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DL T486-2010 高壓交流隔離開(kāi)(kāi)關(guān)(guān)和接地開(kāi)(kāi)關(guān)(guān)

  • 應(yīng)用電工學(xué)

    電子工業(yè)出版社,應(yīng)用電工學(xué),林慶云主編,中專教材。本書(shū)內(nèi)容有:電工學(xué)(直流電路、磁與電磁、正弦交流電路、三相交流電路、變壓器與電動(dòng)機(jī)、低壓電器和基本控制電路、供電和用電基本知識(shí)),電子學(xué)(半導(dǎo)體元件、交流放大器、直流放大器與運(yùn)算放大器、正弦波振蕩電路、數(shù)字電路的基礎(chǔ)知識(shí)、時(shí)序邏輯電路與組合邏輯電路、整流電路)。

    標(biāo)簽: 應(yīng)用電

    上傳時(shí)間: 2013-04-24

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  • HEAAC音頻解碼器FPGA原型芯片設(shè)計(jì)

    HE-AAC是一種保證在高音質(zhì)情況下壓縮率很高的音頻編碼,它具有多聲道、多采樣率、高壓縮比、高音質(zhì)等特點(diǎn),可以比AAC的編碼效率提高至少30%,在48 Kb/s的碼率下就可提供高品質(zhì)立體聲音頻,已被全球數(shù)字廣播協(xié)會(huì)和3GPP組織采納...

    標(biāo)簽: HEAAC FPGA 音頻解碼器 原型

    上傳時(shí)間: 2013-04-24

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  • 基于巴氏距離和LPP相結(jié)合的人臉識(shí)別

    局部保持映射(Locality Preserving Projection,LPP)算法是一種有效的特征提取方法。提出了利用巴氏距離和LPP相合算法對(duì)特征進(jìn)行提取。當(dāng)特征維數(shù)過(guò)高時(shí),首先對(duì)樣本用LPP進(jìn)行特征提取和降維處理,然后采用巴氏距離特征的迭代算法,得到最小錯(cuò)誤率上界。在ORL上實(shí)驗(yàn),實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明了提出算法在人臉識(shí)別中的有效性。

