隨著功率開關器件的發展，電力電子裝置日益小型化和高頻化，電氣性能大幅提高，但是隨之產生的高次諧波卻對電網造成嚴重污染。在電力電子設備中，整流器(AC／DC變流器)占有較大的比例，是主要的污染源。由于固態感應加熱電源對于電網呈現非線性特性，從電網中輸出的電流就不是標準的正弦曲線。高頻諧波電流對電力設施產生過熱或其他危害。 Boost電路應用到功率因數校正方面已經較為成熟，對于幾百瓦小功率的功率因數校正，常規的電路是可以實現的。但是對于大功率諸如感應加熱電源，還存在很多的實際問題。為了解決開關器件由于二極管反向恢復時產生的沖擊電流而易損壞的情況，減少開關器件在高頻下的開關損耗，本文采用一種無源無損緩沖電路取代傳統的LC濾波電路。在分析了軟開關電路的工作原理以及逆變模塊的分時-移相功率控制策略后，應用Matlab軟件進行了仿真，并通過實驗結果驗證了理論分析的正確性。
上傳時間： 2014-12-24
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移相控制的全橋PWM變換器是最常用的中大功率DC／DC變換電路拓撲形式之一。移相PWM控制方式利用開關管的結電容和高頻變壓器的漏電感或原邊串聯電感作為諧振元件，使開關管能進行零電壓開通和關斷，從而有效地降低了電路的開關損耗和開關噪聲，減少了器件開關過程中產生的電磁干擾，為變換器提高開關頻率、提高效率、減小尺寸及減輕質量提供了良好的條件。然而，傳統的移相全橋變換器的輸出整流二極管存在反向恢復過程，會引起寄生振蕩，二極管上存在很高的尖峰電壓，需增加阻容吸收回路進行抑制，文獻提出了兩種帶箝位二極管的拓撲，可以很好地抑制寄生振蕩。本文采取文獻提出的拓撲結構，設計了一臺280 W移相全橋軟開關DC／DC變換器，該變換器輸入電壓為194～310 V，輸出電壓為76V。
上傳時間： 2014-08-30
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采用CD4046和AD630設計了一個雙相位鎖相放大器,并進行了實驗驗證,實驗驗證結果表明,該放大器可以測量1 mA以下的交流電流,靈敏度為20 mV/mA,精度0.05%,是一種高精度、實用型鎖相放大電路。
上傳時間： 2013-12-08
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為了檢測四相輸電系統中的諧波藕光功電流，在迸一步完善FBD法定義的基礎上，提出了一種基于FBD法的四相輸電系統電流檢測方法。該方法利用鎖相環產生參考電壓，
上傳時間： 2013-12-15
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電阻電壓降的空氣擊穿強度為 500KV/m 已是共識，然而筆者在研制“低壓電源避雷絕緣子”專利產品過程中，發現小間隙的電阻電壓降的空氣擊穿強度大大高于此值，于是就對空氣微小間隙放電的伏距特性進行了測試研究。發現了空氣間隙放電的伏距特性隨著間隙的增大由非線性變化區段發展到線性變化區段的規律。500KV/m 只是間隙無限增大時空氣擊穿強度無限趨近的最低值，與小間隙的空氣擊穿強度嚴重不符。
上傳時間： 2013-10-20
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當前，太陽能光伏市場(包括光伏模塊和逆變器)正以每年約30%的年累積速 度增長。太陽能逆變器的作用是將隨太陽能輻射及光照變化的DC 電壓轉換成為 電網兼容的AC 輸出；而對于廣大電子工程師而言，太陽能逆變器是一個值得高 度關注的技術領域。因此下文將介紹太陽能逆變器設計所需注意的技術要點、挑 戰以及相應的解決方法。 基本設計標準 基于太陽能逆變器的專用性以及保持設計的高效率，它需要持續監視太陽能 電池板陣列的電壓和電流，從而了解太陽能電池板陣列的瞬時輸出功率。它還需 要一個電流控制的反饋環，用于確保太陽能電池板陣列工作在最大輸出功率點， 以應付多變的高輸入。目前，太陽能逆變器已有多種拓撲結構，最常見的是用于 單相的半橋、全橋和Heric(Sunways 專利)逆變器，以及用于三相的六脈沖橋和 中點鉗位（NPC）逆變器；圖1 所示是這些逆變器的拓撲圖(Microsemi 圖源)。 同時，設計還需遵從安全規范，并在電網發生故障的時候可以快速斷開與電網的 連接。因此，太陽能逆變器的基本設計標準包括額定電壓、容量、效率、電池能 效、輸出AC 電源質量、最大功率點跟蹤（MPPT）效能、通信特性和安全性
標簽： 太陽能逆變器
上傳時間： 2014-12-24
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摘要：發光二極管（LED）技術的快速發展使其在照明工程中的應用越來越廣泛。針對LED 照明的特點和光學特性參數，從驅動電路入手，設計了一款照明燈實用LED 驅動電路，并將理論分析結果與LED 驅動電路的實際測量結果進行了對比，對比結果表明，該驅動電路具有實用性，既能滿足照明工程的功能性要求，又能夠實現最大限度的節能。
上傳時間： 2013-11-20
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文章闡述了零電壓開關技術在移相全橋變換器中的應用, 提出了一種改進型的零電壓零電流全橋移相開關電源, 對電路的工作原理、工作模式作了具體分析, 主要器件的參數選擇作了設計, 并給出了由控制芯片UC3875 構成的3KW 實用高頻開關電源。
上傳時間： 2013-11-18
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采用射頻等離子體增強化學氣相沉積(RF2PECVD)技術制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結構為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶化硅薄膜能夠在a2Si 表面成功生長,電池制備過程中采用了H 等離子體處理a2Si 表面的方法。通過調節電池P 層和N 層厚度和H 等離子體處理a2Si 表面的時間,優化了太陽能電池的制備工藝。結果表明,使用H 等離子體處理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面獲得高電導率的P 型晶化硅薄膜,并且這種結構可以應用到電池上;當P 型晶化硅層沉積時間12. 5 min ,N 層沉積12 min ,此種結構電池特性最好,效率達6. 40 %。通過調整P 型晶化硅薄膜的結構特征,將能進一步改善電池的性能。
上傳時間： 2013-11-21
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在假設并網光伏電站各交流器件的輸出和輸入變量只含有基波分量的前提下,提出了一種利用相量法和受控源法模擬并網光伏電站電能轉換及傳輸系統特性的方法,并建立了包含光伏陣列,具有最大功率跟蹤功能的逆變器、變壓器及控制系統的并網光伏電站整體仿真模型。通過采用國內某地并網光伏電站的實測數據進行的仿真驗證及誤差分析可知,所提出的光伏電站模擬方法和數學模型是有效的。
上傳時間： 2013-10-30
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