1.功能 利用廣義逆求解無約束條件下的優化問題(C語言) 2.參數說明 int m : 非線性方程組中方程個數 int n : 非線性方程組中未知數個數 double eps1 : 控制最小二乘解的精度要求 double eps2 : 用于奇異值分解中的控制精度要求 double x[n] : 存放非線性方程組解的初始近似值X(0),要求各分量不全為0 int KA : KA＝max{m,n}+1 void (*f)() : 指向計算非線性方程組中各方程左端函數值的函數名(用戶自編) void (*s)() : 指向計算雅可比矩陣的函數名 int ngin() : 函數返回一個標志值 3.文件說明 ngin.c函數文件 ngin0.c主函數文件
上傳時間： 2013-12-23
上傳用戶：大三三
KAlman filter toolbox written by Kevin Murphy, 1998. See http://www.ai.mit.edu/~murphyk/Software/KAlman.html for details. Installation ------------ 1. Install KPMtools from http://www.ai.mit.edu/~murphyk/Software/KPMtools.html 3. Assuming you installed all these files in your matlab directory, In Matlab type addpath matlab/KPMtools addpath matlab/KAlman Demos ----- See tracking_demo.m for a demo of 2D tracking. See learning_demo.m for a demo of parameter estimation using EM. 較早版本的KAlman濾波matlab源碼，適合研讀。
標簽： Software toolbox murphyk written
上傳時間： 2016-05-13
上傳用戶：541657925
//奇異值分解法求廣義逆 //本函數返回值小于0表示在奇異值分解過程, //中迭代值超過了60次還未滿足精度要求. //返回值大于0表示正常返回。 //a-長度為m*n的數組，返回時其對角線依次給出奇異值，其余元素為0 //m-矩陣的行數 //n-矩陣的列數 //aa-長度為n*m的數組，返回式存放A的廣義逆 //eps-精度要求 //u-長度為m*m的數組，返回時存放奇異值分解的左奇異量U //v-長度為n*n的數組，返回時存放奇異值分解的左奇異量V //KA-整型變量，其值為max(n,m)+1 //調用函數：dluav()
上傳時間： 2016-12-15
上傳用戶：康郎
1. 日語假名及其發音一覽 平 片 羅 平 片 羅 平 片 羅 平 片 羅 平 片 羅 假 假 馬 假 假 馬 假 假 馬 假 假 馬 假 假 馬 音 音 音 音 音 ______________________________________________________________________________ あ ア a い イ i う ウ u え エ e お オ o か カ KA き キ ki く ク ku け ケ ke こ コ ko さ サ sa し シ si/shi す ス su せ セ se そ ソ so た タ ta ち チ chi つ ツ tsu て テ te と ト to な ナ na に ニ ni ぬ ヌ nu ね ネ ne の ノ no は ハ ha ひ ヒ hi ふ フ fu へ ヘ he ほ ホ ho ま マ ma み ミ mi む ム mu め メ me も モ mo や ヤ ya ゆ ユ yu よ ヨ yo ら ラ ra り リ ri る ル ru れ レ re ろ ロ ro わ ワ wa を ヲ o/wo ん ン n が ガ ga ぎ ギ gi ぐ グ gu げ ゲ ge ご ゴ go ざ ザ za じ ジ zi/ji ず ズ zu ぜ ゼ ze ぞ ゾ zo だ ダ da ぢ ヂ ji/di づ ヅ zu/du で デ de ど ド do ば バ ba び ビ bi ぶ ブ bu べ ベ be ぼ ボ bo ぱ パ pa ぴ ピ pi ぷ プ pu ぺ ペ pe ぽ ポ po きゃ キャ kya きゅ キュ kyu きょ キョ kyo しゃ シャ sya しゅ シュ syu しょ ショ syo ちゃ チャ cya ちゅ チュ cyu ちょ チョ cyo にゃ ニャ nya にゅ ニュ nyu にょ ニョ nyo ひゃ ヒャ hya ひゅ ヒュ hyu ひょ ヒョ hyo みゃ ミャ mya みゅ ミュ myu みょ ミョ myo りゃ リャ rya りゅ リュ ryu りょ リョ ryo ぎゃ ギャ gya ぎゅ ギュ gyu ぎょ ギョ gyo じゃ ジャ zya/ja じゅ ジュ yu/ju じょ ジョzyo/jo びゃ ビャ bya びゅ ビュ byu びょ ビョ byo ぴゃ ピャ pya ぴゅ ピュ pyu ぴょ ピョ pyo