    標(biāo)簽: LPP 人臉識(shí)別

    上傳時(shí)間: 2014-01-25

    上傳用戶:shus521

  • 高等模擬集成電路

    近年來(lái),隨著集成電路工藝技術(shù)的進(jìn)步,電子系統(tǒng)的構(gòu)成發(fā)生了兩個(gè)重要的變化: 一個(gè)是數(shù)字信號(hào)處理和數(shù)字電路成為系統(tǒng)的核心,一個(gè)是整個(gè)電子系統(tǒng)可以集成在一個(gè)芯片上(稱為片上系統(tǒng))。這些變化改變了模擬電路在電子系統(tǒng)中的作用,并且影響著模擬集成電路的發(fā)展。 數(shù)字電路不僅具有遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)模擬電路的集成規(guī)模,而且具有可編程、靈活、易于附加功能、設(shè)計(jì)周期短、對(duì)噪聲和制造工藝誤差的抗擾性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),因而大多數(shù)復(fù)雜系統(tǒng)以數(shù)字信號(hào)處理和數(shù)字電路為核心已成為必然的趨勢(shì)。雖然如此,模擬電路仍然是電子系統(tǒng)中非常重要的組成部分。這是因?yàn)槲覀兘佑|到的外部世界的物理量主要都是模擬量,比如圖像、聲音、壓力、溫度、濕度、重量等,要將它們變換為數(shù)字信號(hào),需要模擬信號(hào)處理和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路,如果這些電路性能不夠高,將會(huì)影響整個(gè)系統(tǒng)的性能。其次,系統(tǒng)中的許多功能不可能或很難用數(shù)字電路完成,如微弱信號(hào)放大,很高頻率和寬頻帶信號(hào)的實(shí)時(shí)處理等。因此,雖然模擬電路在系統(tǒng)中不再是核心,但作為固有的模擬世界與數(shù)字系統(tǒng)的接口,其地位和作用仍然十分重要。 片上系統(tǒng)要求將數(shù)字電路和模擬電路集成在一個(gè)芯片上,這希望模擬電路使用與數(shù)字電路相同的制造工藝。隨著MOS器件的線寬不斷減小,使MOS器件的性能不斷提高,MOS數(shù)字電路成為數(shù)字集成電路的主流,并因此促進(jìn)了MOS模擬集成電路的迅速發(fā)展。為了適應(yīng)電子系統(tǒng)功能的不斷擴(kuò)展和性能的不斷提高,對(duì)模擬電路在降低電源電壓、提高工作頻率、擴(kuò)大線性工作范圍和提高性能指標(biāo)的精度和穩(wěn)定度等方面提出更高要求,促進(jìn)了新電路技術(shù)的發(fā)展。 作為研究生課程的教材,本書(shū)內(nèi)容是在本科相關(guān)課程基礎(chǔ)上的深化和擴(kuò)展,同時(shí)涉及實(shí)際設(shè)計(jì)中需要考慮的一些問(wèn)題,重點(diǎn)介紹具有高工作頻率、低電源電壓和高工作穩(wěn)定性的新電路技術(shù)和在電子系統(tǒng)中占有重要地位的功能電路及其中的新技術(shù)。全書(shū)共7章,大致可分為三個(gè)部分。第一部分包括第1章和第7章。第1章為MOS模擬集成電路基礎(chǔ),比較全面地介紹MOS器件的工作原理和特性以及由MOS器件構(gòu)成的基本單元電路,為學(xué)習(xí)本教材其他內(nèi)容提供必要的知識(shí)。由于版圖設(shè)計(jì)與工藝參數(shù)對(duì)模擬集成電路性能的影響很大,因此第7章簡(jiǎn)單介紹制造MOS模擬集成電路的CMOS工藝過(guò)程和版圖設(shè)計(jì)技術(shù),讀者可以通過(guò)對(duì)該章所介紹的相關(guān)背景知識(shí)的了解,更深入地理解MOS器件和電路的特性,有助于更好地完成模擬集成電路的可實(shí)現(xiàn)性設(shè)計(jì)。第二部分為新電路技術(shù),由第2章、第3章和第5章的部分組成,包括近年來(lái)逐步獲得廣泛應(yīng)用的電流模電路、抽樣數(shù)據(jù)電路和對(duì)數(shù)域電路,它們?cè)谔岣吖ぷ黝l率、降低電源電壓、擴(kuò)大線性工作范圍和提高性能指標(biāo)的精度和穩(wěn)定度方面具有明顯的潛力,同時(shí)它們也引入了一些模擬電路的新概念。這些內(nèi)容有助于讀者開(kāi)拓提高電路性能方面的思路。第2章介紹電流模電路的工作原理、特點(diǎn)和典型電路。與傳統(tǒng)的以電壓作為信號(hào)載體的電路不同,這是一種以電流作為信號(hào)載體的電路,雖然在電路中電壓和電流總是共同存在并相互作用的,但由于信號(hào)載體不同,不僅電路性能不同而且電路結(jié)構(gòu)也不同。