本文對(duì)基于FPGA的液晶顯示控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)進(jìn)行了研究。設(shè)計(jì)中從LCD技術(shù)參數(shù)著手，通過(guò)對(duì)顯示驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)與工作原理的研究，設(shè)計(jì)出顯示控制系統(tǒng)的框圖及各功能模塊的VHDL程序，通過(guò)單片機(jī)系統(tǒng)配置FPGA芯片，控制LCD顯示相應(yīng)的漢字和圖形。LCD顯示控制系統(tǒng)由顯示控制電路、顯示驅(qū)動(dòng)電路和相關(guān)外圍輔助電路組成。顯示控制電路從電路中各個(gè)功能模塊所需要的控制時(shí)序信號(hào)出發(fā)，通過(guò)對(duì)其工作過(guò)程的研究，設(shè)計(jì)出控制器、RAM控制器等各功能模塊。顯示驅(qū)動(dòng)電路從LCD工作所需要的掃描時(shí)序信號(hào)出發(fā)，設(shè)計(jì)出時(shí)序發(fā)生電路等各功能模塊。所有的VHDL程序通過(guò)了MAX+PLUS—II軟件實(shí)現(xiàn)編譯及仿真后，在實(shí)際的硬件中調(diào)試通過(guò)。
標(biāo)簽： FPGA 液晶顯示 控制系統(tǒng)
上傳時(shí)間： 2013-04-24
上傳用戶：asasasas
本文對(duì)基于FPGA的液晶顯示控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)進(jìn)行了研究。設(shè)計(jì)中從LCD技術(shù)參數(shù)著手，通過(guò)對(duì)顯示驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)與工作原理的研究，設(shè)計(jì)出顯示控制系統(tǒng)的框圖及各功能模塊的VHDL程序，通過(guò)單片機(jī)系統(tǒng)配置FPGA芯片，控制LCD顯示相應(yīng)的漢字和圖形。LCD顯示控制系統(tǒng)由顯示控制電路、顯示驅(qū)動(dòng)電路和相關(guān)外圍輔助電路組成。顯示控制電路從電路中各個(gè)功能模塊所需要的控制時(shí)序信號(hào)出發(fā)，通過(guò)對(duì)其工作過(guò)程的研究，設(shè)計(jì)出控制器、RAM控制器等各功能模塊。顯示驅(qū)動(dòng)電路從LCD工作所需要的掃描時(shí)序信號(hào)出發(fā)，設(shè)計(jì)出時(shí)序發(fā)生電路等各功能模塊。所有的VHDL程序通過(guò)了MAX+PLUS—II軟件實(shí)現(xiàn)編譯及仿真后，在實(shí)際的硬件中調(diào)試通過(guò)。
標(biāo)簽： FPGA 液晶顯示 控制系統(tǒng)
上傳時(shí)間： 2013-05-24
上傳用戶：portantal
PCB LAYOUT 術(shù)語(yǔ)解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD：在銲錫面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER：?jiǎn)巍㈦p層板之各層線路；多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER：通常指多層板之電源層。8. INNER PAD：多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD：多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範(fàn)圍，不與零件腳相接。10. THERMAL PAD：多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時(shí)所使用之PAD，一般稱為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊)：除了SMD PAD 外，其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號(hào)的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時(shí)的走線格點(diǎn)2. Test Point : ATE 測(cè)試點(diǎn)供工廠ICT 測(cè)試治具使用ICT 測(cè)試點(diǎn) LAYOUT 注意事項(xiàng):PCB 的每條TRACE 都要有一個(gè)作為測(cè)試用之TEST PAD(測(cè)試點(diǎn))，其原則如下：1. 一般測(cè)試點(diǎn)大小均為30-35mil，元件分布較密時(shí)，測(cè)試點(diǎn)最小可至30mil.測(cè)試點(diǎn)與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測(cè)試點(diǎn)與測(cè)試點(diǎn)間的間距最小為50-75mil，一般使用75mil。密度高時(shí)可使用50mil,3. 測(cè)試點(diǎn)必須均勻分佈於PCB 上，避免測(cè)試時(shí)造成板面受力不均。4. 多層板必須透過(guò)貫穿孔(VIA)將測(cè)試點(diǎn)留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測(cè)試點(diǎn)必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測(cè)率7. 測(cè)試點(diǎn)設(shè)置處:Setuppadsstacks