標簽： 日語
上傳時間： 2019-07-19
上傳用戶：sxc1997
研究了視線環境下毫米波降雨衰減和信號起伏效應，為分析多徑環境對雨衰和雨致信號起伏效應的影響提供了“比較標準”。基于粒子散射吸收理論，簡述了雨衰機理，并通過仿真分析了現有雨哀工程模型的局限性，進而提出了一種修正特征衰減模型參數的方法，基于ITU-R給出的35GHz模型參數對該修正方法進行了驗證：根據隨機介質波傳播理論，研究了雨粒子散射引起的信號起伏效應。基于自主搭建的KA波段信道哀落特性和降雨物理特征測量系統，分別在視線環境和多徑環境下，開展了關于雨哀和雨致信號起伏特性的測量實驗，根據儀器的測量原理，優化了實測雨滴譜的提取方法，并提出了基于實測雨滴譜修正weibul模型參數的方法，建立了適用于西安地區精確的南滴尺寸分布模型，進而結合等效介電常數理論修正了指數雨衰模型參數，比較了視線環境下修正模型的雨哀計算結果與實驗測量結果，以驗證所提出的模型參數修正方法的正確性和可行性。然而，將多徑環境下降雨特征代入修正模型中，其計算和實驗結果表明地形地物多徑環境會“放大”雨衰和信號起伏深度。基于電波傳播理論和等效均勻介質理論，建立了復合環境下的電波傳播模型；在該模型基礎上，推導出了地形地物多徑傳播環境影響下的降雨衰減模型和信號起伏統計特性模型：仿真和討論了在典型地形地物多徑環境下，典型降雨時間序列下的衰減和信號起伏效應，揭示了多徑環境“放大”大氣傳輸效應的機理，并與實驗結果進行了比較，驗證了該模型的有效性。本文研究方法對降雪、沙塵暴等惡劣天氣環境和地形地物多徑傳播環境綜合作用下毫米波傳播特性的研究具有重要的指導意義，同時其研究成果對5G應用場景下亳米被信道建模，以及提高5G毫米波移動通信系統性能具有重要的應用價值。
上傳時間： 2022-06-20
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射頻功率放大器在雷達、無線通信、導航、衛星通訊、電子對抗設備等系統中有著廣泛的應用，是現代無線通信的關鍵設備.與傳統的行被放大器相比，射頻固態功率放大器具有體積小、動態范圍大、功耗低、壽命長等一系列優點；由于射頻功率放大器在軍事和個人通信系統中的地位非常重要，使得功率放大器的研制變得十分重要，因此對該課題的研究具有非常重要的意義.設計射頻集成功率放大器的常見工藝有GaAs，SiGe BiCMOS和CMOS等.GaAs工藝具有較好的射頻特性和輸出功率能力，但其價格昂貴，工藝一致性差；CMOS工藝的功率輸出能力不大，很難應用于高輸出功率的場合；而SiGe BiCMOS工藝的性能介于GaAS和CMOS工藝之間，價格相對低廉并和CMOS電路兼容，非常適合于中功率應用場合.本文介紹了應用與無線局域網和KA波段的射頻集成功率放大器的設計和實現，分別使用了CMOS，SiGe BiCMOS，GaAs三種工藝.（1）由SMIC 0.18um CMOS工藝實現的放大器工作頻率為2.4GHz，采用了兩級共源共柵電路結構，在5V電源電壓下仿真結果為小信號增益22dB左右，1dB壓縮點處輸出功率為20dBm左右且功率附加教率PAE大于15%，最大飽和輸出功率大于24dBm且PAE大于20%，芯片面積為1.4mm*0.96mm；（2）由IBM SPAE 0.35um SiGe BiCMOS工藝實現的功率放大器工作頻率為5.25GHz，分為前置推動級和末級功率級，電源電壓為3.3V，仿真結果為小信號增益28dB左右，1dB壓縮點處輸出功率大于26dBm，功率附加效率大于15%，最大飽和輸出功率為29.5dBm，芯片面積為1.56mm"1.2mm；（3）由WIN 0.15um GaAs工藝實現的功率放大器工作頻率為27-32GHz，使用了三級功率放大器結構，在電源電壓為5V下仿真結果為1dB壓縮點的輸出功率Pras 26dBm，增益在20dB以上，最大飽和輸出功率為29.9dBm且PAE大于25%，芯片面積為2.76mm"1.15mm.論文按照電路設計、仿真、版圖設計、流片和芯片測試的順序詳細介紹了功率放大器芯片的設計過程，對三種工藝實現的功率放大器進行了對比，并通過各自的仿真結果對出現的問題進行了詳盡的分析。
上傳時間： 2022-06-20
上傳用戶：shjgzh