第3章介紹抽樣數(shù)據(jù)電路的特點(diǎn)和開(kāi)關(guān)電容與開(kāi)關(guān)電流電路的工作原理、分析方法與典型電路。抽樣數(shù)據(jù)電路類似于數(shù)字電路,處理的是時(shí)間離散信號(hào),又類似于模擬電路,處理的是幅度連續(xù)信號(hào),它比模擬電路具有穩(wěn)定準(zhǔn)確的時(shí)間常數(shù),解決了模擬電路實(shí)際應(yīng)用中的一大障礙。對(duì)數(shù)域電路在第5章中結(jié)合其在濾波器中的應(yīng)用介紹,這類電路除具有良好的電性能外,還提出了一種利用器件的非線性特性實(shí)現(xiàn)線性電路的新思路。第三部分介紹幾個(gè)模擬電路的功能模塊,它們是電子系統(tǒng)中的關(guān)鍵組成部分,并且與信號(hào)和信號(hào)處理聯(lián)系密切,有助于在信號(hào)和電路間形成整體觀念。這部分包括第4章至第6章。第4章介紹數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路的技術(shù)指標(biāo)和高精度與高速度轉(zhuǎn)換電路的構(gòu)成、工作原理、特點(diǎn)和典型電路。第5章介紹模擬集成濾波器的設(shè)計(jì)方法和主要類型,包括連續(xù)時(shí)間濾波器、對(duì)數(shù)域?yàn)V波器和抽樣數(shù)據(jù)濾波器。第6章介紹通信系統(tǒng)中的收發(fā)器與射頻前端電路,包括收信器、發(fā)信器的技術(shù)指標(biāo)、結(jié)構(gòu)和典型電路。因?yàn)檩d波通信系統(tǒng)傳輸?shù)氖悄M信號(hào),射頻前端電路的性能對(duì)整個(gè)通信系統(tǒng)有直接的影響,所以射頻集成電路已成為重要的研究課題。 〖〗高等模擬集成電路〖〗〖〗前言〖〗〖〗本書(shū)是在為研究生開(kāi)設(shè)的“高等模擬集成電路”課程講義的基礎(chǔ)上整理而成,由董在望主編,第1、4、7章由李冬梅編寫(xiě),第6章由王志華編寫(xiě),第5章由李永明和董在望編寫(xiě),第2、3章由董在望編寫(xiě),李國(guó)林參加了部分章節(jié)的校核工作。 本書(shū)可作為信息與通信工程和電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)科相關(guān)課程的研究生教材或教學(xué)參考書(shū),也可作為本科教學(xué)參考書(shū)或選修課教材和供相關(guān)專業(yè)的工程技術(shù)人員參考。 清華大學(xué)出版社多位編輯為本書(shū)的出版做了卓有成效的工作,深致謝意。 限于編者水平,難免有錯(cuò)誤和疏漏之處,歡迎批評(píng)指正。 目錄 1.1MOS器件基礎(chǔ)及器件模型 1.1.1結(jié)構(gòu)及工作原理 1.1.2襯底調(diào)制效應(yīng) 1.1.3小信號(hào)模型 1.1.4亞閾區(qū)效應(yīng) 1.1.5短溝效應(yīng) 1.1.6SPICE模型 1.2基本放大電路 1.2.1共源(CS)放大電路 1.2.2共漏(CD)放大電路 1.2.3共柵(CG)放大電路 1.2.4共源共柵(CSCG)放大電路 1.2.5差分放大電路 1.3電流源電路 1.3.1二極管連接的MOS器件 1.3.2基本鏡像電流源 1.3.3威爾遜電流源 1.3.4共源共柵電流源 1.3.5有源負(fù)載放大電路 1.4運(yùn)算放大器 1.4.1運(yùn)算放大器的主要參數(shù) 1.4.2單級(jí)運(yùn)算放大器 1.4.3兩級(jí)運(yùn)算放大器 1.4.4共模反饋(CMFB) 1.4.5運(yùn)算放大器的頻率補(bǔ)償 1.5模擬開(kāi)關(guān) 1.5.1導(dǎo)通電阻 1.5.2電荷注入與時(shí)鐘饋通 1.6帶隙基準(zhǔn)電壓源 1.6.1工作原理 1.6.2與CMOS工藝兼容的帶隙基準(zhǔn)電壓源 思考題 2電流模電路 2.1概述 2.1.1電流模電路的概念 2.1.2電流模電路的特點(diǎn) 2.2基本電流模電路 2.2.1電流鏡電路 2.2.2電流放大器 2.2.3電流模積分器 2.3電流模功能電路 2.3.1跨導(dǎo)線性電路 2.3.2電流傳輸器 2.4從電壓模電路變換到電流模電路 2.5電流模電路中的非理想效應(yīng) 2.5.1MOSFET之間的失配 2.5.2寄生電容對(duì)頻率特性的影響 思考題 3抽樣數(shù)據(jù)電路 3.1開(kāi)關(guān)電容電路和開(kāi)關(guān)電流電路的基本分析方法 