ULN2003是高耐壓、大電流復(fù)合晶體管陣列，由七個硅NPN 復(fù)合晶體管組成，每一對達林頓都串聯(lián)一個2.7K 的基極電阻，在5V 的工作電壓下它能與TTL 和CMOS 電路直接相連，可以直接處理原先需要標準邏輯緩沖器來處理的數(shù)據(jù)。
上傳時間： 2021-06-26
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本書共11章。 第1章簡要介紹了高電壓功率器件的可能應(yīng)用， 定義了理想功率開關(guān)的電特性， 并與典型器件的電特性進行了比較。 第2章和第3章分析了硅基功率晶閘管和碳化硅基功率晶閘管。 第4章討論了硅門極關(guān)斷 （GTO） 晶閘管結(jié)構(gòu)。 第5章致力于分析硅基IGBT結(jié)構(gòu)， 以提供對比分析的標準。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的結(jié)構(gòu)。 碳化硅MOSFET 和IGBT的結(jié)構(gòu)設(shè)計重點在于保護柵氧化層， 以防止其提前擊穿。 另外， 必須屏蔽基區(qū)，以避免擴展擊穿。 這些器件的導(dǎo)通電壓降由溝道電阻和緩沖層設(shè)計所決定。 第8章和第9章討論了金屬氧化物半導(dǎo)體控制晶閘（MCT） 結(jié)構(gòu)和基極電阻控制晶閘管 （BRT） 結(jié)構(gòu)， 后者利用MOS柵控制晶閘管的導(dǎo)通和關(guān)斷。 第10章介紹了發(fā)射極開關(guān)晶閘（EST）， 該種結(jié)構(gòu)也利用一種MOS柵結(jié)構(gòu)來控制晶閘管的導(dǎo)通與關(guān)斷， 并可利用IGBT加工工藝來制造。 這種器件具有良好的安全工作區(qū)。本書最后一章比較了書中討論的所有高壓功率器件結(jié)構(gòu)。本書的讀者對象包括在校學(xué)生、 功率器件設(shè)計制造和電力電子應(yīng)用領(lǐng)域的工程技術(shù)人員及其他相關(guān)專業(yè)人員。 本書適合高等院校有關(guān)專業(yè)用作教材或?qū)I(yè)參考書， 亦可被電力電子學(xué)界和廣大的功率器件和裝置生產(chǎn)企業(yè)的工程技術(shù)人員作為參考書之用。
標簽： 大功率器件
上傳時間： 2021-11-02
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芯片制造技術(shù)-半導(dǎo)體拋光類技術(shù)資料合集：300mm硅單晶及拋光片標準.pdf6-英寸重摻砷硅單晶及拋光片.pdf666化學(xué)機械拋光技術(shù)的研究進展.pdf化學(xué)機械拋光CMP技術(shù)的發(fā)展應(yīng)用及存在問題.pdf化學(xué)機械拋光技術(shù)及SiO2拋光漿料研究進展.pdf化學(xué)機械拋光液(CMP)氧化鋁拋光液具.doc半導(dǎo)體-第十四講-CMP.ppt半導(dǎo)體制程培訓(xùn)CMP和蝕刻.pptx.ppt半導(dǎo)體單晶拋光片清洗工藝分析.pdf半導(dǎo)體工藝.ppt半導(dǎo)體工藝化學(xué).ppt拋光技術(shù)及拋光液.docx直徑12英寸硅單晶拋光片-.pdf硅拋光片-CMP-市場和技術(shù)現(xiàn)狀-張志堅.pdf硅片腐蝕和拋光工藝的化學(xué)原理.doc表面活性劑在半導(dǎo)體硅材料加工技術(shù)中的應(yīng)用.pdf
上傳時間： 2021-11-02
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臺灣數(shù)能NU510ES是 一款低壓線性恒流驅(qū)動芯片，高達30V耐壓，高精度恒流，低壓差，功率電流可外掛電阻任意調(diào)節(jié)電流至最大350mA,NU510恒流芯片主要應(yīng)用場景如下： 一般 LED 照明 LCD 背光 商業(yè)照明 燈條、燈帶 RGB 裝飾燈 LED 手電筒 RGB 顯示器/指示燈/裝飾燈 LED車燈照明/轉(zhuǎn)向流星燈備註：雙色溫調(diào)光調(diào)色主要是通過改變 C1、C2 容量的大小，造成 VDD 的上電時間延時不同。多顆電容順序增大，就能產(chǎn)流量燈效果。 NU510提供SOT23-6封裝、SOP-8封裝兩種形式，用戶可以根據(jù)實際情況靈活選用，通常150mA 以下采用SOT23-6封裝，150-350mA采用SOP-8封裝。