MOSFET和IGBT內部結構不同, 決定了其應用領域的不同.1, 由于MOSFET的結構, 通常它可以做到電流很大, 可以到上KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強。2,IGBT 可以做很大功率, 電流和電壓都可以, 就是一點頻率不是太高, 目前IGBT硬開關速度可以到100KHZ,那已經是不錯了. 不過相對于MOSFET的工作頻率還是九牛一毛,MOSFET可以工作到幾百KHZ,上MHZ,以至幾十MHZ,射頻領域的產品.3, 就其應用, 根據其特點:MOSFET應用于開關電源, 鎮流器, 高頻感應加熱, 高頻逆變焊機, 通信電源等等高頻電源領域;IGBT 集中應用于焊機, 逆變器, 變頻器,電鍍電解電源, 超音頻感應加熱等領域開關電源 (Switch Mode Power Supply ；SMPS) 的性能在很大程度上依賴于功率半導體器件的選擇，即開關管和整流器。雖然沒有萬全的方案來解決選擇IGBT還是MOSFET的問題，但針對特定SMPS應用中的IGBT 和 MOSFET進行性能比較，確定關鍵參數的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對一些參數進行探討，如硬開關和軟開關ZVS ( 零電壓轉換) 拓撲中的開關損耗，并對電路和器件特性相關的三個主要功率開關損耗—導通損耗、傳導損耗和關斷損耗進行描述。此外，還通過舉例說明二極管的恢復特性是決定MOSFET或 IGBT 導通開關損耗的主要因素， 討論二極管恢復性能對于硬開關拓撲的影響。導通損耗除了IGBT的電壓下降時間較長外， IGBT和功率MOSFET的導通特性十分類似。由基本的IGBT等效電路（見圖1）可看出，完全調節PNP BJT集電極基極區的少數載流子所需的時間導致了導通電壓拖尾（ voltage tail ）出現。
上傳時間： 2022-06-21
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第一章設計任務書一、設計題目：乒乓球比賽游戲機二、設計要求：1.設計一個甲、乙雙方參賽，裁判參與的乒乓球比賽游戲模擬機。2.用8個發光二極管排成一條直線，以中點為界，兩邊各代表參賽雙方的位置，其中點亮的發光二極管代表“乒乓球”的當前位置，點亮的發光二極管依次由左向右或由右向左移動。3.當球運動到某方的最后一位時，參賽者應立即按下自己一方的按鈕，即表示擊球，若擊中，則“球”向相反方向運動，若未擊中，則對方得1分。4.設置自動計分電路，雙方各用二位數碼管來顯示計分，每局10分。到達10分時產生報警信號。如上圖1所示，該電路主要由球臺驅動電路，控制電路，計數器，顯示譯碼器和LED數碼管等組成。圖中標出的各種信號的含義：CP表示球臺驅動電路和計數器的時鐘信號：S表示燈（乒乓球）移動的信號；L表示發光二極管驅動信號，由L1-L8組成；CNT表示計數器的計數脈沖信號，由CNTI，CNT2組||成；KA.KB表示開關控制的外輸入發球、擊球信號。二、總體思路描述如下：1.用兩個74LS194四位雙向移位寄存器模擬兵乓球臺，其中第一個74LS194的DL輸出端接第二個的|右移串行輸入端，這樣當兵乓球往右準備移出第一個寄存器的時候就會在時鐘脈沖的作用下被移入第二個寄存器。同樣道理，第二個74L5194的AR輸出端接第一個的左移串行輸入端。2.用D觸發器及邏輯門電路構成驅動控制電路3.用計數器、邏輯門電路和集成的4管腳的數碼管組成計分電路
上傳時間： 2022-07-02
上傳用戶：shjgzh
資源包含以下內容：1.GBT2423.07-1995 電工電子產品環境試驗第2部分 試驗方法試驗ec和導則傾跌與翻倒(主要用于設備型樣品).pdf2.GBT2423.08-1995 電工電子產品環境試驗第2部分 試驗方法試驗ed自由跌落.pdf3.GBT2423.09-2001 電工電子產品環境試驗第2部分 試驗方法試驗cb設備用恒定濕熱.pdf4.GBT2423.10-1995 電工電子產品環境試驗第2部分 試驗方法試驗fc和導則振動(正弦).pdf5.GBT2423.11-1997 電工電子產品環境試驗第2部分 試驗方法試驗fd寬頻帶隨機振動--一般要求 .pdf6.GBT2423.12-1997 電工電子產品環境試驗第2部分 試驗方法試驗fda寬頻帶隨機振動--高再現性.pdf7.GBT2423.13-1997 電工電子產品環境試驗第2部分 試驗方法試驗fdb寬頻帶隨機振動中再現性.pdf8.GBT2423.14-1997 電工電子產品環境試驗第2部分 試驗方法試驗fdc寬頻帶隨機振動低再現性.pdf9.GBT2423.15-1995 電工電子產品環境試驗第2部分 試驗方法試驗ga和導則穩態加速度.pdf10.GBT2423.16-1999 