凌力爾特公司提供了一個規(guī)模龐大且不斷成長的高電壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器繫列，這些器件是專為驅(qū)動高功率 LED 而設(shè)計的。
標(biāo)簽： LED 高電壓 降壓型轉(zhuǎn)換器 驅(qū)動高功率
上傳時間： 2013-11-12
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電路板裝配、PCB 布局和數(shù)字 IC 集成的進(jìn)步造就了新一代的高密度安裝、高性能繫統(tǒng)。
標(biāo)簽： DCDC 10A 性能 微型模塊
上傳時間： 2013-10-17
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大型 TFT-LCD 的功率需求量之大似乎永遠(yuǎn)得不到滿足。電源必須滿足晶體管數(shù)目不斷增加和顯示器分辨率日益攀升的要求，並且還不能占用太大的板級空間。
標(biāo)簽： TFT-LCD 輸出穩(wěn)壓器 大型 顯示器
上傳時間： 2014-12-24
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在越來越多的短時間能量存貯應(yīng)用以及那些需要間歇式高能量脈衝的應(yīng)用中，超級電容器找到了自己的用武之地。電源故障保護(hù)電路便是此類應(yīng)用之一，在該電路中，如果主電源發(fā)生短時間故障，則接入一個後備電源，用於給負(fù)載供電
標(biāo)簽： 電源故障保護(hù) 后備電池 超級電容器
上傳時間： 2014-01-08
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基于LabVIEW的高精度電流源設(shè)計與實現(xiàn)
標(biāo)簽： LabVIEW 高精度 電流源設(shè)計
上傳時間： 2013-11-11
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介紹一種高電源抑制比帶隙基準(zhǔn)電路的設(shè)計與驗證
標(biāo)簽： 高電源抑制 帶隙基準(zhǔn) 電路設(shè)計
上傳時間： 2013-10-08
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基于SMIC0.35 μm的CMOS工藝，設(shè)計了一種高電源抑制比，同時可在全工藝角下的得到低溫漂的帶隙基準(zhǔn)電路。首先采用一個具有高電源抑制比的基準(zhǔn)電壓，通過電壓放大器放大得到穩(wěn)定的電壓，以提供給帶隙核心電路作為供電電源，從而提高了電源抑制比。另外，將電路中的關(guān)鍵電阻設(shè)置為可調(diào)電阻，從而可以改變正溫度電壓的系數(shù)，以適應(yīng)不同工藝下負(fù)溫度系數(shù)的變化，最終得到在全工藝角下低溫漂的基準(zhǔn)電壓。Cadence virtuoso仿真表明：在27 ℃下，10 Hz時電源抑制比（PSRR）-109 dB，10 kHz時（PSRR）達(dá)到-64 dB；在4 V電源電壓下，在-40～80 ℃范圍內(nèi)的不同工藝角下，溫度系數(shù)均可達(dá)到5.6×10-6 V/℃以下。
標(biāo)簽： CMOS 高電源抑制 工藝 基準(zhǔn)電壓源
上傳時間： 2014-12-03
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TI33072高轉(zhuǎn)換率單電源運算放大器
標(biāo)簽： 33072 TI tl 轉(zhuǎn)換
上傳時間： 2014-11-30
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高精度數(shù)控電源制作
標(biāo)簽： 高精度 數(shù)控 電源制作
上傳時間： 2013-10-14
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在靜電傳感器測量氣/固兩相流參數(shù)的基礎(chǔ)上，以J.B.Gajewski教授的成果為基礎(chǔ)，對電容的計算進(jìn)行了研究。將靜電傳感器電極與屏蔽罩間的電容cp看作圓柱型電容，對其建立的靜電傳感器數(shù)學(xué)模型中的感應(yīng)電極與屏蔽罩間電容值進(jìn)行探討，并得到了這個電容的計算式。
標(biāo)簽： 靜電傳感器 電極 屏蔽罩 電容值
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