標(biāo)簽： layout design pcb 硬件工程師
上傳時(shí)間： 2013-10-22
上傳用戶：pei5
經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來(lái)調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來(lái)做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測(cè)試。
上傳時(shí)間： 2014-09-08
上傳用戶：swing
數(shù)據(jù)處理與控制策略Data Processing & Control Strategy數(shù)字控制器的設(shè)計(jì)技術(shù),數(shù)字濾波和數(shù)據(jù)處理,數(shù)控技術(shù)基礎(chǔ),數(shù)字PID控制算法常規(guī)控制方案,先進(jìn)控制方案,計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)是指在給定系統(tǒng)性能指標(biāo)的條件下，設(shè)計(jì)出控制器的控制規(guī)律和相應(yīng)的數(shù)字控制算法 大多數(shù)計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)是由處理數(shù)字信號(hào)的過(guò)程控制計(jì)算機(jī)和連續(xù)的被控過(guò)程組成的數(shù)字信號(hào)與連續(xù)信號(hào)并存的“混合系統(tǒng)” 數(shù)字控制器的分析和設(shè)計(jì)方法數(shù)字控制器的連續(xù)化設(shè)計(jì)技術(shù)數(shù)字控制器的離散化設(shè)計(jì)技術(shù)
標(biāo)簽： 數(shù)據(jù)處理 控制策略
上傳時(shí)間： 2013-10-30
上傳用戶：yanming8525826
三種方法讀取鍵值 使用者設(shè)計(jì)行列鍵盤(pán)介面，一般常採(cǎi)用三種方法讀取鍵值。 中斷式 在鍵盤(pán)按下時(shí)產(chǎn)生一個(gè)外部中斷通知CPU，並由中斷處理程式通過(guò)不同位址讀資料線上的狀態(tài)判斷哪個(gè)按鍵被按下。 本實(shí)驗(yàn)採(cǎi)用中斷式實(shí)現(xiàn)使用者鍵盤(pán)介面。 掃描法 對(duì)鍵盤(pán)上的某一行送低電位，其他為高電位，然後讀取列值，若列值中有一位是低，表明該行與低電位對(duì)應(yīng)列的鍵被按下。否則掃描下一行。 反轉(zhuǎn)法 先將所有行掃描線輸出低電位，讀列值，若列值有一位是低表明有鍵按下；接著所有列掃描線輸出低電位，再讀行值。 根據(jù)讀到的值組合就可以查表得到鍵碼。4x4鍵盤(pán)按4行4列組成如圖電路結(jié)構(gòu)。按鍵按下將會(huì)使行列連成通路，這也是見(jiàn)的使用者鍵盤(pán)設(shè)計(jì)電路。 //-----------4X4鍵盤(pán)程序--------------// uchar keboard(void) { uchar xxa,yyb,i,key; if((PINC&0x0f)!=0x0f) //是否有按鍵按下 {delayms(1); //延時(shí)去抖動(dòng) if((PINC&0x0f)!=0x0f) //有按下則判斷 { xxa=~(PINC|0xf0); //0000xxxx DDRC=0x0f; PORTC=0xf0; delay_1ms(); yyb=~(PINC|0x0f); //xxxx0000 DDRC=0xf0; //復(fù)位 PORTC=0x0f; while((PINC&0x0f)!=0x0f) //按鍵是否放開(kāi) { display(data); } i=4; //計(jì)算返回碼 while(xxa!=0) { xxa=xxa>>1; i--; } if(yyb==0x80) key=i; else if(yyb==0x40) key=4+i; else if(yyb==0x20) key=8+i; else if(yyb==0x10) key=12+i; return key; //返回按下的鍵盤(pán)碼 } } else return 17; //沒(méi)有按鍵按下 }
上傳時(shí)間： 2013-11-12
上傳用戶：a673761058
PCB LAYOUT 術(shù)語(yǔ)解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD：在銲錫面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER：?jiǎn)巍㈦p層板之各層線路；多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER：通常指多層板之電源層。8. INNER PAD：多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD：多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範(fàn)圍，不與零件腳相接。