電工電子產品環境試驗第2部分 試驗方法試驗j和導則長霉.pdf11.GBT2423.17-1993 電工電子產品基本環境試驗規程試驗KA 鹽霧試驗方法.pdf12.GBT2423.18-2000 電工電子產品環境試驗第二部分 試驗--試驗kb 鹽霧,交變(氯化鈉溶液).pdf13.GBT2423.19-1981 電工電子產品基本環境試驗規程試驗kc 接觸點和連接件的二氧化硫試驗方法.pdf14.GBT2423.20-1981 電工電子產品基本環境試驗規程試驗kd 接觸點和連接件的硫化氫試驗方法.pdf15.GBT2423.21-1991 電工電子產品基本環境試驗規程試驗m 低氣壓試驗方法.pdf16.GBT2423.22-2002 電工電子產品環境試驗第2部分試驗方法試驗n 溫度變化.pdf17.GBT2423.23-1995 電工電子產品環境試驗試驗q 密封.pdf18.GBT2423.24-1995 電工電子產品環境試驗第二部分 試驗方法試驗sa 模擬地面上的太陽輻射.pdf19.GBT2423.25-1992 電工電子產品基本環境試驗規程試驗zam 低溫低氣壓綜合試驗.pdf20.GBT2423.26-1992 電工電子產品基本環境試驗規程試驗zbm 高溫低氣壓綜合試驗.pdf21.GBT2423.27-1981 電工電子產品基本環境試驗規程試驗zamd 低溫低氣壓濕熱連續綜合試驗方法.pdf22.GBT2423.28-1982 電工電子產品基本環境試驗規程試驗t 錫焊試驗方法.pdf23.GBT2423.29-1999 電工電子產品環境試驗第2部分試驗方法試驗u 引出端及整體安裝件強度.pdf24.GBT2423.30-1999 電工電子產品環境試驗第2部分試驗方法試驗xa 和導則在清洗劑中浸漬.pdf25.GBT2423.31-1985 電工電子產品基本環境試驗規程傾斜和搖擺試驗方法.pdf26.GBT2423.32-1985 電工電子產品基本環境試驗規程潤濕稱量法可焊性試驗方法.pdf27.GBT2423.33-1989 電工電子產品基本環境試驗規程試驗kca 高濃度二氧化硫試驗方法.pdf28.GBT2423.34-1986 電工電子產品基本環境試驗規程試驗zad 溫度濕度組合循環試驗方法.pdf29.GBT2423.35-1986 電工電子產品基本環境試驗規程試驗zafc 散熱和非散熱試驗樣品的低溫振動(正弦)綜合試驗方法.pdf30.GBT2423.36-1986 電工電子產品基本環境試驗規程試驗zbfc 散熱和非散熱樣品的高溫振動(正弦)綜合試驗方法.pdf31.GBT2423.37-1989 電工電子產品基本環境試驗規程試驗l砂塵試驗方法.pdf32.GBT2423.38-1990 電工電子產品基本環境試驗規程試驗r 水試驗方法.pdf33.GBT2423.39-1990 電工電子產品基本環境試驗規程試驗ee 彈跳試驗方法.pdf34.GBT2423.40-1997 電工電子產品環境試驗第2部分試驗方法試驗cx 未飽和高壓蒸汽恒定濕熱.pdf35.GBT2423.41-1994 電工電子產品基本環境試驗規程風壓試驗方法.pdf36.GBT2423.42-1995 工電子產品環境試驗低溫低氣壓振動(正弦)綜合試驗方法.pdf37.GBT2423.43-1995 電工電子產品環境試驗第二部分 試驗方法元件、設備和其他產品在沖擊,碰撞,振動,和穩態加速度,等動力學試驗中的安裝要求和導則.pdf38.GBT2423.44-1995 電工電子產品環境試驗第二部分 試驗方法試驗eg 撞擊彈簧錘.pdf39.GBT2423.45-1997 電工電子產品環境試驗第2部分：試驗方法試驗zabdm：氣候順序.pdf40.GBT2423.46-1997 電工電子產品環境試驗第2部分：試驗方法試驗ef：撞擊擺錘.pdf41.GBT2423.47-1997 電工電子產品環境試驗第2部分 試驗方法試驗fg 聲振.pdf42.GBT2423.48-1997 電工電子產品環境試驗第2部分 試驗方法試驗ff 振動--時間歷程法.pdf43.GBT2423.49-1997 電工電子產品環境試驗第2部分 試驗方法試驗fe 振動--正弦拍頻法.pdf44.GBT2423.50-1999 電工電子產品環境試驗第2部分 試驗方法試驗cy 恒定濕熱主要用于元件的加速試驗.pdf45.GBT2423.51-2000 電工電子產品環境試驗第2部分 試驗方法試驗ke 流動混合氣體腐蝕試驗.pdf46.電子產品老化相關標準資料
標簽： 網站
上傳時間： 2013-04-15
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