:設(shè)計了一種基于單片機(jī)控制的數(shù)控恒流源。數(shù)控恒流源以AT89S52 為控制核心,采用了高共模抑制比低溫漂的運(yùn)算放大器OP07 和達(dá)林頓管TIP122 構(gòu)成恒流源的主體,配以高精度12 bit D/ A 芯片MAX532 以及16 bit A/ D 芯片AD7715 完成單片機(jī)對輸出電流的實(shí)時監(jiān)測。
標(biāo)簽： 單片機(jī) 恒流源 技術(shù)研究
上傳時間： 2013-12-17
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上海晶豐明源半導(dǎo)體有限公司(Bright Power Semiconductor ) 是一家從事電源管理芯片設(shè)計和銷售的公司，公司主要產(chǎn)品是大功率LED驅(qū)動芯片.
上傳時間： 2013-10-16
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該文介紹了填谷式無源功率因數(shù)校正( PFC)電路的工作原理及其在基于離線式電源開關(guān)IC的LED驅(qū)動器中的應(yīng)用。
標(biāo)簽： PFC LED 無源 中的應(yīng)用
上傳時間： 2013-11-08
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運(yùn)放電路中的恒流源電路分析方法 普通鏡像恒流源、多集電極恒流源、高精度鏡像恒流源、高內(nèi)阻恒流源和鏡像微恒流源電路，以及恒流源電路輸出電阻的計算等。 分析恒流源電路的方法是： （1）確定恒流源電路中的基準(zhǔn)晶體管或場效應(yīng)管； （2） 計算或確定基準(zhǔn)電流； &nbbsp; （4）繪制恒流部分的交流通路，確定恒流源的內(nèi)阻。 由于恒流源的內(nèi)阻較大，計算恒流源內(nèi)阻時不能忽略三極管集電極與發(fā)射極之間，或場效應(yīng)管漏極與源極之間的動態(tài)電阻
上傳時間： 2013-10-09
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在傳統(tǒng)正溫度系數(shù)電流基礎(chǔ)上,增加兩種不同材料的電阻以實(shí)現(xiàn)帶隙基準(zhǔn)的二階溫度補(bǔ)償,采用具有反饋偏置的折疊共源共柵運(yùn)算放大器,使得所設(shè)計的帶隙基準(zhǔn)電路,具有較高的精度和溫度穩(wěn)定性。
標(biāo)簽： 高精度 帶隙基準(zhǔn)源
上傳時間： 2013-10-18
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介紹了一種基于Cortex-M3(STM32F103C8)芯片的高速度、低功耗、多功能數(shù)字可調(diào)共振源,以及系統(tǒng)的CPU部分、信號發(fā)生、濾波及放大部分及相應(yīng)的軟件設(shè)計。
標(biāo)簽： Cortex-M 數(shù)字 共振源 方案
上傳時間： 2013-11-03
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在醫(yī)用電阻抗層析成像（Electrical Impedance Tomography）系統(tǒng)中電壓控制電流源的性能十分重要，大部分報道的電壓控電流源電路在低頻時有較高的輸出阻抗但是在高頻時性能大幅減弱。通過分析生物阻抗測量系統(tǒng)對電壓控制電流源的需求，同時回顧一些已有的電壓控制電流源電路，包括雙運(yùn)放負(fù)反饋電路、跨導(dǎo)運(yùn)算放大器、AD844，設(shè)計了一種基于AD8610的電壓控制電流源。并通過電路實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了此電壓控制電流源的性能，同時提出了改進(jìn)方案。該電壓電流源不僅頻率和幅值可控、精度高，而且有較高的輸出阻抗。
標(biāo)簽： 電阻抗 成像系統(tǒng) 電壓控制 電流源
上傳時間： 2013-11-05
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交一直一交變頻器的中間直流環(huán)節(jié)如果是用大電容平波通常稱為電壓源型變頻器。如果分開來稱呼，則其后端逆變器部分叫電壓源逆變器(VSI)，產(chǎn)品GB和IEC標(biāo)準(zhǔn)也是這種稱呼。其前端整流部分對電網(wǎng)而言是— 個諧波源，也就叫電壓型諧波源。與此相對照，交一直一交變頻器的中間直流環(huán)節(jié)如果用大電感平波就分別稱為電流源型變頻器、電流源逆變器(CSD、電流源型諧波源。之所以要特別區(qū)分變頻器為電壓源和電流源兩大類是因?yàn)樗麄兊慕涣鬏斎腚娏鞑ㄐ魏妥冾l后輸出的交流電壓和交流電流的波形及性能都有很大的不同。
上傳時間： 2013-11-03
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什么叫光無源器件?光無源器件是一種不必借助外部的任何光或電的能量，由自身能夠完成某種光學(xué)功能的光學(xué)元器件，其工作原理遵守幾何光學(xué)理論和物理光學(xué)理論，各項技術(shù)指標(biāo)、各種計算公式和各種測試方法與纖維光學(xué)和集成光學(xué)息息相關(guān)。
標(biāo)簽： 無源器件
上傳時間： 2013-11-01
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基于槽式聚光熱電聯(lián)供系統(tǒng)，深入分析晶硅電池陣列和砷化鎵電池陣列在高倍聚光下的輸出特性及輸出功率的影響因素+ 研究結(jié)果表明，聚光光強(qiáng)下砷化鎵電池陣列輸出性能優(yōu)于晶硅電池陣列，高光強(qiáng)會導(dǎo)致光伏電池禁帶寬度變窄，短路電流成倍增加，增加輸出功率，但同時耗盡層復(fù)合率變大，開路電壓降低，制約陣列的輸出功率；高光強(qiáng)還引起電池溫度升高，電池陣列串聯(lián)內(nèi)阻增加+ 分析表明聚光作用下電池陣列串聯(lián)內(nèi)阻對輸出功率影響巨大，串聯(lián)內(nèi)阻從&!增加!!，四種電池陣列輸出功率分別損失$*,*(-，*.,’)-，**,)&-和%(,&!- +
上傳時間： 2013-10-18
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