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細(xì)胞培養(yǎng)

  • 600VFS結(jié)構(gòu)IGBT的設(shè)計(jì)

    本論文提出一種600V平面柵FS-IGBT器件的設(shè)計(jì)與制造方法,并通過和國(guó)內(nèi)某知名代工線合作,完成了器件制備和測(cè)試。600V面FS-IGBT的研制工作展開論述。1、首先對(duì)IGBT原理及FS層的原理進(jìn)行分析討論,然后結(jié)合代工線的特點(diǎn),進(jìn)行了600V平面柵FS結(jié)構(gòu)IGBT的工藝流程、元胞結(jié)構(gòu)與終端結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),最后完成版圖設(shè)計(jì)并進(jìn)行工藝流片。所設(shè)計(jì)的器件工藝流程為:先進(jìn)行器件背面的FS層制作,然后進(jìn)行正面結(jié)構(gòu)(包括元胞和終端)的制作,最后再進(jìn)行背面的P+區(qū)注入和金屬化。2、對(duì)流片獲得的600V FS-IGBT器件進(jìn)行了主要電學(xué)參數(shù)的測(cè)試和分析。測(cè)試結(jié)果為:耐壓大于700V、正向?qū)▔航档陀?.15V、閾值電壓4.1-4.5V。滿足設(shè)計(jì)要求。/本論文的研究成果對(duì)于促進(jìn)我國(guó)FS結(jié)構(gòu)IGBT的研究和產(chǎn)業(yè)化具有很好的參考價(jià)值,通過進(jìn)一步改進(jìn)工藝及結(jié)構(gòu),提高產(chǎn)品良率,最終可以形成有競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品。

    標(biāo)簽: igbt

    上傳時(shí)間: 2022-06-19

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