計數器是一種重要的時序邏輯電路,廣泛應用于各類數字系統中。介紹以集成計數器74LS161和74LS160為基礎,用歸零法設計N進制計數器的原理與步驟。用此方法設計了3種36進制計數器,并用Multisim10軟件進行仿真。計算機仿真結果表明設計的計數器實現了36進制計數的功能?;诩捎嫈灯鞯腘進制計數器設計方法簡單、可行,運用Multisim 10進行電子電路設計和仿真具有省時、低成本、高效率的優越性。
標簽: 歸零法 N進制計數器原
上傳時間: 2013-10-11
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在理論模型的基礎上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質摻雜濃度的變化規律。所得結論與硅、鍺p-n 結實驗數據相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。
標簽: p-n 隧道 擊穿 模型研究
上傳時間: 2013-10-31
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半導體的產品很多,應用的場合非常廣泛,圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別,圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array 雖然半導體元件的外型種類很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片,透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內部的晶片,圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當引發過電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED,也就是發光二極體,其內部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來做分別,晶片是貼附在負極的腳上,經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時,晶片會發光而使LED發亮,如圖六所示。 半導體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產品,稱為IC封裝製程,又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節中將簡介這兩段的製造程序。
標簽: 封裝 IC封裝 制程
上傳時間: 2014-01-20
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N+緩沖層設計對PT-IGBT器件特性的影響至關重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進行仿真。提取相同電流密度下,不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態壓降,得到了通態壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線,該仿真結果與理論分析一致。對于PT-IGBT結構,N+緩沖層濃度及厚度存在最優值,只要合理的選取可以有效地降低通態壓降。
標簽: PT-IGBT 緩沖層
上傳時間: 2013-11-12
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隨著我國通信、電力事業的發展,通信、電力網絡的規模越來越大,系統越來越復雜。與之相應的對交流供電的可靠性、靈活性、智能化、免維護越來越重要。在中國通信、電力網絡中,傳統的交流供電方案是以UPS或單機式逆變器提供純凈不間斷的交流電源。由于控制技術的進步、完善,(N+X)熱插拔模塊并聯逆變電源已經非常成熟、可靠;在歐美的通信、電力發達的國家,各大通信運營商、電力供應商、軍隊均大量應用了這種更合理的供電方案。與其它方案相比較,(N+X)熱插拔模塊并聯逆變電源具有以下明顯的優點。
標簽: 熱插拔 模塊 并聯 應用前景
上傳時間: 2014-03-24
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MSP430G2553 硬件例程 非常全面
標簽: G2553 2553 430G MSP
上傳時間: 2013-12-11
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PIC16F877_C語言例程.pdf
標簽: PIC 877 16 語言
上傳時間: 2013-11-18
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MeTech Verilog例程。
標簽: Verilog MeTech 1.0
上傳時間: 2013-11-05
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stm8s的c語言編程例程
標簽: stm8s c語言 編程
上傳時間: 2013-11-08
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HCS08HCS12系列單片機 飛思卡爾公司的 HCS08/HCS12 系列 MCU,因其速度快、功能強、功耗小、價 格低等特點,在業界得到了廣泛的應用。 在 HCS08/HCS12 系列 MCU 中,飛思卡爾引入了新的片上調試技術——BDM。 這種調試技術由于其優越的性能而逐漸被業界接受,成為廣泛使用的MCU在線編程 調試方法。針對 BDM 技術,國外公司提供了功能強大的編程調試器,但價格高昂, 難以被國內廣大用戶接受;國內一些高校也進行了相關研究開發,但是研發的編程調 試器大多存在以下三個問題:一是隨著飛思卡爾MCU總線頻率的不斷提高,這些編 程調試器已經不能適應與高頻率MCU的通信的要求;二是無法與飛思卡爾的集成開 發環境 CodeWarrior 兼容,使用很不方便;三是由于采用 USB1.1 協議,導致整體通 信速度很慢。 本文對國內外已有的HCS08/HCS12 編程調試器進行了深入的技術分析,綜合目 前微控制器的最新發展技術,提出了采用USB2.0 通信接口的編程調試器硬件及底層 驅動的設計方案,實現了一種新型高效的適用于飛思卡爾 HCS08/HCS12 系列 MCU 的 USBDM(Universal BDM,通用 BDM編程調試器),有效地解決了國內編程調試 器普遍存在的頻率瓶頸及通信速度。同時,本文在研究CodeWarrior的通信接口規范 的基礎上,剖析了CodeWarrior中通信接口函數的功能,實現了作者編程調試器體系 中的通信函數,使之適用于 CodeWarrior 開發環境。USBDM 編程調試器通信函數動 態鏈接庫的設計,不僅便于使用編程調試器進行二次開發,也方便了驅動程序的更新。
標簽: HCS MCU 08 12
上傳時間: 2013-10-28
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