10. THERMAL PAD：多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時(shí)所使用之PAD，一般稱為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊)：除了SMD PAD 外，其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號(hào)的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時(shí)的走線格點(diǎn)2. Test Point : ATE 測(cè)試點(diǎn)供工廠ICT 測(cè)試治具使用ICT 測(cè)試點(diǎn) LAYOUT 注意事項(xiàng):PCB 的每條TRACE 都要有一個(gè)作為測(cè)試用之TEST PAD(測(cè)試點(diǎn))，其原則如下：1. 一般測(cè)試點(diǎn)大小均為30-35mil，元件分布較密時(shí)，測(cè)試點(diǎn)最小可至30mil.測(cè)試點(diǎn)與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測(cè)試點(diǎn)與測(cè)試點(diǎn)間的間距最小為50-75mil，一般使用75mil。密度高時(shí)可使用50mil,3. 測(cè)試點(diǎn)必須均勻分佈於PCB 上，避免測(cè)試時(shí)造成板面受力不均。4. 多層板必須透過(guò)貫穿孔(VIA)將測(cè)試點(diǎn)留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測(cè)試點(diǎn)必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測(cè)率7. 測(cè)試點(diǎn)設(shè)置處:Setuppadsstacks
標(biāo)簽： layout design pcb 硬件工程師
上傳時(shí)間： 2013-11-17
上傳用戶：cjf0304
微電腦型單相交流集合式電表（單相二線系統(tǒng)） 特點(diǎn)： 精確度0.25%滿刻度±1位數(shù) 可同時(shí)量測(cè)與顯示交流電壓,電流,頻率,瓦特,(功率因數(shù)/視在功率) 交流電壓,電流,瓦特皆為真正有效值(TRMS) 交流電流,瓦特之小數(shù)點(diǎn)可任意設(shè)定 瓦特單位W或KW可任意設(shè)定 CT比可任意設(shè)定(1至999) 輸入與輸出絕緣耐壓 2仟伏特/1分鐘( 突波測(cè)試強(qiáng)度4仟伏特(1.2x50us) 數(shù)位RS-485界面 (Optional) 主要規(guī)格： 精確度: 0.1% F.S.±1 digit (Frequency) 0.25% F.S.±1 digit(ACA,ACV,Watt,VA) 0.25% F.S. ±0.25o(Power Factor) (-.300~+.300) 輸入負(fù)載: <0.2VA (Voltage) <0.2VA (Current) 最大過(guò)載能力: Current related input: 3 x rated continuous 10 x rated 30 sec. 25 x rated 3sec. 50 x rated 1sec. Voltage related input: maximum 2 x rated continuous 過(guò)載顯示: "doFL" 顯示值范圍: 0~600.0V(Voltage) 0~999.9Hz(Frequency)(<20% for voltage input) 0~19999 digit adjustable(Current,Watt,VA) 取樣時(shí)間: 2 cycles/sec. RS-485通訊位址: "01"-"FF" RS-485傳輸速度: 19200/9600/4800/2400 selective RS-485通信協(xié)議: Modbus RTU mode 溫度系數(shù): 100ppm/℃ (0-50℃) 顯示幕: Red high efficiency LEDs high 10.16 mm(0.4") 參數(shù)設(shè)定方式: Touch switches 記憶型式: Non-volatile E²PROM memory 絕緣抗阻: >100Mohm with 500V DC 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 1600 Vdc (input/output) 突波測(cè)試: ANSI c37.90a/1974,DIN-IEC 255-4 impulse voltage 4KV(1.2x50us) 使用環(huán)境條件: 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環(huán)境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認(rèn)證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上傳時(shí)間： 2015-01-03
上傳用戶：幾何公差
此為qpsk的範(fàn)例，將一訊號(hào)分解成I及Q part，再將訊號(hào)I及Q部分相加得到輸出
標(biāo)簽： qpsk
上傳時(shí)間： 2015-06-01
上傳用戶：youth25
SIC_XE程式Pass 1:先對(duì)每個(gè)Source statement做定location，Pass 2：對(duì)每個(gè)細(xì)項(xiàng)做不同的處理，算出object code，最後轉(zhuǎn)成machine code輸出。
標(biāo)簽： statement location SIC_XE Source
上傳時(shí)間： 2013-12-20
上傳用戶：a6697238
蟲(chóng)蟲(chóng)下載站版權(quán)所有 京ICP備2021023401號(hào)-1
