1-1前言一般人所能夠感受到聲音的頻率約介於5H2-20KHz，超音波（Ultrasonic wave）即爲(wèi)頻率超過20KHz以上的音波或機(jī)械振動(dòng)，因此超音波馬達(dá)就是利用超音波的彈性振動(dòng)頻率所構(gòu)成的制動(dòng)力。超音波馬達(dá)的內(nèi)部主要是以壓電陶瓷材料作爲(wèi)激發(fā)源，其成份是由鉛（Pb）、結(jié)（Zr）及鈦（Ti）的氧化物皓鈦酸鉛（Lead zirconate titanate，PZT）製成的。將歷電材料上下方各黏接彈性體，如銅或不銹鋼，並施以交流電壓於壓電陶瓷材料作爲(wèi)驅(qū)動(dòng)源，以激振彈性體，稱此結(jié)構(gòu)爲(wèi)定子（Stator），將其用彈簧與轉(zhuǎn)子Rotor）接觸，將所産生摩擦力來驅(qū)使轉(zhuǎn)子轉(zhuǎn)動(dòng)，由於壓電材料的驅(qū)動(dòng)能量很大，並足以抗衡轉(zhuǎn)子與定子間的正向力，雖然伸縮振幅大小僅有數(shù)徵米（um）的程度，但因每秒之伸縮達(dá)數(shù)十萬次，所以相較於同型的電磁式馬達(dá)的驅(qū)動(dòng)能量要大的許多。超音波馬達(dá)的優(yōu)點(diǎn)爲(wèi)：1，轉(zhuǎn)子慣性小、響應(yīng)時(shí)間短、速度範(fàn)圍大。2，低轉(zhuǎn)速可產(chǎn)生高轉(zhuǎn)矩及高轉(zhuǎn)換效率。3，不受磁場作用的影響。4，構(gòu)造簡單，體積大小可控制。5，不須經(jīng)過齒輸作減速機(jī)構(gòu)，故較爲(wèi)安靜。實(shí)際應(yīng)用上，超音波馬達(dá)具有不同於傳統(tǒng)電磁式馬達(dá)的特性，因此在不適合應(yīng)用傳統(tǒng)馬達(dá)的場合，例如：間歇性運(yùn)動(dòng)的裝置、空間或形狀受到限制的場所；另外包括一些高磁場的場合，如核磁共振裝置、斷層掃描儀器等。所以未來在自動(dòng)化設(shè)備、視聽音響、照相機(jī)及光學(xué)儀器等皆可應(yīng)用超音波馬達(dá)來取代。
標(biāo)簽： 超聲波電機(jī)
上傳時(shí)間： 2022-06-17
上傳用戶：
rC-BUs接口實(shí)時(shí)時(shí)鐘RX-8025 SA/NB內(nèi)置高精度頻率調(diào)整的32768kHz水晶振子（Ta=+25℃時(shí)±5×106）對應(yīng)rc-BUS高速模式（400kHz）時(shí)計(jì)（時(shí)、分、秒）、日歷（年、月、日、星期）的計(jì)數(shù)功能（BCD代碼）可選擇12/24時(shí)間制自動(dòng)判別至2099年的間年·內(nèi)置高精度時(shí)計(jì)精度調(diào)整電路·對CPU的發(fā)生中斷功能（周期1個(gè)月~0.5秒、具有中斷請求、中斷停止功能）·2個(gè)系統(tǒng)的鬧鐘功能（Alam-w：星期、時(shí)、分、Alarm_D：時(shí)、分）.32 768kHz時(shí)鐘輸出（帶控制引腳的CMOS輸出）對內(nèi)部數(shù)據(jù)進(jìn)行有效無效判定的振動(dòng)停止檢測功能電源電壓監(jiān)視功能（可選擇檢測標(biāo)準(zhǔn)電壓）1.15V~55V的寬幅計(jì)時(shí)（保持）電壓范圍1.7v~5.5V的寬幅接口電壓范圍低消耗電流 0.48uA/3.0V（Typ）1.概要本模塊是內(nèi)置高精度調(diào)整的32 768kHz水晶振子的1c總線接口方式的實(shí)時(shí)計(jì)時(shí)器。除了具有6種發(fā)生中斷功能、2個(gè)系統(tǒng)的鬧鐘功能、對內(nèi)部數(shù)據(jù)進(jìn)行有效無效判定的振動(dòng)停止檢測功能、電源電壓監(jiān)視功能等外，還配有時(shí)鐘精度調(diào)整功能，可以對時(shí)鐘進(jìn)行任意精度調(diào)整。內(nèi)部振蕩回路是以固定電壓驅(qū)動(dòng)，因而可獲得受電壓變動(dòng)影響小且穩(wěn)定的3276skHz時(shí)鐘輸本產(chǎn)品功能多樣，采用表貼封裝形式，最適用于各種手機(jī)、攜帶終端及其他小型電子機(jī)器等。
標(biāo)簽： rx8025
上傳時(shí)間： 2022-06-18
上傳用戶：d1997wayne