上傳時間： 2022-01-07
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PCB聯(lián)盟網(wǎng)-科普知識--《電子封裝材料與工藝》 學(xué)習(xí)筆記 54頁本人主要從事 IC 封裝化學(xué)材料（電子膠水）工作，為更好的理解 IC 封裝產(chǎn)業(yè)的動態(tài)和技術(shù)，自學(xué)了《電子封裝材料 與工藝》，貌似一本不錯的教材，在此總結(jié)出一些個人的學(xué)習(xí)筆記和大家分享。此筆記原發(fā)在本人的“電子中，有興趣的朋友可以前去查看一起探討第一章 集成電路芯片的發(fā)展與制造 1、原子結(jié)構(gòu)：原子是由高度密集的質(zhì)子和中子組成的原子核以及圍繞它在一定軌道（或能級）上旋 轉(zhuǎn)的荷負電的電子組成（Neils Bohr 于 1913 年提出）。當(dāng)原子彼此靠近時，它們之間發(fā)生交互作用 的形成所謂的化學(xué)鍵，化學(xué)鍵可以分成離子鍵、共價鍵、分子鍵、氫鍵或金屬鍵； 2、真空管（電子管）： a.真空管問世于 1883 年 Edison（愛迪生）發(fā)明白熾燈時，1903 年英格蘭的 J.A.Fleming 發(fā)現(xiàn)了真 空管類似極管的作用。在愛迪生的真空管里，燈絲為陰極、金屬板為陽極； b.當(dāng)電子管含有兩個電極（陽極和陰極）時，這種電路被稱為二極管，1906 年美國發(fā)明家 Lee DeForest 在陰極和陽極之間加入了一個柵極（一個精細的金屬絲網(wǎng)），此為最早的三極管，另外更 多的電極如以致柵極和簾柵極也可以密封在電子管中，以擴大電子管的功能； c.真空管盡管廣泛應(yīng)用于工業(yè)已有半個多世紀，但是有很多缺點，包括體積大，產(chǎn)生的熱量大、容 易燒壞而需要頻繁地更換，固態(tài)器件的進展消除了真空管的缺點，真空管開始從許多電子產(chǎn)品的使 用中退出； 3、半導(dǎo)體理論： a.在 IC 芯片制造中使用的典型半導(dǎo)體材料有元素半導(dǎo)體硅、鍺、硒，半導(dǎo)體化合物有砷化鎵（GaAs）、 磷砷化鎵（GaAsP）、磷化銦（InP）； b.二極管（一個 p-n 結(jié)），當(dāng)結(jié)上為正向偏壓時可以導(dǎo)通電流，當(dāng)反向偏壓時則電流停止； c.結(jié)型雙極晶體管：把兩個或兩個以上的 p-n 結(jié)組合成一個器件，導(dǎo)致了之！
上傳時間： 2022-02-06
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電子書-單片機硬件電路設(shè)計238頁第 章 智能化／網(wǎng)絡(luò)化傳感器及接口技術(shù) 現(xiàn)代信息技術(shù)的三大基礎(chǔ)是信息采集（即傳感器技術(shù)）、信息傳輸（通信技術(shù)）和信息處理 （計算機技術(shù)）。傳感器屬于信息技術(shù)的前沿尖端產(chǎn)品，被廣泛用于工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)、國防、科研和 生活領(lǐng)域。本章專門介紹智能化溫度傳感器、轉(zhuǎn)速傳感器、加速度傳感器、液位傳感器以及網(wǎng) 絡(luò)化智能精密壓力傳感器的工作原理、接口技術(shù)及典型應(yīng)用。 智能化集成溫度傳感器的產(chǎn)品分類及發(fā)展趨勢 近百年來，溫度傳感器的發(fā)展大致經(jīng)歷了以下三個階段； 傳統(tǒng)的分立式溫度傳感器（含 敏感元件） 模擬集成溫度傳感器 制器； 智能溫度傳感器。目前，國際上新型溫度傳 感器正從模擬式向數(shù)字式、由集成化向智能化、網(wǎng)絡(luò)化的方向發(fā)展。 