3.1.1開(kāi)關(guān)電容電路的時(shí)域分析 3.1.2開(kāi)關(guān)電流電路的時(shí)域分析 3.1.3抽樣數(shù)據(jù)電路的頻域分析 3.2開(kāi)關(guān)電容電路 3.2.1開(kāi)關(guān)電容單元電路 3.2.2開(kāi)關(guān)電容電路的特點(diǎn) 3.2.3非理想因素的影響 3.3開(kāi)關(guān)電流電路 3.3.1開(kāi)關(guān)電流單元電路 3.3.2開(kāi)關(guān)電流電路的特點(diǎn) 3.3.3非理想因素的影響 思考題 4A/D轉(zhuǎn)換器與D/A轉(zhuǎn)換器 4.1概述 4.1.1電子系統(tǒng)中的A/D與D/A轉(zhuǎn)換 4.1.2A/D與D/A轉(zhuǎn)換器的基本原理 4.1.3A/D與D/A轉(zhuǎn)換器的性能指標(biāo) 4.1.4A/D與D/A轉(zhuǎn)換器的分類 4.1.5A/D與D/A轉(zhuǎn)換器中常用的數(shù)碼類型 4.2高速A/D轉(zhuǎn)換器 4.2.1全并行結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器 4.2.2兩步結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器 4.2.3插值與折疊結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器 4.2.4流水線結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器 4.2.5交織結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器 4.3高精度A/D轉(zhuǎn)換器 4.3.1逐次逼近型A/D轉(zhuǎn)換器 4.3.2雙斜率積分型A/D轉(zhuǎn)換器 4.3.3過(guò)采樣ΣΔA/D轉(zhuǎn)換器 4.4D/A轉(zhuǎn)換器 4.4.1電阻型D/A轉(zhuǎn)換器 4.4.2電流型D/A轉(zhuǎn)換器 4.4.3電容型D/A轉(zhuǎn)換器 思考題 5集成濾波器 5.1引言 5.1.1濾波器的數(shù)學(xué)描述 5.1.2濾波器的頻率特性 5.1.3濾波器設(shè)計(jì)的逼近方法 5.2連續(xù)時(shí)間濾波器 5.2.1連續(xù)時(shí)間濾波器的設(shè)計(jì)方法 5.2.2跨導(dǎo)電容(GmC)連續(xù)時(shí)間濾波器 5.2.3連續(xù)時(shí)間濾波器的片上自動(dòng)調(diào)節(jié)電路 5.3對(duì)數(shù)域?yàn)V波器 5.3.1對(duì)數(shù)域電路概念及其特點(diǎn) 5.3.2對(duì)數(shù)域電路基本單元 5.3.3對(duì)數(shù)域?yàn)V波器 5.4抽樣數(shù)據(jù)濾波器 5.4.1設(shè)計(jì)方法 5.4.2SZ域映射 5.4.3開(kāi)關(guān)電容電路轉(zhuǎn)換為開(kāi)關(guān)電流電路的方法 思考題 6收發(fā)器與射頻前端電路 6.1通信系統(tǒng)中的射頻收發(fā)器 6.2集成收信器 6.2.1外差式接收與鏡像信號(hào) 6.2.2復(fù)數(shù)信號(hào)處理 6.2.3收信器前端結(jié)構(gòu) 6.3集成發(fā)信器 6.3.1上變換器 6.3.2發(fā)信器結(jié)構(gòu) 6.4收發(fā)器的技術(shù)指標(biāo) 6.4.1噪聲性能 6.4.2靈敏度 6.4.3失真特性與線性度 6.4.4動(dòng)態(tài)范圍 6.5射頻電路設(shè)計(jì) 6.5.1晶體管模型與參數(shù) 6.5.2噪聲 6.5.3集成無(wú)源器件 6.5.4低噪聲放大器 6.5.5混頻器 6.5.6頻率綜合器 6.5.7功率放大器 思考題 7CMOS集成電路制造工藝及版圖設(shè)計(jì) 7.1集成電路制造工藝簡(jiǎn)介 7.1.1單晶生長(zhǎng)與襯底制備 7.1.2光刻 7.1.3氧化 7.1.4擴(kuò)散及離子注入 7.1.5化學(xué)氣相淀積(CVD) 7.1.6接觸與互連 7.2CMOS工藝流程與集成電路中的元件 7.2.1硅柵CMOS工藝流程 7.2.2CMOS集成電路中的無(wú)源元件 7.2.3CMOS集成電路中的寄生效應(yīng) 7.3版圖設(shè)計(jì) 7.3.1硅柵CMOS集成電路的版圖構(gòu)成 7.3.2版圖設(shè)計(jì)規(guī)則 7.3.3CMOS版圖設(shè)計(jì)技術(shù) 思考題

