PCB 被動(dòng)組件的隱藏特性解析 傳統(tǒng)上，EMC一直被視為「黑色魔術(shù)（black magic）」。其實(shí)，EMC是可以藉由數(shù)學(xué)公式來理解的。不過，縱使有數(shù)學(xué)分析方法可以利用，但那些數(shù)學(xué)方程式對(duì)實(shí)際的EMC電路設(shè)計(jì)而言，仍然太過復(fù)雜了。幸運(yùn)的是，在大多數(shù)的實(shí)務(wù)工作中，工程師并不需要完全理解那些復(fù)雜的數(shù)學(xué)公式和存在于EMC規(guī)范中的學(xué)理依據(jù)，只要藉由簡(jiǎn)單的數(shù)學(xué)模型，就能夠明白要如何達(dá)到EMC的要求。本文藉由簡(jiǎn)單的數(shù)學(xué)公式和電磁理論，來說明在印刷電路板（PCB）上被動(dòng)組件（passivecomponent）的隱藏行為和特性，這些都是工程師想讓所設(shè)計(jì)的電子產(chǎn)品通過EMC標(biāo)準(zhǔn)時(shí)，事先所必須具備的基本知識(shí)。導(dǎo)線和PCB走線導(dǎo)線（wire）、走線（trace）、固定架……等看似不起眼的組件，卻經(jīng)常成為射頻能量的最佳發(fā)射器（亦即，EMI的來源）。每一種組件都具有電感，這包含硅芯片的焊線（bond wire）、以及電阻、電容、電感的接腳。每根導(dǎo)線或走線都包含有隱藏的寄生電容和電感。這些寄生性組件會(huì)影響導(dǎo)線的阻抗大小，而且對(duì)頻率很敏感。依據(jù)LC 的值（決定自共振頻率）和PCB走線的長(zhǎng)度，在某組件和PCB走線之間，可以產(chǎn)生自共振（self-resonance），因此，形成一根有效率的輻射天線。在低頻時(shí)，導(dǎo)線大致上只具有電阻的特性。但在高頻時(shí)，導(dǎo)線就具有電感的特性。因?yàn)樽兂筛哳l后，會(huì)造成阻抗大小的變化，進(jìn)而改變導(dǎo)線或PCB 走線與接地之間的EMC 設(shè)計(jì)，這時(shí)必需使用接地面（ground plane）和接地網(wǎng)格（ground grid）。導(dǎo)線和PCB 走線的最主要差別只在于，導(dǎo)線是圓形的，走線是長(zhǎng)方形的。導(dǎo)線或走線的阻抗包含電阻R和感抗XL = 2πfL，在高頻時(shí)，此阻抗定義為Z = R + j XL j2πfL，沒有容抗Xc = 1/2πfC存在。頻率高于100 kHz以上時(shí)，感抗大于電阻，此時(shí)導(dǎo)線或走線不再是低電阻的連接線，而是電感。一般而言，在音頻以上工作的導(dǎo)線或走線應(yīng)該視為電感，不能再看成電阻，而且可以是射頻天線。
標(biāo)簽： PCB 被動(dòng)組件
上傳時(shí)間： 2013-10-09
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PCB LAYOUT 基本規(guī)範(fàn)項(xiàng)次 項(xiàng)目 備註1 一般PCB 過板方向定義： PCB 在SMT 生產(chǎn)方向?yàn)槎踢呥^迴焊爐(Reflow), PCB 長(zhǎng)邊為SMT 輸送帶夾持邊. PCB 在DIP 生產(chǎn)方向?yàn)镮/O Port 朝前過波焊爐(Wave Solder), PCB 與I/O 垂直的兩邊為DIP 輸送帶夾持邊.1.1 金手指過板方向定義： SMT: 金手指邊與SMT 輸送帶夾持邊垂直. DIP: 金手指邊與DIP 輸送帶夾持邊一致.2 SMD 零件文字框外緣距SMT 輸送帶夾持邊L1 需≧150 mil. SMD 及DIP 零件文字框外緣距板邊L2 需≧100 mil.3 PCB I/O port 板邊的螺絲孔(精靈孔)PAD 至PCB 板邊, 不得有SMD 或DIP 零件(如右圖黃色區(qū)).PAD
上傳時(shí)間： 2014-12-24
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半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當(dāng)引發(fā)過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負(fù)極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過正向電流時(shí)，晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。 半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱為IC封裝製程，又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。
