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非線性模型

  • 秒表課程設(shè)計(非單片機的,基于74芯片的)

    秒表課程設(shè)計,非單片機的,基于74芯片的

    標(biāo)簽: 單片機 74芯片

    上傳時間: 2013-11-23

    上傳用戶:whenfly

  • 場效應(yīng)管的h參數(shù)等效模型

    主要介紹場效應(yīng)管H參數(shù)的模型

    標(biāo)簽: 場效應(yīng)管 h參數(shù) 等效模型

    上傳時間: 2014-01-09

    上傳用戶:1966649934

  • 亳米波微帶環(huán)行器設(shè)計模型

    本文依據(jù)微波電磁場理論概述了微帶鐵氧體器件在毫米波頻率下的工作模式, 探討了毫米波微帶鐵氧體器件的電參數(shù)的設(shè)計考慮, 對從事毫米波微帶鐵氧體器件的研究, 提供了基本的設(shè)計模型, 以期引起進(jìn)一步的探討。

    標(biāo)簽: 亳米波 微帶環(huán)行器 模型

    上傳時間: 2013-10-07

    上傳用戶:66666

  • p-n結(jié)的隧道擊穿模型研究

    在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進(jìn)行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實驗數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。

    標(biāo)簽: p-n 隧道 擊穿 模型研究

    上傳時間: 2013-10-31

    上傳用戶:summery

  • 量子點接觸器件電勢準(zhǔn)3D數(shù)值模型和模擬方法

    采用三維泊松方程和二維薛定諤方程自洽求解方法,建立量子點接觸器件(QPC)內(nèi)的電勢分布和二維電子氣層的電子密度分布的準(zhǔn)三維模型及模擬方法,并將模擬結(jié)果與傳統(tǒng)的Buttiker鞍型電勢分布進(jìn)行比較。

    標(biāo)簽: 量子點 接觸器 電勢 數(shù)值

    上傳時間: 2013-10-18

    上傳用戶:ZOULIN58

  • 改善AMOLED TFT均勻性和穩(wěn)定性像素補償電路

    各研究機構(gòu)提出了像素補償電路用于改善OLED的均勻性和穩(wěn)定性等問題,文中對目前采用有源OLED的α-Si TFT和p-Si TFT的各種像素補償電路進(jìn)行了分析。分析結(jié)果表明,文中設(shè)計方案取得了一定的效果,但尚存不足。

    標(biāo)簽: AMOLED TFT 穩(wěn)定性 像素

    上傳時間: 2013-11-21

    上傳用戶:pioneer_lvbo

  • 非標(biāo)準(zhǔn)VGA-TV轉(zhuǎn)換器的實現(xiàn)

      介紹了以AL128 芯片為核心設(shè)計的一種將非標(biāo)準(zhǔn)視頻顯示模式轉(zhuǎn)換為標(biāo)準(zhǔn)電視視頻制式的視頻模式轉(zhuǎn)換器。對該視頻模式轉(zhuǎn)換器的工作原理、硬件構(gòu)成及設(shè)計思路等給以了詳細(xì)的介紹。

    標(biāo)簽: VGA-TV 標(biāo)準(zhǔn) 轉(zhuǎn)換器

    上傳時間: 2013-11-07

    上傳用戶:集美慧

  • 如何計算具有狹窄氣隙的圓形轉(zhuǎn)子電機中的繞組感應(yīng)

    本文的目的在于,介紹如何計算具有狹窄氣隙的圓形轉(zhuǎn)子電機中的繞組感應(yīng)。我們僅處理理想化的氣隙磁場,不考慮槽、外部周邊或傾斜電抗。但我們將考察繞組磁動勢(MMF)的空間諧頻。 在圖1中,給出了12槽定子的軸截面示意圖。實際上,所顯示的是薄鋼片的形狀,或用于構(gòu)成磁路的層片。鐵芯由薄片構(gòu)成,以控制渦流電流損耗。厚度將根據(jù)工作頻率而變,在60Hz的電機中(大體積電機,工業(yè)用)層片的厚度典型為.014”(.355毫米)。它們堆疊在一起,以構(gòu)成具有恰當(dāng)長度的磁路。繞組位于該結(jié)構(gòu)的槽內(nèi)。 在圖1中,給出了帶有齒結(jié)構(gòu)的梯形槽,在大部分長度方向上具有近乎均勻的截面,靠近氣隙處較寬。齒端與相對狹窄的槽凹陷區(qū)域結(jié)合在一起,通過改善氣隙場的均勻性、增加氣隙磁導(dǎo)、將繞組保持在槽中,有助于控制很多電機轉(zhuǎn)子中的寄生損耗。請注意,對于具有名為“形式纏繞”線圈的大型電機,它具有直邊矩形槽,以及非均勻截面齒。下面的介紹針對兩類電機。