    標(biāo)簽: 模擬集成電路

    上傳時(shí)間: 2013-11-13

    上傳用戶:chengxin

  • 4-AL-DR低壓電阻成套裝置

    AL-DR系列低壓電阻成套裝置 奧蘭電氣專注于電力中性點(diǎn)保護(hù)裝置、過(guò)電壓保護(hù)裝置及繼電保護(hù)裝置的研發(fā),于90年代引進(jìn)、消化國(guó)外先進(jìn)技術(shù),采用進(jìn)口特種不銹鋼合金電阻,研發(fā)生產(chǎn)了系列中性點(diǎn)接地電阻成套裝置,是國(guó)內(nèi)首批研發(fā)、生產(chǎn)電力系統(tǒng)中性點(diǎn)電阻裝置的廠家。裝置在熱力和電氣性能上,完全能滿足電力中性點(diǎn)對(duì)設(shè)備的要求,具有耐受溫度高、電阻率高、電阻溫度系數(shù)小,同時(shí)又具有抗拉強(qiáng)度高。韌性好等優(yōu)良的機(jī)械性能。AL-DR低壓接地電阻柜主要用于低壓柴油發(fā)電機(jī)組0.22KV、火力發(fā)電廠0.38KV、煤炭生產(chǎn)企業(yè)0.66KV、啟動(dòng)及制動(dòng)和功率等電阻設(shè)備。 1、產(chǎn)品采用優(yōu)質(zhì)不銹鋼鎳鉻合金(Cr20Ni80)電阻,導(dǎo)電率高,溫度系數(shù)α為8.5×10 -5 ℃(20-1100℃),溫度系數(shù)最小。電阻可耐1500℃防燃防爆,可靠性高,耐腐蝕,阻值穩(wěn)定; 2、本產(chǎn)品也可以使用于各種低壓配電系統(tǒng)中,在低壓線路中,如無(wú)中性點(diǎn)加接地變壓器可與之配合使用;對(duì)抑止系統(tǒng)過(guò)電壓、防止各種沖擊有很好的作用; 3、電阻柜阻值可從1歐姆到2000歐姆,電流從0.5安培到1000安培設(shè)計(jì); 4、電阻柜用于戶內(nèi)或戶外,柜體采用不銹鋼板或冷軋鋼板噴塑制成; 5、產(chǎn)品可以加裝接地記錄及溫濕度控制裝置,記錄設(shè)備運(yùn)行的狀態(tài)。 6、根據(jù)用戶要求加裝測(cè)控保護(hù)裝置,

    標(biāo)簽: AL-DR 低壓電阻 套裝

    上傳時(shí)間: 2013-11-16

    上傳用戶:xc216

  • 基于單片機(jī)的恒流源技術(shù)研究

    :設(shè)計(jì)了一種基于單片機(jī)控制的數(shù)控恒流源。數(shù)控恒流源以AT89S52 為控制核心,采用了高共模抑制比低溫漂的運(yùn)算放大器OP07 和達(dá)林頓管TIP122 構(gòu)成恒流源的主體,配以高精度12 bit D/ A 芯片MAX532 以及16 bit A/ D 芯片AD7715 完成單片機(jī)對(duì)輸出電流的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)。