上傳時(shí)間： 2014-01-20
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大型 TFT-LCD 的功率需求量之大似乎永遠(yuǎn)得不到滿足。電源必須滿足晶體管數(shù)目不斷增加和顯示器分辨率日益攀升的要求，並且還不能占用太大的板級(jí)空間。
標(biāo)簽： TFT-LCD 輸出穩(wěn)壓器 大型 顯示器
上傳時(shí)間： 2014-12-24
上傳用戶：watch100
在靜電傳感器測(cè)量氣/固兩相流參數(shù)的基礎(chǔ)上，以J.B.Gajewski教授的成果為基礎(chǔ)，對(duì)電容的計(jì)算進(jìn)行了研究。將靜電傳感器電極與屏蔽罩間的電容cp看作圓柱型電容，對(duì)其建立的靜電傳感器數(shù)學(xué)模型中的感應(yīng)電極與屏蔽罩間電容值進(jìn)行探討，并得到了這個(gè)電容的計(jì)算式。
上傳時(shí)間： 2014-12-24
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在高性能交-直-交變頻調(diào)速傳動(dòng)系統(tǒng)中，PWM 逆變器作為四象限變流器（4QC）的典型負(fù)載，其直流側(cè)的靜、動(dòng)態(tài)行為對(duì)于4QC 的建模、控制方法及靜動(dòng)態(tài)性能研究和系統(tǒng)設(shè)計(jì)都具有重要作用。通過研究逆變器與4QC 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的統(tǒng)一性，將4QC 的狀態(tài)空間平均（SSA）模型經(jīng)過移植得到逆變器的SSA 模型，進(jìn)而提出四象限變流器的負(fù)載等效模型和近似簡(jiǎn)化等效模型；通過理論分析和仿真研究揭示四象限變流器的負(fù)載等效模型與逆變器及交流側(cè)電路參數(shù)之間的定量關(guān)系，并給出等效模型的參數(shù)設(shè)計(jì)公式。仿真與實(shí)驗(yàn)研究結(jié)果證明了所建模型及理論分析的有效性。
標(biāo)簽： 四象限變流器 負(fù)載 等效 模型研究
上傳時(shí)間： 2013-11-07
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K10的GPIO庫(kù)函數(shù)之實(shí)現(xiàn)LED燈亮滅 T17D0 000:565 SEGGER J-Link V4.40c Log File (0001ms, 0563ms total)
標(biāo)簽： GPIO K10 LED 庫(kù)函數(shù)
上傳時(shí)間： 2013-10-08
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HCS08HCS12系列單片機(jī) 飛思卡爾公司的 HCS08/HCS12 系列 MCU，因其速度快、功能強(qiáng)、功耗小、價(jià) 格低等特點(diǎn)，在業(yè)界得到了廣泛的應(yīng)用。 在 HCS08/HCS12 系列 MCU 中，飛思卡爾引入了新的片上調(diào)試技術(shù)——BDM。 這種調(diào)試技術(shù)由于其優(yōu)越的性能而逐漸被業(yè)界接受，成為廣泛使用的MCU在線編程 調(diào)試方法。針對(duì) BDM 技術(shù)，國(guó)外公司提供了功能強(qiáng)大的編程調(diào)試器，但價(jià)格高昂， 難以被國(guó)內(nèi)廣大用戶接受；國(guó)內(nèi)一些高校也進(jìn)行了相關(guān)研究開發(fā)，但是研發(fā)的編程調(diào) 試器大多存在以下三個(gè)問題：一是隨著飛思卡爾MCU總線頻率的不斷提高，這些編 程調(diào)試器已經(jīng)不能適應(yīng)與高頻率MCU的通信的要求；二是無法與飛思卡爾的集成開 發(fā)環(huán)境 CodeWarrior 兼容，使用很不方便；三是由于采用 USB1.1 協(xié)議，導(dǎo)致整體通 信速度很慢。 本文對(duì)國(guó)內(nèi)外已有的HCS08/HCS12 編程調(diào)試器進(jìn)行了深入的技術(shù)分析，綜合目 前微控制器的最新發(fā)展技術(shù)，提出了采用USB2.0 通信接口的編程調(diào)試器硬件及底層 驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì)方案，實(shí)現(xiàn)了一種新型高效的適用于飛思卡爾 HCS08/HCS12 系列 MCU 的 USBDM（Universal BDM，通用 BDM編程調(diào)試器)，有效地解決了國(guó)內(nèi)編程調(diào)試 器普遍存在的頻率瓶頸及通信速度。