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電網(wǎng)監(jiān)(jiān)控

  • 聲光雙控?zé)?

    聲光雙控?zé)?

    標(biāo)簽： 聲光雙控

    上傳時(shí)間： 2013-11-21

    上傳用戶(hù)：lu2767

  • p-n結(jié)的隧道擊穿模型研究

    在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢(shì)壘的形狀以及勢(shì)壘形狀隨外加電壓的變化, 并進(jìn)行定量計(jì)算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實(shí)用性。該理論模型對(duì)研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。

    標(biāo)簽： p-n 隧道 擊穿 模型研究

    上傳時(shí)間： 2013-10-31

    上傳用戶(hù)：summery

  • 壓控振蕩電路的設(shè)計(jì)

    能實(shí)現(xiàn)VCO 功能的電路很多，常用的有分立器件構(gòu)成的振蕩器和集成壓控振蕩器。如串聯(lián)諧振電容三點(diǎn)式電路、壓控晶體振蕩器，積分-施密特電路、射級(jí)耦合多諧振蕩器、變?nèi)荻O管調(diào)諧LC 振蕩器和數(shù)字門(mén)電路等幾種。它們之間各有優(yōu)缺點(diǎn)，下面做簡(jiǎn)要分析，并選擇最合適的方案。

    標(biāo)簽： 壓控 振蕩電路

    上傳時(shí)間： 2013-11-06

    上傳用戶(hù)：tdyoung

  • 聲控開(kāi)關(guān)和光控開(kāi)關(guān)的制作

    聲控開(kāi)關(guān)和光控開(kāi)關(guān)的制作

    標(biāo)簽： 聲控開(kāi)關(guān) 光控開(kāi)關(guān)

    上傳時(shí)間： 2013-10-27

    上傳用戶(hù)：shaoyun666

  • 基于Howland電流源的精密壓控電流源

    計(jì)一種基于Howland電流源電路的精密壓控電流源，論述了該精密壓控電流源的原理。該電路以V/I轉(zhuǎn)換電路作為核心，Howland電流源做為誤差補(bǔ)償電路，進(jìn)一步提高了電流源的精度，使絕對(duì)誤差仿真值達(dá)到nA級(jí)，實(shí)際電路測(cè)量值絕對(duì)誤差達(dá)到?滋A級(jí)，得到高精度的壓控電流源。仿真和實(shí)驗(yàn)測(cè)試均證明該方案是可行的。

    標(biāo)簽： Howland 電流源 壓控 精密

    上傳時(shí)間： 2014-12-24

    上傳用戶(hù)：sklzzy

  • 準(zhǔn)確的電源排序可防止系統(tǒng)受損

    諸如電信設(shè)備、存儲(chǔ)模塊、光學(xué)繫統(tǒng)、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、服務(wù)器和基站等許多復(fù)雜繫統(tǒng)都采用了 FPGA 和其他需要多個(gè)電壓軌的數(shù)字 IC，這些電壓軌必須以一個(gè)特定的順序進(jìn)行啟動(dòng)和停機(jī)操作，否則 IC 就會(huì)遭到損壞。

    標(biāo)簽： 電源排序 防止

    上傳時(shí)間： 2014-12-24

    上傳用戶(hù)：packlj

  • 具集成反激式控制器的高功率PoE PD接口

    時(shí)至今日，以太網(wǎng)供電 (PoE) 技術(shù)仍在當(dāng)今的網(wǎng)絡(luò)世界中不斷地普及。由供電設(shè)備 (PSE) 提供並傳輸至受電設(shè)備 (PD) 輸入端的 12.95W 功率是一種通用電源

    標(biāo)簽： PoE 集成 反激式控制器 PD接口

    上傳時(shí)間： 2013-11-06

    上傳用戶(hù)：xmsmh

  • 三相橋式全控整流電路的工作原理

    三相橋式全控整流電路的工作原理

    標(biāo)簽： 三相橋式 全控整流 電路 工作原理

    上傳時(shí)間： 2013-10-23

    上傳用戶(hù)：Miyuki

  • N+緩沖層對(duì)PT-IGBT通態(tài)壓降影響的研究

     N+緩沖層設(shè)計(jì)對(duì)PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對(duì)PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降，得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線(xiàn)，該仿真結(jié)果與理論分析一致。對(duì)于PT-IGBT結(jié)構(gòu)，N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值，只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。

    標(biāo)簽： PT-IGBT 緩沖層

    上傳時(shí)間： 2013-11-12

    上傳用戶(hù)：thesk123

  • 多級(jí)感應(yīng)線(xiàn)圈發(fā)射器測(cè)控系統(tǒng)設(shè)計(jì)

    多級(jí)感應(yīng)線(xiàn)圈發(fā)射器測(cè)控系統(tǒng)設(shè)計(jì)

    標(biāo)簽： 多級(jí) 發(fā)射器 感應(yīng)線(xiàn)圈 測(cè)控

    上傳時(shí)間： 2013-10-16

    上傳用戶(hù)：qq10538412

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