    標(biāo)簽: 單片機(jī) 恒流源 技術(shù)研究

    上傳時(shí)間: 2013-12-17

    上傳用戶:asasasas

  • 雙電源自動(dòng)轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)電器

    隨著社會(huì)經(jīng)濟(jì)迅速發(fā)展,城市用電急劇增加,在諸如電信、銀行、醫(yī)院、化工、消防、交通、商場(chǎng)、高層建筑等重要場(chǎng)所不允許停電,若因停電可能會(huì)帶來(lái)重大經(jīng)菥損失的場(chǎng)合應(yīng)采用兩路電源(常用電源、備用電源)供電當(dāng)一路電源出現(xiàn)異常時(shí),由自動(dòng)轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)電器(ATSE)自動(dòng)轉(zhuǎn)換到另一路電源,確保負(fù)載用電的可靠性、安全性。國(guó)外,在20世紀(jì)8O年代末、90年代初,ATSE產(chǎn)品得到了廣泛應(yīng)用,如法國(guó)溯高美公司生產(chǎn)的SIRC/)VER系列自動(dòng)轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān),新加坡IK公司生產(chǎn)的I.KNB—ATS,LKB—ATS,I.KF—ATS系列等產(chǎn)品,并制訂了相應(yīng)的IE(260947—6一l《低壓開(kāi)關(guān)和控制設(shè)備:第6部分自動(dòng)轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)電器》標(biāo)準(zhǔn),近年來(lái)國(guó)內(nèi)一些廠家也相繼推出AESE產(chǎn)品.并在很多重要用電場(chǎng)合得到越來(lái)越多的應(yīng)用上海電器科學(xué)研究所負(fù)責(zé)起草,部分生產(chǎn)廠參與,并征求廣大用戶意見(jiàn),等同采用IEC609476—6—1的《自動(dòng)轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)電器》國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB14048、×一××××,也已制訂并報(bào)批,為規(guī)范國(guó)內(nèi)ATSE產(chǎn)品的標(biāo)準(zhǔn),提高產(chǎn)品質(zhì)量有了可靠依據(jù)。

    標(biāo)簽: 雙電源 自動(dòng)轉(zhuǎn)換 開(kāi)關(guān)電器

    上傳時(shí)間: 2013-12-22

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  • 常規(guī)AC-DC模塊電源應(yīng)用說(shuō)明

    1.前言    模塊使用之前應(yīng)注意如下的警告和注意事項(xiàng)。不正確的應(yīng)用可能導(dǎo)致電擊,模塊損壞或著火的危險(xiǎn)。請(qǐng)仔細(xì)閱讀如下警告和注意事項(xiàng):1.1警告:I.   不要觸摸散熱器和外殼,他們可能溫度很高。II.   不要觸摸輸入端子或打開(kāi)外殼觸摸內(nèi)部器件,他們可能存在高溫或高壓造成燙傷或電擊。III.   當(dāng)模塊工作時(shí),把你的手和臉遠(yuǎn)離模塊,否則在模塊異常時(shí)可能造成傷害。1.2注意事項(xiàng):I.   請(qǐng)確認(rèn)已按照使用說(shuō)明書(shū)的要求正確連接輸入輸出管腳和信號(hào)管腳。II.   確保在模塊的輸入端連接一個(gè)快速熔斷保險(xiǎn)絲,以安全工作并滿足安規(guī)要求。III.   模塊電源屬于元器件,安裝和使用必須經(jīng)專業(yè)設(shè)計(jì)人員進(jìn)行設(shè)計(jì)。IV.   此系列模塊電源屬于一次變換,在應(yīng)用中應(yīng)注意符合安全規(guī)范。V.   模塊的輸入、輸出端屬于危險(xiǎn)能量,必須保證終端用戶不能接觸到。設(shè)備制造商必須保證模塊輸出不易被服務(wù)工程師短路或工程師遺落的金屬部件短路。VI.   應(yīng)用電路和參數(shù)僅供參考,在完成應(yīng)用電路設(shè)計(jì)之前必須對(duì)參數(shù)和電路進(jìn)行驗(yàn)證。VII.  這篇文檔的更改不能保證及時(shí)通知客戶,在實(shí)際使用中,請(qǐng)注意最新的應(yīng)用說(shuō)明。