同時(shí)，本文在研究CodeWarrior的通信接口規(guī)范 的基礎(chǔ)上，剖析了CodeWarrior中通信接口函數(shù)的功能，實(shí)現(xiàn)了作者編程調(diào)試器體系 中的通信函數(shù)，使之適用于 CodeWarrior 開發(fā)環(huán)境。USBDM 編程調(diào)試器通信函數(shù)動(dòng) 態(tài)鏈接庫(kù)的設(shè)計(jì)，不僅便于使用編程調(diào)試器進(jìn)行二次開發(fā)，也方便了驅(qū)動(dòng)程序的更新。
上傳時(shí)間： 2013-10-28
上傳用戶：youke111
在冶金、化工，機(jī)械等各類工業(yè)控制中，電加熱爐都得到了廣泛的應(yīng)用。目前國(guó)內(nèi)的電加熱爐溫度控制器大多還停留在國(guó)際60年代水平，仍在使用繼電一接觸器控制或常規(guī)PID控制，自動(dòng)化程度低，動(dòng)態(tài)控制精度差，滿足不了日益發(fā)展的工藝技術(shù)要求。電加熱爐的溫度是生產(chǎn)工藝的一項(xiàng)重要指標(biāo)，溫度控制的好壞將直接影響產(chǎn)品的質(zhì)量。電加熱爐由電阻絲加熱，溫度控制具有非線性、大滯后、大慣性、時(shí)變性、升溫尊向性等特點(diǎn)。而且，在實(shí)際應(yīng)用和研究中，電加熱爐溫度控制遇到了很多困難：第一，很難建立精確的數(shù)學(xué)模型：第二，不能很好地解決非線性、大滯后等問題。以精確數(shù)學(xué)模型為基礎(chǔ)地經(jīng)典控制理論和現(xiàn)代控制論在解決這些問題時(shí)遇到了極大地困難，而以語言規(guī)則模型(IF—THEN)為基礎(chǔ)的模糊控制理論卻是解決上述問題的有效途徑和方法。國(guó)內(nèi)現(xiàn)有的一些模糊設(shè)計(jì)方法大多存在不同缺點(diǎn)，而且真正把理論研究應(yīng)用到實(shí)際系統(tǒng)的也較少。所以，深入研究在電加熱爐系統(tǒng)控制中具體模糊控制設(shè)計(jì)理論是十分必要的。本文針對(duì)電加熱爐這一控制對(duì)象，以Ts．94—1型號(hào)的箱形電加熱爐為參考對(duì)象，分別采用工業(yè)控制中普遍使用的PID控制、經(jīng)常見到的模糊控制策略，如基本模糊控制，對(duì)其進(jìn)行仿真實(shí)驗(yàn)，比較，并進(jìn)行了理論分析。針對(duì)上述電加熱爐控制中存在的問題，本文設(shè)計(jì)了雙模糊控制器。雙模糊控制器在參數(shù)自整定模糊控制理論的基礎(chǔ)上，對(duì)比例因子進(jìn)行調(diào)整，克服原算法復(fù)雜麗不實(shí)用的特點(diǎn)，根據(jù)電加熱爐不同的工作狀態(tài)采用不同的模糊控制器，提高了控制精度，改善了控制效果。本文把模糊控制與神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)技術(shù)相結(jié)合，利用神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)很強(qiáng)的學(xué)習(xí)能力和自適應(yīng)能力，建立了自適應(yīng)神經(jīng)模糊推理系統(tǒng)。把不依賴精確數(shù)學(xué)模型的模糊控制系統(tǒng)與有價(jià)值的經(jīng)驗(yàn)數(shù)據(jù)或參考模型相結(jié)合，彌補(bǔ)了模糊控制的不足，使模糊控制系統(tǒng)更能發(fā)揮其強(qiáng)大優(yōu)勢(shì)，控制效果理想。在實(shí)踐應(yīng)用方面，以電加熱爐為控制對(duì)象，開發(fā)了89C51單片機(jī)模糊控制器，主要進(jìn)行了硬件和軟件的設(shè)計(jì)。
標(biāo)簽： 單片機(jī) 中的應(yīng)用 模糊控制 電加熱爐
上傳時(shí)間： 2013-10-28
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目 錄調(diào)試用的系統(tǒng)任務(wù)常用編譯預(yù)處理語句
上傳時(shí)間： 2013-10-18
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