高可用性電信繫統(tǒng)采用冗餘電源或電池供電來增強(qiáng)繫統(tǒng)的可靠性。人們通常采用分立二極管來把這些電源組合於負(fù)載點(diǎn)處
標(biāo)簽: MOSFET 二極管 減 發(fā)熱
上傳時(shí)間: 2013-10-29
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N+緩沖層設(shè)計(jì)對PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行仿真。提取相同電流密度下,不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降,得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線,該仿真結(jié)果與理論分析一致。對于PT-IGBT結(jié)構(gòu),N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值,只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。
標(biāo)簽: PT-IGBT 緩沖層
上傳時(shí)間: 2013-11-12
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場效應(yīng)管的開關(guān)電路在電源技術(shù)中應(yīng)用較多
標(biāo)簽: 場效應(yīng)管 中的應(yīng)用 開關(guān)電路
上傳時(shí)間: 2013-11-08
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常用穩(wěn)壓二級管技術(shù)參數(shù)
標(biāo)簽: 常用穩(wěn)壓 二級 合成 技術(shù)參數(shù)
上傳時(shí)間: 2013-10-23
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晶閘管交流調(diào)功器主電路設(shè)計(jì)
標(biāo)簽: 晶閘管 交流 主電路 調(diào)功器
上傳時(shí)間: 2013-12-13
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一種實(shí)用的晶閘管調(diào)速電路
標(biāo)簽: 晶閘管 調(diào)速電路
上傳時(shí)間: 2013-11-18
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5000種場效應(yīng)管速查
標(biāo)簽: 5000 場效應(yīng)管 速查
上傳時(shí)間: 2013-11-06
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提高mos管的效率,MOS的損耗計(jì)算。
標(biāo)簽: MOS 驅(qū)動 功耗計(jì)算
上傳時(shí)間: 2013-12-24
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這里本站向大家介紹的逆變器(見圖1)主要由MOS場效應(yīng)管,普通電源變壓器構(gòu)成。它的輸出功率取決于MOS場效應(yīng)管和電源變壓器的功率,免除了煩瑣的變壓器繞制,適合電子愛好者業(yè)余制作中采用。下面介紹該變壓器的工作原理及制作過程。
標(biāo)簽: MOS 電源變壓器 場效應(yīng)管 逆變器
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RSM232P隔離全功能RS-232收發(fā)器是一款具備電源隔離、電氣隔離的全功能RS-232收發(fā)器,使用RSM232P可以提高系統(tǒng)穩(wěn)定性、簡化電路設(shè)計(jì)。電路完全符合EIA/TIA-232E和ITU-T V.28規(guī)格,采用3.3V或5V電源供電,具有2500VDC的隔離電壓,波特率可高達(dá)115200bps。
標(biāo)簽: 232P RSM 232 產(chǎn)品數(shù)據(jù)
上傳時(shí)間: 2013-10-27
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