    標(biāo)簽: AC-DC 模塊 電源應(yīng)用

    上傳時(shí)間: 2013-11-17

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  • 基于單片機(jī)的多I/O節(jié)點(diǎn)開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)

    LonWorks 推廣應(yīng)用的關(guān)鍵在于網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn)開(kāi)發(fā), 以TP / FT-10F 模塊和AT89C2051 單片機(jī)為核心設(shè)計(jì)接口電路,開(kāi)發(fā)了一種通用多輸入/ 輸出智能控制節(jié)點(diǎn)模塊。通過(guò)軟件調(diào)整模擬信號(hào)采集電路的量程;應(yīng)用DAC7513 使放大器輸出電壓幾乎等于電源電壓;采用二極管隔離方式簡(jiǎn)化數(shù)字信號(hào)輸入/ 輸出電路;通過(guò)在電源引腳和接地引腳之間添加去耦電容,采用多層電路板布局,數(shù)字芯片的未用輸入端接入高電平等方法,提高了抗電磁干擾能力;采取模擬、數(shù)字電路單元內(nèi)部分別接模擬地和數(shù)字地,再將2 條地線接至一點(diǎn)的措施,有效地降低了靜態(tài)放電的影響;提出了節(jié)點(diǎn)故障診斷策略流程。該通用多輸入/ 輸出智能控制節(jié)點(diǎn)模塊運(yùn)行可靠。關(guān)鍵詞: LonWorks; 多輸入/ 輸出; 節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)

    標(biāo)簽: 單片機(jī) 節(jié)點(diǎn) 開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)

    上傳時(shí)間: 2013-11-23

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  • 普通單片機(jī)讀寫(xiě)U盤(pán)開(kāi)發(fā)板

    當(dāng)前,USB接口技術(shù)的應(yīng)用已十分成熟和普遍,尤其是已FLASH作為存儲(chǔ)介質(zhì)的U盤(pán)更是帶動(dòng)了一個(gè)IT行業(yè)新的經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)點(diǎn)。在整個(gè)IT經(jīng)濟(jì)相對(duì)低迷的情況下,U盤(pán)能脫身而出,獨(dú)秀一枝,主要?dú)w功于其把握了好的行業(yè)方向:USB接口技術(shù)高速、穩(wěn)定、即插即用,注定了是未來(lái)接口技術(shù)的主流;FLASH存儲(chǔ)媒體穩(wěn)定、可靠是新一代移動(dòng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的首選。但美中缺憾的是現(xiàn)在的U盤(pán)都只能在PC上使用,許多其它需要直接進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和交換的地方卻不能直接使用U盤(pán)。如數(shù)據(jù)采集和工控行業(yè)中諸多設(shè)備都還是利用軟磁盤(pán),以太網(wǎng)等方式。軟盤(pán)穩(wěn)定性差,容量小,以太網(wǎng)成本太高,移動(dòng)性不好。所以要在工控和嵌入式行業(yè)中實(shí)現(xiàn)對(duì)U盤(pán)的讀寫(xiě)是一件非常有意義和前景的事情。本開(kāi)發(fā)板就是在傳統(tǒng)的單片機(jī)單片機(jī)實(shí)現(xiàn)了對(duì)U盤(pán)的讀寫(xiě)。本開(kāi)發(fā)板的核心技術(shù)是USBHOST的實(shí)現(xiàn),包括USB批量傳輸、海量存儲(chǔ)、文件系統(tǒng)等協(xié)議內(nèi)容較多,協(xié)議復(fù)雜,開(kāi)發(fā)難度比較高。開(kāi)發(fā)板的對(duì)象主要是面對(duì)二次開(kāi)發(fā)和USB初步學(xué)習(xí)的朋友,提供所有硬件,源代碼,開(kāi)發(fā)文檔和調(diào)試軟件。使大家最快掌握這一核心技術(shù),進(jìn)入U(xiǎn)SB技術(shù)的天堂。

    標(biāo)簽: 單片機(jī) 讀寫(xiě)U盤(pán) 開(kāi)發(fā)板

    上傳時(shí)間: 2013-11-09

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