    標(biāo)簽: 如何計算 轉(zhuǎn)子 電機 繞組

    上傳時間: 2013-10-13

    上傳用戶:我干你啊

  • 時鐘分相技術(shù)應(yīng)用

    摘要: 介紹了時鐘分相技術(shù)并討論了時鐘分相技術(shù)在高速數(shù)字電路設(shè)計中的作用。 關(guān)鍵詞: 時鐘分相技術(shù); 應(yīng)用 中圖分類號: TN 79  文獻(xiàn)標(biāo)識碼:A   文章編號: 025820934 (2000) 0620437203 時鐘是高速數(shù)字電路設(shè)計的關(guān)鍵技術(shù)之一, 系統(tǒng)時鐘的性能好壞, 直接影響了整個電路的 性能。尤其現(xiàn)代電子系統(tǒng)對性能的越來越高的要求, 迫使我們集中更多的注意力在更高頻率、 更高精度的時鐘設(shè)計上面。但隨著系統(tǒng)時鐘頻率的升高。我們的系統(tǒng)設(shè)計將面臨一系列的問 題。 1) 時鐘的快速電平切換將給電路帶來的串?dāng)_(Crosstalk) 和其他的噪聲。 2) 高速的時鐘對電路板的設(shè)計提出了更高的要求: 我們應(yīng)引入傳輸線(T ransm ission L ine) 模型, 并在信號的匹配上有更多的考慮。 3) 在系統(tǒng)時鐘高于100MHz 的情況下, 應(yīng)使用高速芯片來達(dá)到所需的速度, 如ECL 芯 片, 但這種芯片一般功耗很大, 再加上匹配電阻增加的功耗, 使整個系統(tǒng)所需要的電流增大, 發(fā) 熱量增多, 對系統(tǒng)的穩(wěn)定性和集成度有不利的影響。 4) 高頻時鐘相應(yīng)的電磁輻射(EM I) 比較嚴(yán)重。 所以在高速數(shù)字系統(tǒng)設(shè)計中對高頻時鐘信號的處理應(yīng)格外慎重, 盡量減少電路中高頻信 號的成分, 這里介紹一種很好的解決方法, 即利用時鐘分相技術(shù), 以低頻的時鐘實現(xiàn)高頻的處 理。 1 時鐘分相技術(shù) 我們知道, 時鐘信號的一個周期按相位來分, 可以分為360°。所謂時鐘分相技術(shù), 就是把 時鐘周期的多個相位都加以利用, 以達(dá)到更高的時間分辨。在通常的設(shè)計中, 我們只用到時鐘 的上升沿(0 相位) , 如果把時鐘的下降沿(180°相位) 也加以利用, 系統(tǒng)的時間分辨能力就可以 提高一倍(如圖1a 所示)。同理, 將時鐘分為4 個相位(0°、90°、180°和270°) , 系統(tǒng)的時間分辨就 可以提高為原來的4 倍(如圖1b 所示)。 以前也有人嘗試過用專門的延遲線或邏輯門延時來達(dá)到時鐘分相的目的。用這種方法產(chǎn)生的相位差不夠準(zhǔn)確, 而且引起的時間偏移(Skew ) 和抖動 (J itters) 比較大, 無法實現(xiàn)高精度的時間分辨。 近年來半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展, 使高質(zhì)量的分相功能在一 片芯片內(nèi)實現(xiàn)成為可能, 如AMCC 公司的S4405, CY2 PRESS 公司的CY9901 和CY9911, 都是性能優(yōu)異的時鐘 芯片。這些芯片的出現(xiàn), 大大促進(jìn)了時鐘分相技術(shù)在實際電 路中的應(yīng)用。我們在這方面作了一些嘗試性的工作: 要獲得 良好的時間性能, 必須確保分相時鐘的Skew 和J itters 都 比較小。因此在我們的設(shè)計中, 通常用一個低頻、高精度的 晶體作為時鐘源, 將這個低頻時鐘通過一個鎖相環(huán)(PLL ) , 獲得一個較高頻率的、比較純凈的時鐘, 對這個時鐘進(jìn)行分相, 就可獲得高穩(wěn)定、低抖動的分 相時鐘。 這部分電路在實際運用中獲得了很好的效果。下面以應(yīng)用的實例加以說明。2 應(yīng)用實例 2. 1 應(yīng)用在接入網(wǎng)中 在通訊系統(tǒng)中, 由于要減少傳輸 上的硬件開銷, 一般以串行模式傳輸 圖3 時鐘分為4 個相位 數(shù)據(jù), 與其同步的時鐘信號并不傳輸。 但本地接收到數(shù)據(jù)時, 為了準(zhǔn)確地獲取 數(shù)據(jù), 必須得到數(shù)據(jù)時鐘, 即要獲取與數(shù) 據(jù)同步的時鐘信號。在接入網(wǎng)中, 數(shù)據(jù)傳 輸?shù)慕Y(jié)構(gòu)如圖2 所示。 