集成溫度傳感器的產(chǎn)品分類 模擬集成溫度傳感器 集成傳感器是采用硅半導(dǎo)體集成工藝而制成的，因此亦稱硅傳感器或單片集成溫度傳感 器。模擬集成溫度傳感器是在 世紀 年代問世的，它是將溫度傳感器集成在一個芯片上、 可完成溫度測量及模擬信號輸出功能的專用 。模擬集成溫度傳感器的主要特點是功能單 一（僅測量溫度）、測溫誤差小、價格低、響應(yīng)速度快、傳輸距離遠、體積小、微功耗，適合遠距離 測溫、控溫，不需要進行非線性校準。外圍電路簡單，它是目前在國內(nèi)外應(yīng)用最為普遍的一種 集成傳感器。典型產(chǎn)品有 等。
上傳時間： 2022-03-23
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74HC4066是一款硅柵COMS四路模擬開關(guān)，被設(shè)計用于處理模擬和數(shù)字信號。74HC4066的各開關(guān)允許振幅高達6V（峰值）的信號進行雙向傳輸。 74HC4066的各個開關(guān)單元擁有各自的使能輸入控制（C）。在C端輸入高電平將會導(dǎo)通其對應(yīng)的開關(guān)單元?！ ?4HC4066的應(yīng)用包括信號選通、斬波、調(diào)制解調(diào)（modem）、以及用于模數(shù)轉(zhuǎn)換/數(shù)模轉(zhuǎn)換的信號復(fù)用系統(tǒng)。
標簽： 數(shù)字電壓表 proteus
上傳時間： 2022-06-10
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1.1 什么是整流電路整流電路（rectifying circuit）把交流電能轉(zhuǎn)換為直流電能的電路。大多數(shù)整流電路由變壓器、整流主電路和濾波器等組成。它在直流電動機的調(diào)速、發(fā)電機的勵磁調(diào)節(jié)、電解、電鍍等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。整流電路通常由主電路、濾波器和變壓器組成，20世紀70年代以后，主電路多用硅整流二極管和晶閘管組成。濾波器接在主電路與負載之間，用于濾除脈動直流電壓中的交流成分。變壓器設(shè)置與否視具體情況而定。變壓器的作用是實現(xiàn)交流輸入電壓與直流輸出電壓間的匹配以及交流電網(wǎng)與整流電路之間的電隔離?？梢詮母鞣N角度對整流電路進行分類，主要的分類方法有：按組成的期間可分為不可控，半控，全控三種；按電路的結(jié)構(gòu)可分為橋式電路和零式電路：按交流輸入相數(shù)分為單相電路和多相電路；按變壓器二次側(cè)電流的方向是單向還是雙向，又可分為單拍電路和雙拍電路1.2整流電路的發(fā)展與應(yīng)用電力電子器件的發(fā)展對電力電子的發(fā)展起著決定性的作用，因此不管是整流器還是電力電子技術(shù)的發(fā)展都是以電力電子器件的發(fā)展為綱的，1947年美國貝爾實驗室發(fā)明了晶體管，引發(fā)了電子技術(shù)的一次革命：1957年美國通用公司研制了第一個品閘管，標志著電力電子技術(shù)的誕生：70年代后期，以門極可關(guān)斷晶閘管（GTO）、電力雙極型晶體管（BJT）和電力場效應(yīng)晶體管（power-MOSFET）為代表的全控型器件迅速發(fā)展，把電力電子技術(shù)推上一個全新的階段：80年代后期，以絕緣極雙極型品體管（IGBT）為代表的復(fù)合型器件異軍突起，成為了現(xiàn)代電力電子技術(shù)的主導(dǎo)器件。另外，采用全控型器件的電路的主要控制方式為PWM脈寬調(diào)制式，后來，又把驅(qū)動，控制，保護電路和功率器件集成在一起，構(gòu)成功率集成電路（PIC），隨著全控型電力電子器件的發(fā)展，電力電電路的工作頻率也不斷提高。同時。電力電子器件的開關(guān)損耗也隨之增大，為了減小開關(guān)損耗，軟開關(guān)技術(shù)便應(yīng)運而生，零電壓開關(guān)（ZVS）和零電流開關(guān)（ZCS）把電力電子技術(shù)和整流電路的發(fā)展推向了新的高潮。
