，實現保護和監控。 零序電流互感器的一次絕緣就是電纜自身絕緣，所以這種零序電流互感器可以套在任一電壓等級的電纜上。
標簽： 零序電流互感器
上傳時間： 2013-10-30
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一個不錯的降壓芯片
標簽： PG_IC-ON-LINE LNK 306 CN
上傳時間： 2014-01-02
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高的工作電壓高達100V N雙N溝道MOSFET同步驅動 The D810DCDC is a synchronous step-down switching regulator controller that can directly step-down voltages from up to 100V, making it ideal for telecom and automotive applications. The D810DCDC uses a constant on-time valley current control architecture to deliver very low duty cycles with accurate cycle-by-cycle current limit, without requiring a sense resistor. A precise internal reference provides 0.5% DC accuracy. A high bandwidth (25MHz) error amplifi er provides very fast line and load transient response. Large 1Ω gate drivers allow the D810DCDC to drive multiple MOSFETs for higher current applications. The operating frequency is selected by an external resistor and is compensated for variations in VIN and can also be synchronized to an external clock for switching-noise sensitive applications. Integrated bias control generates gate drive power from the input supply during start-up and when an output shortcircuit occurs, with the addition of a small external SOT23 MOSFET. When in regulation, power is derived from the output for higher effi ciency.
上傳時間： 2013-10-24
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The latest generation of Texas Instruments (TI) boardmountedpower modules utilizes a pin interconnect technologythat improves surface-mount manufacturability.These modules are produced as a double-sided surfacemount(DSSMT) subassembly, yielding a case-less constructionwith subcomponents located on both sides of theprinted circuit board (PCB). Products produced in theDSSMT outline use the latest high-efficiency topologiesand magnetic-component packaging. This providescustomers with a high-efficiency, ready-to-use switchingpower module in a compact, space-saving package. Bothnonisolated point-of-load (POL) switching regulators andthe isolated dc/dc converter modules are being producedin the DSSMT outline.TI’s plug-in power product line offers power modules inboth through-hole and surface-mount packages. The surfacemountmodules produced in the DSSMT outline use asolid copper interconnect with an integral solder ball fortheir
上傳時間： 2013-10-10
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