說明：1，測試交流電源（Test AC Power Supply）：A.中國（China）：AC 220V+/-2%50Hz+/-2%B.美國（United States of America）：AC 120V+/-2%60Hz+/-2%。C.英國（Britain）：AC 240V+/-2%50Hz+/-2%D.歐洲（Europe）：AC 230V+/-2%50Hz+/-2%E.日本（Japan）：AC 100V+/-2%60Hz+/-2%F.墨西哥（Mexico）：AC 127V+/-2%60Hz+/-2%2，測試溫度條件（Test Temperature Conditions）：25℃+/-2℃。3，測試以右聲道為準(zhǔn)（Standard Test Use Right Channell）4，信號(hào)由AUX插座輸入（Signal From AUX Jack Input）。5，測試以音量最大，音調(diào)和平衡在中央位置（電子音調(diào)在正常狀態(tài)）。（Test Volume Setup Max，Equalizer And Balance Setup Center）。6，標(biāo)準(zhǔn)輸出（Standard Output）：A.輸入1 KHz頻率信號(hào)（Input 1 KHz Frequency Signal）B.左右聲道輸入信號(hào)測試右聲道（L&R Input Signal Test Use R Channel）C.額定輸出功率満（Rating Output Power Full）10 W，標(biāo)準(zhǔn)輸出定為1w.（Rating Output Power Full 10 w，Standard Output Setup 1 W）D.額定輸出功率1W到10w，標(biāo)準(zhǔn)輸出定為500 mW（Rating Output Power 1 W To 10 W，Standard Output Setup 500 mW）E.額定輸出功率小于1w，標(biāo)準(zhǔn)輸出定為50 mW（Rating Output Power Not Full 1 W，Standard Output Setup 50 mW）F.標(biāo)準(zhǔn)輸出電壓以V-VPR為準(zhǔn)（Standard Output Voltage Use V-V/PR）。G.V-V/PR中P為額定輸出功率，R為喇叭標(biāo)稱阻抗。
標(biāo)簽： 音響功放
上傳時(shí)間： 2022-06-18
上傳用戶：
ax88179千兆網(wǎng)卡芯片手冊，usb3.0 rj45網(wǎng)卡
標(biāo)簽： usb 千兆網(wǎng)卡
上傳時(shí)間： 2022-06-18
上傳用戶：
le flows through MOS channel while Ih flows across PNP transistor Ih= a/(1-a) le, IE-le+lh=1/(1-a)' le Since IGBT has a long base PNP, a is mainly determined by ar si0 2ar= 1/cosh(1/La), La: ambipolar diff length a-0.5 (typical value)p MOSFET channel current (saturation), le=U"Cox"W(2"Lch)"(Vc-Vth)le Thus, saturated collector current Ic, sat=1/(1-a)"le=-1/(1-a)"UCox"W/(2Lch)"(Vo-Vth)2Also, transconductance gm, gm= 1/(1-a)"u' Cox W/Lch*(Vo-Vth)Turn-On1. Inversion layer is formed when Vge>Vth2. Apply positive collector bias, +Vce3. Electrons flow from N+ emitter to N-drift layer providing the base current for the PNP transistor4. Since J1 is forward blased, hole carriers are injected from the collector (acts as an emitter).5. Injected hole carriers exceed the doping level of N-drift region (conductivity modulation). Turn-Off1. Remove gate bias (discharge gate)2. Cut off electron current (base current, le, of pnp transistor)
標(biāo)簽： igbt
上傳時(shí)間： 2022-06-20
上傳用戶：wangshoupeng199