數(shù)據(jù)以68MBös 的速率傳輸, 即每 個bit 占有14. 7ns 的寬度, 在每個數(shù)據(jù) 幀的開頭有一個用于同步檢測的頭部信息。我們要找到與它同步性好的時鐘信號, 一般時間 分辨應(yīng)該達(dá)到1ö4 的時鐘周期。即14. 7ö 4≈ 3. 7ns, 這就是說, 系統(tǒng)時鐘頻率應(yīng)在300MHz 以 上, 在這種頻率下, 我們必須使用ECL inp s 芯片(ECL inp s 是ECL 芯片系列中速度最快的, 其 典型門延遲為340p s) , 如前所述, 這樣對整個系統(tǒng)設(shè)計帶來很多的困擾。 我們在這里使用鎖相環(huán)和時鐘分相技術(shù), 將一個16MHz 晶振作為時鐘源, 經(jīng)過鎖相環(huán) 89429 升頻得到68MHz 的時鐘, 再經(jīng)過分相芯片AMCCS4405 分成4 個相位, 如圖3 所示。 我們只要從4 個相位的68MHz 時鐘中選擇出與數(shù)據(jù)同步性最好的一個。選擇的依據(jù)是: 在每個數(shù)據(jù)幀的頭部(HEAD) 都有一個8bit 的KWD (KeyWord) (如圖1 所示) , 我們分別用 這4 個相位的時鐘去鎖存數(shù)據(jù), 如果經(jīng)某個時鐘鎖存后的數(shù)據(jù)在這個指定位置最先檢測出這 個KWD, 就認(rèn)為下一相位的時鐘與數(shù)據(jù)的同步性最好(相關(guān))。 根據(jù)這個判別原理, 我們設(shè)計了圖4 所示的時鐘分相選擇電路。 在板上通過鎖相環(huán)89429 和分相芯片S4405 獲得我們所要的68MHz 4 相時鐘: 用這4 個 時鐘分別將輸入數(shù)據(jù)進(jìn)行移位, 將移位的數(shù)據(jù)與KWD 作比較, 若至少有7bit 符合, 則認(rèn)為檢 出了KWD。將4 路相關(guān)器的結(jié)果經(jīng)過優(yōu)先判選控制邏輯, 即可輸出同步性最好的時鐘。這里, 我們運用AMCC 公司生產(chǎn)的 S4405 芯片, 對68MHz 的時鐘進(jìn)行了4 分 相, 成功地實現(xiàn)了同步時鐘的獲取, 這部分 電路目前已實際地應(yīng)用在某通訊系統(tǒng)的接 入網(wǎng)中。 2. 2 高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的應(yīng)用 高速、高精度的模擬- 數(shù)字變換 (ADC) 一直是高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的關(guān)鍵部 分。高速的ADC 價格昂貴, 而且系統(tǒng)設(shè)計 難度很高。以前就有人考慮使用多個低速 圖5 分相技術(shù)應(yīng)用于采集系統(tǒng) ADC 和時鐘分相, 用以替代高速的ADC, 但由 于時鐘分相電路產(chǎn)生的相位不準(zhǔn)確, 時鐘的 J itters 和Skew 比較大(如前述) , 容易產(chǎn)生較 大的孔徑晃動(Aperture J itters) , 無法達(dá)到很 好的時間分辨。 現(xiàn)在使用時鐘分相芯片, 我們可以把分相 技術(shù)應(yīng)用在高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中: 以4 分相后 圖6 分相技術(shù)提高系統(tǒng)的數(shù)據(jù)采集率 的80MHz 采樣時鐘分別作為ADC 的 轉(zhuǎn)換時鐘, 對模擬信號進(jìn)行采樣, 如圖5 所示。 在每一采集通道中, 輸入信號經(jīng)過 緩沖、調(diào)理, 送入ADC 進(jìn)行模數(shù)轉(zhuǎn)換, 采集到的數(shù)據(jù)寫入存儲器(M EM )。各個 采集通道采集的是同一信號, 不過采樣 點依次相差90°相位。通過存儲器中的數(shù) 據(jù)重組, 可以使系統(tǒng)時鐘為80MHz 的采 集系統(tǒng)達(dá)到320MHz 數(shù)據(jù)采集率(如圖6 所示)。 3 總結(jié) 靈活地運用時鐘分相技術(shù), 可以有效地用低頻時鐘實現(xiàn)相當(dāng)于高頻時鐘的時間性能, 并 避免了高速數(shù)字電路設(shè)計中一些問題, 降低了系統(tǒng)設(shè)計的難度。

