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聲發(fā)(fā)射監(jiān)(jiān)測(cè)

  • 寬頻帶高功率射頻脈沖功率放大器

    利用MOS場效應(yīng)管(MOSFET),采取AB類推挽式功率放大方式,采用傳輸線變壓器寬帶匹配技術(shù),設(shè)計出一種寬頻帶高功率射頻脈沖功率放大器模塊,其輸出脈沖功率達1200W,工作頻段0.6M~10MHz。調(diào)試及實用結(jié)果表明,該放大器工作穩(wěn)定,性能可靠

    標(biāo)簽: 寬頻帶 高功率 射頻 脈沖功率放大器

    上傳時間: 2013-11-17

    上傳用戶:waitingfy

  • 射頻電路PCB設(shè)計

    射頻電路PCB設(shè)計

    標(biāo)簽: PCB 射頻電路

    上傳時間: 2014-01-13

    上傳用戶:a1054751988

  • 射頻電路PCB設(shè)計中注意問題

      PCB 設(shè)計對于電路設(shè)計而言越來越重要。但不少設(shè)計者往往只注重原理設(shè)計,而對PCB 板的設(shè)計布局考慮不多,因此在完成的電路設(shè)計中常會出現(xiàn)EMC 問題。文中從射頻電路的特性出發(fā),闡述了射頻電路PCB 設(shè)計中需要注意的一些問題。

    標(biāo)簽: PCB 射頻電路

    上傳時間: 2013-10-24

    上傳用戶:jiangxiansheng

  • protel 99se進行射頻電路PCB設(shè)計的流程

    介紹了采用protel 99se進行射頻電路pcb設(shè)計的設(shè)計流程為了保證電路的性能。在進行射頻電路pcb設(shè)計時應(yīng)考慮電磁兼容性,因而重點討論了元器件的布局與布線原則來達到電磁兼容的目的.關(guān)鍵詞 射頻電路 電磁兼容 布局

    標(biāo)簽: protel PCB 99 se

    上傳時間: 2013-11-14

    上傳用戶:竺羽翎2222

  • 基于DDS AD9835的高壓射頻信號源的設(shè)計

    基于DDS AD9835的高壓射頻信號源的設(shè)計

    標(biāo)簽: 9835 DDS AD 射頻信號源

    上傳時間: 2013-10-23

    上傳用戶:woshiayin

  • N+緩沖層對PT-IGBT通態(tài)壓降影響的研究

     N+緩沖層設(shè)計對PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進行仿真。提取相同電流密度下,不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降,得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線,該仿真結(jié)果與理論分析一致。對于PT-IGBT結(jié)構(gòu),N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值,只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。

    標(biāo)簽: PT-IGBT 緩沖層

    上傳時間: 2013-11-12

    上傳用戶:thesk123

  • 透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI

    經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們?nèi)绾螌MI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測試。

    標(biāo)簽: MOSFET EMI 電壓電流 控制

    上傳時間: 2014-09-08

    上傳用戶:swing

  • PC電源測試系統(tǒng)chroma8000

    PC電源測試系統(tǒng)chroma8000簡介

    標(biāo)簽: chroma 8000 電源測試系統(tǒng)

    上傳時間: 2013-11-08

    上傳用戶:xiehao13

  • 芯片掃盲

    一.晶片的作用: 晶片為LED的主要原材料,LED主要依靠晶片來發(fā)光. 二.晶片的組成. 主要有砷(AS) 鋁(AL) 鎵(Ga) 銦(IN) 磷(P) 氮(N)鍶(Si)這幾種元素中的若干種組成.

    標(biāo)簽: 芯片

    上傳時間: 2013-12-10

    上傳用戶:離殤

  • GEMS壓力變送器3000系列-超高壓變送器

    6 GEMS壓力變送器3000系列-超高壓變送器 GEMS壓力變送器3000的行業(yè)應(yīng)用: 船舶、工程機械 產(chǎn)品特點: ■工作壓力可高達10,000PSI ■高精度-在整個應(yīng)用過程中,精度在±0.15%之內(nèi) ■高穩(wěn)定性-長期漂移≤0.05%FS/6年 ■高的抗震動性能-采用了薄膜濺射式設(shè)計,取消了易破的連接線 GEMS壓力變送器3000的性能參數(shù) 精度 0.15%FS 重復(fù)性 0.03%FS 長期穩(wěn)定性 0.06%F.S/年 壓力范圍 0-500、1000、2000、3000、5000、6000、7500、10,000psi 耐壓 2xF.S,15,000PSI,Max. 破裂壓力 7xFS 4xFS,對于10,000psi 疲勞壽命 108次滿量程循環(huán) 零點公差 0.5%F.S 量程公差 0.5%F.S,響應(yīng)時間0.5毫秒 溫度影響 溫漂 1.5%FS(-20℃到80℃) 2%FS(-40℃到100℃) 2.7%FS(-55℃到120℃) GEMS壓力變送器3000的環(huán)境參數(shù) 振動 正弦曲線,峰值70g,5~5000HZ(根據(jù)MIL-STD810,514.2方法程序I) EMC 30V/m(100V/m Survivability) 電壓輸出 電路 見PDF文件(3線) 激勵 高于滿程電壓1.5VDC,最大到35VDC@6mA 最小環(huán)路電阻 (FS輸出/2)Kohms 供電靈敏度 0.01%FS/Volt 電流輸出 電路 2線 環(huán)路供電電壓 24VDC(7-35VDC) 輸出 4-20mA 最大環(huán)路電阻 (Vs-7)x50Ω 供電靈敏度 0.01%FS/V 比率輸出 輸出 0.5v到4.5v(3線)@5VDC供電 輸出激勵電壓 5VDC(4.75V-7VDC) GEMS壓力變送器3000的物理參數(shù) 殼體 IP65代碼G(NEMA4);IP67代碼F(NEMA6) 接液部件 17-4和15-5不銹鋼 電氣連接 見訂貨指南 壓力連接 1/4″NPT或G1/4 重量(約) 110g(電纜重量另加:75g/m) 機械震動 1000g/MIL-STD810,方法516.2,程序Ⅳ 加速度 在任意方向施加100g的穩(wěn)定加速度時1bar(15psi)量程變送器的輸出會波動0.032%FS/g,量程增大到400bar(6000psi)時輸出波動會按對數(shù)遞減至0.0007%FS/g. 認證等級 CE

    標(biāo)簽: GEMS 3000 壓力變送器 超高壓

    上傳時間: 2013-10-09

    上傳用戶:sdfsdfs1

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