傅里葉光學(xué)導(dǎo)論 J.W.顧德
標(biāo)簽: 傅里葉光學(xué)
上傳時間: 2022-06-01
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本文以質(zhì)量管理理論為基礎(chǔ),針對手機(jī)芯片封裝行業(yè)過于繁瑣的海量質(zhì)量數(shù)據(jù),建立以數(shù)據(jù)挖掘技術(shù)為基礎(chǔ)的質(zhì)量管理系統(tǒng),通過對手機(jī)芯片封裝質(zhì)量數(shù)據(jù)的采集、分析和處理,對手機(jī)芯片的質(zhì)量缺陷和不合格產(chǎn)品進(jìn)行分析和統(tǒng)計,診斷造成產(chǎn)品不合格的原因。本文首先回顧了國內(nèi)外關(guān)于質(zhì)量管理的發(fā)展歷程及最新趨勢,并對手機(jī)芯片封裝質(zhì)量管理進(jìn)行了綜述。在對數(shù)據(jù)挖掘、合格率管理等方面進(jìn)行深入分析探討的基礎(chǔ)上,提出了手機(jī)芯片封裝質(zhì)量管理系統(tǒng)的設(shè)計目標(biāo)、設(shè)計思路和功能模塊。本文的研究工作主要有以下幾個方面:1、對手機(jī)芯片封裝的制造過程、系統(tǒng)模式進(jìn)行了分析,著重研究了合格率管理和數(shù)據(jù)挖掘在手機(jī)芯片封裝中的應(yīng)用;2、運(yùn)用數(shù)據(jù)挖掘的方法,針對影響芯片封裝質(zhì)量的多個相關(guān)因素,進(jìn)行各因素的權(quán)重判定,確定哪些因素是影響質(zhì)量的關(guān)鍵因素,針對影響質(zhì)量的關(guān)鍵因素,通過對低合格率數(shù)據(jù)的提取與分析,定位封裝過程中可能造成不合格產(chǎn)品的關(guān)鍵點,為質(zhì)量改善提供依據(jù):3、搜集W公司2006年5月到8月的手機(jī)芯片封裝測試數(shù)據(jù),進(jìn)行實證研究,驗證了所提出的研究方法的準(zhǔn)確性。
標(biāo)簽: 手機(jī)芯片封裝 質(zhì)量管理系統(tǒng)
上傳時間: 2022-06-21
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15 W無線充電發(fā)射器解決方案(原理圖、BOM、應(yīng)用說明等).
標(biāo)簽: 無線充電發(fā)射器
上傳時間: 2022-06-21
上傳用戶:canderile
45 W隔離式反激式電源(90 VAC - 265 VAC輸入; 24 V,1.88 A輸出),適用于使用InnoSwitch3-CP(INN3268-H221)以及CV,CC和CP輸出選項的智能揚(yáng)聲器和管狀電機(jī)
標(biāo)簽: 智能揚(yáng)聲器 管狀電機(jī) 輸出隔離式反激式電源
上傳時間: 2022-07-11
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針對空間電壓欠量脈寬調(diào)制過程中存在的問題,采用理論推演與軟件設(shè)計方法,在介紹了s V P w M 的基本原理的基礎(chǔ)上,利用T I 公司的 D S P電機(jī)控制芯片 T M S 3 2 0 L F 2 4 0 7設(shè)計了S V P W M的實現(xiàn)方法,并給出 j - 變頻調(diào)速系統(tǒng)的全數(shù)字化實現(xiàn)。 通過對永磁同步電機(jī)進(jìn)行控制仿真實驗,得到的結(jié)果表明此方法是切實可行V , J ,控制系統(tǒng)具有優(yōu)良的動靜態(tài)性能,較高的控制效果,有廣泛的應(yīng)用前景。
上傳時間: 2013-04-24
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VB從入門到實踐。很適合vb的入門者。一邊學(xué)一邊做,更快掌握。-VB from entry to practice. Vb is very suitable for beginners. Side w
標(biāo)簽: VBfromentrytopractice
上傳時間: 2013-05-29
上傳用戶:shizhanincc
·《信號處理引論》【國外電子與通信教材系列】 【原書作者】: [美]James H. McClellan/ Ronald W. Schafer/ Mark A. Yoder【譯者】:周利清 等【出版社】 : 電子工業(yè)出版社【出版日期】:2005年4月【文件格式】:超星 本書是作者根據(jù)他們近十年的教學(xué)和研究
標(biāo)簽: 信號處理
上傳時間: 2013-04-24
上傳用戶:shuiyuehen1987
·《嵌入式軟件基礎(chǔ):C語言與匯編的融合》(Fundamentals of Embedded Software)(Daniel W. Lewis)英文版[PDF]
上傳時間: 2013-07-06
上傳用戶:kernaling
自定義的組件包。其中包含了市場上很炫的優(yōu)秀的用戶體驗組件, 供大家業(yè)務(wù)開發(fā)用。
標(biāo)簽: android-w android widget song
上傳時間: 2013-05-16
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ID 型號廠家用途構(gòu)造溝道v111(V) ixing(A) pdpch(W) waixing 1 2SJ11 東芝DC, LF A, JChop P 20 -10m 100m 4-2 2 2SJ12 東芝DC, LF A,J Chop P 20 -10m 100m 4-2 3 2SJ13 東芝DC, LF A, JChop P 20 -100m 600m 4-35 4 2SJ15 富士通DC, LF A J P 18 -10m 200m 4-1 5 2SJ16 富士通DC, LF A J P 18 -10m 200m 4-1 6 2SJ17 C-MIC J P 20 0.5m 10m 4-47 7 2SJ18 LF PA J(V) P 170 -5 63 4-45 8 2SJ19 NEC LF D J(V) P 140 -100m 800m 4-41 9 2SJ20 NEC LF PA J(V) P 100 -10 100 4-42 10 2SJ22 C-MIC J P 80 0.5m 50m 4-48 11 2SJ39 三菱LF A J P 50 -10m .15/CH 4-81 12 2SJ40 三菱LF A,A-SW J P 50 -10m 300m 4-151 13 2SJ43 松下LF A J P 50 20m 250m 4-80A 14 2SJ44 NEC LF LN A J P 40 -10m 400m 4-53A 15 2SJ45 NEC LF A J P 40 -10m 400m 4-53A 16 2SJ47 日立LF PA MOS P -100 -7 100 4-28A 17 2SJ48 日立LF PA, HS MPOSSW P -120 -7 100 4-28A 18 2SJ49 日立LF PA,HS PMSOWS P -140 -7 100 4-28A 19 2SJ49(H) 日立HS PSW MOS P -140 -7 100 4-28A 20 2SJ50 日立LF/HF PA,HMSO SPSW P -160 -7 100 4-28A 21 2SJ50(H) 日立HS PSW MOS P -160 -7 100 4-28A 22 2SJ51 日立LF LN A J P 40 -10m 800m 4-97A 23 2SJ55 日立LF/HF PA,HMSO SPSW P -180 -8 125 4-28A
標(biāo)簽: MOS 開關(guān)管 參數(shù)
上傳時間: 2013-10-10
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