基于FPGA的高速圖像采集和處理卡 能用于視覺檢測系統(tǒng)
上傳時間： 2013-08-28
上傳用戶：Shaikh
8051工作于11.0592MHZ,RAM擴展為128KB的628128,FlashRom擴展為128KB的AT29C010A\r\n 128KB的RAM分成4個區(qū)(Bank) 地址分配為0x0000-0x7FFF\r\n 128KB的FlashRom分成8個區(qū)(Bank) 地址分配為0x8000-0xBFFF\r\n 為了使8051能訪問整個128KB的RAM空間和128KB的FlashRom空間,在CPLD內(nèi)建兩個寄存器\r\n RamBankReg和FlashRomBankReg用于存放高位地址
標(biāo)簽： 128 FlashRom 8051 KB
上傳時間： 2013-08-30
上傳用戶：cainaifa
如果想學(xué)習(xí)PROTEL這個肯定能幫上你的忙
標(biāo)簽： PROTEL
上傳時間： 2013-09-18
上傳用戶：落花無痕
儲能專刊 東芝SCiB電池解讀，LIC技術(shù)分析，
上傳時間： 2013-10-08
上傳用戶：masochism
看到不少網(wǎng)友對COOLMOS感興趣，把自己收集整理的資料、個人理解發(fā)出來，與大家共享。個人理解不一定完全正確，僅供參考。COOLMOS（super junction）原理，與普通VDMOS的差異如下： 對于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu)，大家都知道Rdson與BV這一對矛盾關(guān)系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson就大了。所以對于普通VDMOS，兩者矛盾不可調(diào)和。8 X( ?1 B4 i* q: i但是對于COOLMOS，這個矛盾就不那么明顯了。通過設(shè)置一個深入EPI的的P區(qū)，大大提高了BV，同時對Rdson上不產(chǎn)生影響。為什么有了這個深入襯底的P區(qū)，就能大大提高耐壓呢？
標(biāo)簽： COOLMOS
上傳時間： 2014-12-23
上傳用戶：標(biāo)點符號
通過對速率方程的數(shù)值求解,得到二極管泵浦調(diào)Q固體激光器的性能參數(shù),即由激光器的結(jié)構(gòu)參數(shù)和泵浦參數(shù),求解出激光器的輸出參數(shù)。然后將其求解得到的輸出與設(shè)計要求的激光器輸出進(jìn)行比較,由此對輸入的結(jié)構(gòu)參數(shù)和泵浦參數(shù)進(jìn)行反復(fù)調(diào)整,直至最終輸出參數(shù)滿足設(shè)計要求的誤差.
上傳時間： 2013-11-06
上傳用戶：wenwiang
電子學(xué)名詞1、 電阻率---又叫電阻系數(shù)或叫比電阻。是衡量物質(zhì)導(dǎo)電性能好壞的一個物理量，以字母ρ表示，單位為歐姆*毫米平方/米。在數(shù)值上等于用那種物質(zhì)做的長1米截面積為1平方毫米的導(dǎo)線，在溫度20C時的電阻值，電阻率越大，導(dǎo)電性能越低。則物質(zhì)的電阻率隨溫度而變化的物理量，其數(shù)值等于溫度每升高1C時，電阻率的增加與原來的電阻電阻率的比值，通常以字母α表示，單位為1/C。2、 電阻的溫度系數(shù)----表示物質(zhì)的電阻率隨溫度而變化的物理量，其數(shù)值等于溫度每升高1C時，電阻率的增加量與原來的電阻率的比值，通常以字母α表示，單位為1/C。3、 電導(dǎo)----物體傳導(dǎo)電流的本領(lǐng)叫做電導(dǎo)。在直流電路里，電導(dǎo)的數(shù)值就是電阻值的倒數(shù)，以字母ɡ表示，單位為歐姆。4、 電導(dǎo)率----又叫電導(dǎo)系數(shù)，也是衡量物質(zhì)導(dǎo)電性能好壞的一個物理量。大小在數(shù)值上是電阻率的倒數(shù)，以字母γ表示，單位為米/歐姆*毫米平方。5、 電動勢----電路中因其他形式的能量轉(zhuǎn)換為電能所引起的電位差，叫做電動勢或者簡稱電勢。用字母E表示，單位為伏特。6、 自感----當(dāng)閉合回路中的電流發(fā)生變化時，則由這電流所產(chǎn)生的穿過回路本身磁通也發(fā)生變化，因此在回路中也將感應(yīng)電動勢，這現(xiàn)象稱為自感現(xiàn)象，這種感應(yīng)電動勢叫自感電動勢。7、 互感----如果有兩只線圈互相靠近，則其中第一只線圈中電流所產(chǎn)生的磁通有一部分與第二只線圈相環(huán)鏈。