    標(biāo)簽: 時鐘 分相 技術(shù)應(yīng)用

    上傳時間: 2013-12-17

    上傳用戶:xg262122

  • 線性及邏輯器件選擇指南

    緒論 3線性及邏輯器件新產(chǎn)品優(yōu)先性計算領(lǐng)域4PCI Express®多路復(fù)用技術(shù)USB、局域網(wǎng)、視頻多路復(fù)用技術(shù)I2C I/O擴展及LED驅(qū)動器RS-232串行接口靜電放電(ESD)保護(hù)服務(wù)器/存儲10GTL/GTL+至LVTTL轉(zhuǎn)換PCI Express信號開關(guān)多路復(fù)用I2C及SMBus接口RS-232接口靜電放電保護(hù)消費醫(yī)療16電源管理信號調(diào)節(jié)I2C總線輸入/輸出擴展電平轉(zhuǎn)換靜電放電保護(hù) 手持設(shè)備22電平轉(zhuǎn)換音頻信號路由I2C基帶輸入/輸出擴展可配置小邏輯器件靜電放電保護(hù)鍵區(qū)控制娛樂燈光顯示USB接口工業(yè)自動化31接口——RS-232、USB、RS-485/422繼電器及電機控制保持及控制:I2C I/O擴展信號調(diào)節(jié)便攜式工業(yè)(掌上電腦/掃描儀) 36多路復(fù)用USB外設(shè)卡接口接口—RS-232、USB、RS-485/422I2C控制靜電放電保護(hù) 對于任意外部接口連接器的端口來說,靜電放電的沖擊一直是對器件可靠性的威脅。許多低電壓核心芯片或系統(tǒng)級的特定用途集成電路(ASIC)提供了器件級的人體模型(HBM)靜電放電保護(hù),但無法應(yīng)付系統(tǒng)級的靜電放電。一個卓越的靜電放電解決方案應(yīng)該是一個節(jié)省空間且經(jīng)濟高效的解決方案,可保護(hù)系統(tǒng)的相互連接免受外部靜電放電的沖擊。

    標(biāo)簽: 線性 邏輯器件 選擇指南

    上傳時間: 2013-10-18

    上傳用戶:mikesering

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