當(dāng)前世界能源短缺以及環(huán)境污染問題日益嚴(yán)重，這些問題迫使人們改變能源結(jié)構(gòu)，尋找新的替代能源?？稍偕鷿崈裟茉吹拈_發(fā)愈來愈受到重視，太陽能以其經(jīng)濟(jì)、清潔等優(yōu)點(diǎn)倍受青睞，其開發(fā)利用技術(shù)亦得以迅速發(fā)展，而光伏水泵成為其中重要的研究領(lǐng)域。本文針對采用異步電機(jī)作為光伏水泵驅(qū)動(dòng)電機(jī)的光伏水泵系統(tǒng)，詳細(xì)介紹了推挽DC/DC升壓電路、DC/AC IPM模塊逆變電路、及基于dsPIC30F2010的控制電路等，并制作了一臺(tái)試驗(yàn)樣機(jī)。同時(shí)圍繞多種最大功率跟蹤方法展開研究，設(shè)計(jì)了最大功率跟蹤程序。論文的主要工作如下：1）設(shè)計(jì)了DC-DC推挽升壓電路，并通過加入TPS2812改進(jìn)了推挽功率MOS管的驅(qū)動(dòng)電路；2）研究分析了光伏水泵系統(tǒng)最大功率跟蹤控制，通過Matlab對多種MPPT方式進(jìn)行了仿真，確定系統(tǒng)采用黃金分割法最大功率跟蹤方式；3）采用SVPWM調(diào)制技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了系統(tǒng)的穩(wěn)定快速跟蹤控制：4）采用IPM模塊作為逆變器主電路，大大簡化了逆變器驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)電路設(shè)計(jì)，縮小了系統(tǒng)體積，提高了效率和系統(tǒng)的可靠性；5）采用徵芯公司的dsPIC20F2010作為主電路的控制核心，并設(shè)計(jì)了包括W"保護(hù)電路在內(nèi)的外圍電路和相關(guān)的軟件；6）詳細(xì)介紹了系統(tǒng)主電路各元件參量的選擇和設(shè)計(jì)；7）在樣機(jī)上進(jìn)行了不同負(fù)載下的試驗(yàn)，給出了試驗(yàn)波形和效率測試結(jié)果，驗(yàn)證了本系統(tǒng)的可靠性和高效性。
上傳時(shí)間： 2022-06-20
上傳用戶：
Tanner版圖流程舉例（反相器）集成電路設(shè)計(jì)近年來發(fā)展相當(dāng)迅速，許多設(shè)計(jì)需要借助計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件。作為將來從事集成電路設(shè)計(jì)的工作人員，至少需要對版圖有所了解，但是許多軟件（如cadence）實(shí)在工作站上執(zhí)行的，不利于初學(xué)者。L-Edit軟件是基于PC上的設(shè)計(jì)工具，簡單易學(xué)，操作方便，通過學(xué)習(xí)，掌握版圖的設(shè)計(jì)流程。Tanner Pro簡介：Tanner Pro是一套集成電路設(shè)計(jì)軟件，包括S-EDIT，T-SPICE，W-EDIT，L-EDIT，與LVS，他們的主要功能分別如下：1、S-Edit：編輯電路圖2，T-Spice：電路分析與模擬3，W-Edit：顯示T-Spice模擬結(jié)果4，L-Edit：編輯布局圖、自動(dòng)配置與繞線、設(shè)計(jì)規(guī)則檢查、截面觀察、電路轉(zhuǎn)化5、LVS：電路圖與布局結(jié)果對比設(shè)計(jì)規(guī)則的作用設(shè)計(jì)規(guī)則規(guī)定了生產(chǎn)中可以接受的幾何尺寸的要求和達(dá)到的電學(xué)性能。對設(shè)計(jì)和制造雙方來說，設(shè)計(jì)規(guī)則既是工藝加工應(yīng)該達(dá)到的規(guī)范，也是設(shè)計(jì)必循遵循的原則設(shè)計(jì)規(guī)則表示了成品率和性能的最佳折衷
標(biāo)簽： cmos
上傳時(shí)間： 2022-06-21
上傳用戶：
Modbus尋址Modbus地址通常是包含數(shù)據(jù)類型和偏移量的5 個(gè)或6 個(gè)字符值。第一個(gè)或前兩個(gè)字符決定數(shù)據(jù)類型，最后的四個(gè)字符是符合數(shù)據(jù)類型的一個(gè)適當(dāng)?shù)闹怠odbus主設(shè)備指令能將地址映射至正確的功能，以便發(fā)送到從站。1 Modbus主站尋址Modbus主設(shè)備指令支持下列Modbus地址：(1) 00001 至09999是離散輸出（線圈）。(2) 10001 至19999是離散輸入（觸點(diǎn)）。(3) 30001 至39999是輸入寄存器（通常是模擬量輸入）。(4) 40001 至49999是保持寄存器。