當(dāng)?shù)谝痪€圈中電流發(fā)生變化時，則其與第二只線圈環(huán)鏈的磁通也發(fā)生變化，在第二只線圈中產(chǎn)生感應(yīng)電動勢。這種現(xiàn)象叫做互感現(xiàn)象。8、 電感----自感與互感的統(tǒng)稱。9、 感抗----交流電流過具有電感的電路時，電感有阻礙交流電流過的作用，這種作用叫做感抗，以Lx表示，Lx=2πfL。10、容抗----交流電流過具有電容的電路時，電容有阻礙交流電流過的作用，這種作用叫做容抗，以Cx表示，Cx=1/12πfc。11、脈動電流----大小隨時間變化而方向不變的電流，叫做脈動電流。12、振幅----交變電流在一個周期內(nèi)出現(xiàn)的最大值叫振幅。13、平均值----交變電流的平均值是指在某段時間內(nèi)流過電路的總電荷與該段時間的比值。正弦量的平均值通常指正半周內(nèi)的平均值，它與振幅值的關(guān)系：平均值=0.637*振幅值。14、有效值----在兩個相同的電阻器件中，分別通過直流電和交流電，如果經(jīng)過同一時間，它們發(fā)出的熱量相等，那么就把此直流電的大小作為此交流電的有效值。正弦電流的有效值等于其最大值的0.707倍。15、有功功率----又叫平均功率。交流電的瞬時功率不是一個恒定值，功率在一個周期內(nèi)的平均值叫做有功功率，它是指在電路中電阻部分所消耗的功率，以字母P表示，單位瓦特。16、視在功率----在具有電阻和電抗的電路內(nèi)，電壓與電流的乘積叫做視在功率，用字母Ps來表示，單位為瓦特。17、無功功率----在具有電感和電容的電路里，這些儲能元件在半周期的時間里把電源能量變成磁場（或電場）的能量存起來，在另半周期的時間里對已存的磁場（或電場）能量送還給電源。它們只是與電源進(jìn)行能量交換，并沒有真正消耗能量。我們把與電源交換能量的速率的振幅值叫做無功功率。用字母Q表示，單位為芝。
標(biāo)簽： 電子學(xué)
上傳時間： 2013-11-23
上傳用戶：zhoujunzhen
PCB Layout Rule Rev1.70, 規(guī)範(fàn)內(nèi)容如附件所示, 其中分為: (1) ”PCB LAYOUT 基本規(guī)範(fàn)”:為R&D Layout時必須遵守的事項, 否則SMT,DIP,裁板時無法生產(chǎn). (2) “錫偷LAYOUT RULE建議規(guī)範(fàn)”: 加適合的錫偷可降低短路及錫球. (3) “PCB LAYOUT 建議規(guī)範(fàn)”:為製造單位為提高量產(chǎn)良率,建議R&D在design階段即加入PCB Layout. (4) ”零件選用建議規(guī)範(fàn)”: Connector零件在未來應(yīng)用逐漸廣泛, 又是SMT生產(chǎn)時是偏移及置件不良的主因,故製造希望R&D及採購在購買異形零件時能顧慮製造的需求, 提高自動置件的比例.
標(biāo)簽： LAYOUT PCB 設(shè)計規(guī)范
上傳時間： 2013-10-28
上傳用戶：zhtzht
針對振動能量采集器的輸出功率過低不足以直接驅(qū)動無線傳感器的問題，設(shè)計了振動自供能無線傳感器的電源管理電路，根據(jù)調(diào)諧和阻抗變換原理對能量采集器進(jìn)行了阻抗匹配，以最大功率對儲能超級電容進(jìn)行充電，對能量存儲和電源管理電路的充放電特性進(jìn)行了理論分析和實驗驗證。結(jié)果表明，該電路大幅度提高了采集器的輸出功率和對儲能超級電容充電的效率，當(dāng)0.47 F超級電容電壓達(dá)到0.6 V時，能量瞬間釋放電路控制超級電容瞬間放電，成功驅(qū)動最大功耗為75 mW的無線傳感器工作。
上傳時間： 2013-10-14
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電流型PWM整流器因其良好的功率因數(shù)和直流電流源特性，可望在某些場合取代產(chǎn)生大量諧波的二極管或晶閘管相控整流裝置，但是由于其本身的強耦合非線性特性，使得變流器常采用復(fù)雜的直接電流控制策略，從而使控制器的設(shè)計非常復(fù)雜。文中提出一種改進(jìn)的基于d-q坐標(biāo)系的間接電流控制方法，在電網(wǎng)電壓平衡情況下，通過解耦控制，能獲得線性的動態(tài)響應(yīng)。
標(biāo)簽： PWM 電流型 整流器 制器設(shè)計
上傳時間： 2014-12-24
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