標簽： 整流電路
上傳時間： 2022-06-18
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為了滿足一些重要用電設(shè)備的連續(xù)供電，對電網(wǎng)供電提出了更高的要求。為此，引入一種新型UPS是不間斷電源（uninterruptible power system）的英文簡稱，是能夠提供持續(xù)、穩(wěn)定、不間斷的電源供應(yīng)的重要外部設(shè)備。UPS先將交流電直流成直流電，一路給蓄電池充電，一路經(jīng)逆變器變成恒壓恒頻的交流電，不論是市電供電還是斷電由電池供電，總是通過逆變系統(tǒng)提供電力，因而市電停電或來電時無任何轉(zhuǎn)換間斷，市電的干擾也完全不影響到UPS的輸出端，另外，UPS提供的電力為純凈的正弦波交流電，適用的負載范圍寬，可以為多種精密用電設(shè)備提供穩(wěn)定的不間斷電源，此外，UPS的優(yōu)點還在于它的零轉(zhuǎn)換時間以及高質(zhì)量的輸出電源品質(zhì)，因此它更適合于一些關(guān)鍵性的應(yīng)用場合.UPS由于其工作方式是先對電池充電，然后再由逆變器將電池的電能逆變成交流，因此在電能的轉(zhuǎn)化過程中有一部分電能將被損失掉。電子技術(shù)是根據(jù)電子學(xué)的原理，運用電子器件設(shè)計和制造某種特定功能的電路以解決實際問題的科學(xué)，包括信息電子技術(shù)和電力電子技術(shù)兩大分支。信息電子技術(shù)包括Analog（模擬）電子技術(shù)和Digital（數(shù)字）電子技術(shù)。電子技術(shù)是對電子信號進行處理的技術(shù)，處理的方式主要有：信號的發(fā)生、放大、濾波、轉(zhuǎn)換。現(xiàn)代電力電子技術(shù)的發(fā)展方向，是從以低頻技術(shù)處理問題為主的傳統(tǒng)電力電子學(xué)，向以高頻技術(shù)處理問題為主的現(xiàn)代電力電子學(xué)方向轉(zhuǎn)變。電力電子技術(shù)起始于五十年代末六十年代初的硅整流器件，其發(fā)展先后經(jīng)歷了整流器時代、逆變器時代和變頻器時代，并促進了電力電子技術(shù)在許多新領(lǐng)域的應(yīng)用。八十年代末期和九十年代初期發(fā)展起來的、以功率MOSFET和IGBT為代表的、集高頻、高壓和大電流于一身的功率半導(dǎo)體復(fù)合器件，表明傳統(tǒng)電力電子技術(shù)已經(jīng)進入現(xiàn)代電力電子時代。
標簽： UPS電源
上傳時間： 2022-06-19
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本文主要超薄芯片的背面金屬化中的一些問題，闡述了兩種主要的背面金屬化工藝的建立，并解決了這兩個工藝中關(guān)鍵問題，使得工藝獲得好的成品率，提高了產(chǎn)品的可靠性，實現(xiàn)了大規(guī)模量產(chǎn)。流程（一）介紹了一種通過技術(shù)轉(zhuǎn)移在上海先進半導(dǎo)體制造有限公司（ASMC）開發(fā)的一種特殊工藝，工藝采用特殊背面去應(yīng)力工藝，通過機械應(yīng)力和背銀沾污的控制，將背面金屬和硅片的黏附力和金硅接觸電阻大大改善。論文同時闡述了一種自創(chuàng)的檢驗黏附力的方法，通過這種方法的監(jiān)控，大幅度提高了產(chǎn)品良率，本論文的研究課題來源于企業(yè)的大規(guī)模生產(chǎn)實踐，對于同類的低壓低導(dǎo)通電阻VDMOS產(chǎn)品有實用的參考意義。流程（二）討論了在半導(dǎo)體器件中應(yīng)用最為廣泛的金-硅合金工藝的失效模式及其解決辦法。并介紹了我公司獨創(chuàng)的刻蝕-淀積-合金以及應(yīng)力控制同時完成的方案。通過這種技術(shù)，使得金硅合金質(zhì)量得到大步的提升，并同時大大減少了背金工藝中的碎片問題，為企業(yè)獲得了很好的效益。
上傳時間： 2022-06-26
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