所有Modbus地址均以1 為基位，表示第一個(gè)數(shù)據(jù)值從地址1 開始。有效地址范圍將取決于從站。不同的從站將支持不同的數(shù)據(jù)類型和地址范圍。2 Modbus從站尋址Modbus從站指令支持以下地址：(1) 000001 至000128 是實(shí)際輸出，對應(yīng)于Q0.0 ——Q15.7 。(2) 010001 至010128 是實(shí)際輸入，對應(yīng)于I 0.0 ——丨15.7 。(3) 030001 至030032 是模擬輸入寄存器，對應(yīng)于AIW0 至AIW2。(4) 040001 至04XXXX是保持寄存器，對應(yīng)于V 區(qū)。Modbus從站協(xié)議允許您對Modbus主站可訪問的輸入、輸出、模擬量輸入和保持寄存器（ V 區(qū)）的數(shù)量進(jìn)行限定。MBUS_INIT指令的參數(shù)MaxlQ 指定Modbus主站允許訪問的實(shí)際輸入或輸出（ I 或Q) 的最大數(shù)量。MBUS_INIT指令的MaxAl 參數(shù)指定Modbus主站允許訪問的輸入寄存器（ A 丨W)的最大數(shù)量。MBUS_INIT指令的MaxHold 參數(shù)指定Modbus主站允許訪問的保持寄存器（V 存儲(chǔ)區(qū)字）的最大數(shù)
上傳時(shí)間： 2022-06-21
上傳用戶：
0引言任何器件在工作時(shí)都有一定的損耗，大部分的損耗均變成熱量。在實(shí)際應(yīng)用過程中，大功率器件IGBT在工作時(shí)會(huì)產(chǎn)生很大的損耗，這些損耗通常表現(xiàn)為熱量。為了使ICBT能正常工作，必須保證IGBT的耗散功率不大于最大允許耗散功率P額定1660 w，室溫25℃時(shí)），必須保證1GBT的結(jié)溫T，不超過其最大值Timar 50 ℃），因此必須采用適當(dāng)?shù)纳嵫b置，將熱量傳導(dǎo)到外部環(huán)境。如果散熱裝置設(shè)計(jì)或選用不當(dāng)，這些大功率器件因過熱而損壞。為了在確定的散熱條件下設(shè)計(jì)或選用合適的散熱器，確保器件安全、可靠地工作，我們需進(jìn)行散熱計(jì)算。散熱計(jì)算是通過計(jì)算器件工作時(shí)產(chǎn)生的損耗功率Pa、器件允許的結(jié)溫T、環(huán)境溫度T，求出器件允許的總熱阻R，f-a）；：再根據(jù)Raf-a）求出最大允許的散熱器到環(huán)境溫度的熱阻Rinf-）：最后根據(jù)Rbf-a）選取具有合適熱阻的散熱器。1 IGBT損耗分析及計(jì)算對于H型雙極模式PWM系統(tǒng)中使用的1GBT模塊，主要由IGBT元件和續(xù)流二極管FWD組成，它們各自發(fā)生的損耗之和就是IGBT本身的損耗。除此，加上1GBT的基極驅(qū)動(dòng)功耗，即構(gòu)成IGRT模塊整體發(fā)生的損耗。另外，發(fā)生損耗的情況可分為穩(wěn)態(tài)時(shí)和交換時(shí)。對上述內(nèi)容進(jìn)行整理可表述如下：
上傳時(shí)間： 2022-06-21
上傳用戶：
1引言隨著高r能永磁材料、電力電了技術(shù)、大規(guī)模集成電路和計(jì)算機(jī)技術(shù)的發(fā)展，永同步電機(jī)PMSMD）的應(yīng)用領(lǐng)城不擴(kuò)大。由于對電機(jī)控制性能的要求越來越高，因此如何建立有效的仿真模型越來受到人們的關(guān)注。本文在分析永司步電機(jī)數(shù)學(xué)模型的基礎(chǔ)上，提出了一種PMSM控制系統(tǒng)建模的方法，在此仿真模型基礎(chǔ)上，可以十分便捷地實(shí)現(xiàn)和驗(yàn)證控制算法。因此，它為分析和設(shè)計(jì)PMSM控制系統(tǒng)提供了有效的手段，也為實(shí)際電機(jī)控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和調(diào)試提供了新的思路。2永磁同步電機(jī)的數(shù)學(xué)模型[]水磁同步電動(dòng)機(jī)三相繞組分別為U.v.w，各相繞組平面的軸線在與轉(zhuǎn)子軸垂直的平面上，三相繞組的電壓回路方程如下；式中，U L，為各相繞組兩端的電壓14A為各相的線電流，中uoyow為相統(tǒng)組的總磁鏈，R為定子每相繞組的電陽：P為微外算子（d/at）.磁鏈方程為：
標(biāo)簽： 矢量控制 永磁同步電動(dòng)機(jī) matlab
上傳時(shí)間： 2022-06-22
上傳用戶：qingfengchizhu
蟲蟲下載站版權(quán)所有 京ICP備2021023401號(hào)-1
