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電子管后級

  • 創(chuàng)建PCB元件管腳封裝

    創(chuàng)建PCB元件管腳封裝

    標(biāo)簽: PCB 元件 管腳 封裝

    上傳時(shí)間: 2014-12-24

    上傳用戶:chenjjer

  • Allegro后仿真流程介紹

    Allegro后仿真流程介紹

    標(biāo)簽: Allegro 仿真流程

    上傳時(shí)間: 2014-11-26

    上傳用戶:851197153

  • PCB抄板密技

    第一步,拿到一塊PCB,首先在紙上記錄好所有元?dú)饧男吞枺瑓?shù),以及位置,尤其是二極管,三機(jī)管的方向,IC缺口的方向。最好用數(shù)碼相機(jī)拍兩張?jiān)獨(dú)饧恢玫恼掌5诙剑鸬羲衅骷⑶覍AD孔里的錫去掉。用酒精將PCB清洗干凈,然后放入掃描儀內(nèi),啟動POHTOSHOP,用彩色方式將絲印面掃入,并打印出來備用。第三步,用水紗紙將TOP LAYER 和BOTTOM LAYER兩層輕微打磨,打磨到銅膜發(fā)亮,放入掃描儀,啟動PHOTOSHOP,用彩色方式將兩層分別掃入。注意,PCB在掃描儀內(nèi)擺放一定要橫平樹直,否則掃描的圖象就無法使用。第四步,調(diào)整畫布的對比度,明暗度,使有銅膜的部分和沒有銅膜的部分對比強(qiáng)烈,然后將次圖轉(zhuǎn)為黑白色,檢查線條是否清晰,如果不清晰,則重復(fù)本步驟。如果清晰,將圖存為黑白BMP格式文件TOP.BMP和BOT.BMP。第五步,將兩個(gè)BMP格式的文件分別轉(zhuǎn)為PROTEL格式文件,在PROTEL中調(diào)入兩層,如過兩層的PAD和VIA的位置基本重合,表明前幾個(gè)步驟做的很好,如果有偏差,則重復(fù)第三步。第六,將TOP。BMP轉(zhuǎn)化為TOP。PCB,注意要轉(zhuǎn)化到SILK層,就是黃色的那層,然后你在TOP層描線就是了,并且根據(jù)第二步的圖紙放置器件。畫完后將SILK層刪掉。 第七步,將BOT。BMP轉(zhuǎn)化為BOT。PCB,注意要轉(zhuǎn)化到SILK層,就是黃色的那層,然后你在BOT層描線就是了。畫完后將SILK層刪掉。第八步,在PROTEL中將TOP。PCB和BOT。PCB調(diào)入,合為一個(gè)圖就OK了。第九步,用激光打印機(jī)將TOP LAYER, BOTTOM LAYER分別打印到透明膠片上(1:1的比例),把膠片放到那塊PCB上,比較一下是否有誤,如果沒錯(cuò),你就大功告成了。

    標(biāo)簽: PCB 抄板

    上傳時(shí)間: 2013-10-15

    上傳用戶:標(biāo)點(diǎn)符號

  • Forward變換器的精確線性化控制

    為了提高Forward變換器非線性系統(tǒng)的控制性能,采用了精確線性化控制方法。首先采用開關(guān)函數(shù)和開關(guān)周期平均算子建立適合微分幾何方法的仿射非線性系統(tǒng)模型。從理論上證明了該模型滿足系統(tǒng)精確線性化的條件。對非線性坐標(biāo)變換后得到的線性系統(tǒng),利用二次型最優(yōu)控制策略推導(dǎo)出非線性狀態(tài)反饋控制律。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,系統(tǒng)具有良好的靜態(tài)和動態(tài)性能,驗(yàn)證了該控制方法的有效性和正確性。

    標(biāo)簽: Forward 變換器 線性 控制

    上傳時(shí)間: 2013-11-10

    上傳用戶:xywhw1

  • 開關(guān)電源中功率MOSFET管損壞模式及分析

    結(jié)合功率MOSFET管不同的失效形態(tài),論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下?lián)p壞的模式,并說明了產(chǎn)生這樣的損壞形態(tài)的原因,也分析了功率MOSFET管在關(guān)斷及開通過程中發(fā)生失效形態(tài)的差別,從而為失效在關(guān)斷或在開通過程中發(fā)生損壞提供了判斷依據(jù)。給出了測試過電流和過電壓的電路圖。同時(shí)分析了功率MOSFET管在動態(tài)老化測試中慢速開通、在電池保護(hù)電路應(yīng)用中慢速關(guān)斷及較長時(shí)間工作在線性區(qū)時(shí)損壞的形態(tài)。最后,結(jié)合實(shí)際應(yīng)用,論述了功率MOSFET通常會產(chǎn)生過電流和過電壓二種混合損壞方式損壞機(jī)理和過程。

    標(biāo)簽: MOSFET 開關(guān)電源 功率

    上傳時(shí)間: 2013-11-14

    上傳用戶:dongqiangqiang

  • 移動電源原理圖+數(shù)碼管

    帶數(shù)碼管顯示的 移動電源原理圖

    標(biāo)簽: 移動電源 原理圖 數(shù)碼管

    上傳時(shí)間: 2013-10-21

    上傳用戶:拔絲土豆

  • N溝道MOS管和P溝道MOS管

    通俗易懂的介紹MOS管和使用方法

    標(biāo)簽: MOS N溝道

    上傳時(shí)間: 2014-08-23

    上傳用戶:woshinimiaoye

  • 開關(guān)電源,電機(jī)驅(qū)動用MOS管:2SK2843

    開關(guān)電源,電機(jī)驅(qū)動用MOS管:2SK2843

    標(biāo)簽: 2843 MOS 2SK SK

    上傳時(shí)間: 2013-10-27

    上傳用戶:wsf950131

  • 基于STM32的晶閘管三相調(diào)壓電路的設(shè)計(jì)

    SCR三相調(diào)壓觸發(fā)電路已有不少設(shè)計(jì)與應(yīng)用,文中提出了一種簡化的基于STM32的調(diào)壓觸發(fā)電路設(shè)計(jì)方案,并完成了系統(tǒng)的軟硬件設(shè)計(jì)。該設(shè)計(jì)主要采用了光電隔離并利用三相電源自身的相間換流特性,只用三組觸發(fā)信號就可以達(dá)到控制六只晶閘管導(dǎo)通角的作用。軟件部分采用了STM32芯片多個(gè)高性能定時(shí)器及周邊AD接口,完成了高精度觸發(fā)信號發(fā)生、PID控制調(diào)壓等功能。通過實(shí)驗(yàn)表明該系統(tǒng)簡便可靠,達(dá)到了設(shè)計(jì)要求。

    標(biāo)簽: STM 32 晶閘管 三相調(diào)壓電路

    上傳時(shí)間: 2013-10-21

    上傳用戶:wfymay

  • 用MOSFET來替代“或”二極管以減少發(fā)熱和節(jié)省空間

    高可用性電信繫統(tǒng)采用冗餘電源或電池供電來增強(qiáng)繫統(tǒng)的可靠性。人們通常采用分立二極管來把這些電源組合於負(fù)載點(diǎn)處

    標(biāo)簽: MOSFET 二極管 發(fā)熱

    上傳時(shí)間: 2013-10-29

    上傳用戶:ysjing

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