一個(gè)萬年歷，c編寫的程序?qū)σ壕⒂泻艽髱椭?/p>
上傳時(shí)間： 2013-09-27
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單片機(jī)的一點(diǎn)學(xué)習(xí)資料。教你學(xué)會(huì)單片機(jī)c語言和keil
標(biāo)簽： keil 單片機(jī)c語言
上傳時(shí)間： 2013-09-27
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keil C 與proteus環(huán)境下仿真單片機(jī)開發(fā)的5個(gè)實(shí)例，是單片機(jī)嵌入式開發(fā)的極有價(jià)值的參考資料。其中包括了流水燈、走馬燈、1602液晶屏驅(qū)動(dòng)、ds1302、max7221的仿真開發(fā)實(shí)例，包括c語言代碼。
標(biāo)簽： proteus keil 環(huán)境 仿真
上傳時(shí)間： 2013-09-30
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ID 型號(hào)廠家用途構(gòu)造溝道v111(V) ixing(A) pdpch(W) waixing 1 2SJ11 東芝DC, LF A, JChop P 20 -10m 100m 4-2 2 2SJ12 東芝DC, LF A,J Chop P 20 -10m 100m 4-2 3 2SJ13 東芝DC, LF A, JChop P 20 -100m 600m 4-35 4 2SJ15 富士通DC, LF A J P 18 -10m 200m 4-1 5 2SJ16 富士通DC, LF A J P 18 -10m 200m 4-1 6 2SJ17 C-MIC J P 20 0.5m 10m 4-47 7 2SJ18 LF PA J(V) P 170 -5 63 4-45 8 2SJ19 NEC LF D J(V) P 140 -100m 800m 4-41 9 2SJ20 NEC LF PA J(V) P 100 -10 100 4-42 10 2SJ22 C-MIC J P 80 0.5m 50m 4-48 11 2SJ39 三菱LF A J P 50 -10m .15/CH 4-81 12 2SJ40 三菱LF A,A-SW J P 50 -10m 300m 4-151 13 2SJ43 松下LF A J P 50 20m 250m 4-80A 14 2SJ44 NEC LF LN A J P 40 -10m 400m 4-53A 15 2SJ45 NEC LF A J P 40 -10m 400m 4-53A 16 2SJ47 日立LF PA MOS P -100 -7 100 4-28A 17 2SJ48 日立LF PA, HS MPOSSW P -120 -7 100 4-28A 18 2SJ49 日立LF PA,HS PMSOWS P -140 -7 100 4-28A 19 2SJ49(H) 日立HS PSW MOS P -140 -7 100 4-28A 20 2SJ50 日立LF/HF PA,HMSO SPSW P -160 -7 100 4-28A 21 2SJ50(H) 日立HS PSW MOS P -160 -7 100 4-28A 22 2SJ51 日立LF LN A J P 40 -10m 800m 4-97A 23 2SJ55 日立LF/HF PA,HMSO SPSW P -180 -8 125 4-28A
標(biāo)簽： MOS 開關(guān)管 參數(shù)
上傳時(shí)間： 2013-10-10
上傳用戶：13162218709
用于定量表示ADC動(dòng)態(tài)性能的常用指標(biāo)有六個(gè)，分別是：SINAD(信納比)、ENOB(有效位 數(shù))、SNR(信噪比)、THD(總諧波失真)、THD + N(總諧波失真加噪聲)和SFDR(無雜散動(dòng)態(tài) 范圍)
上傳時(shí)間： 2014-01-22
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ADC0809做AD轉(zhuǎn)換的C程序
標(biāo)簽： 0809 ADC AD轉(zhuǎn)換 C程序
上傳時(shí)間： 2013-11-11
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采用鎖相環(huán)技術(shù)設(shè)計(jì)了一種穩(wěn)定、低噪聲的C波段頻率源。建立了鎖相環(huán)的相位噪聲模型并分析影響相位噪聲的因素，進(jìn)行了鎖相環(huán)低通濾波器的設(shè)計(jì)。利用軟件對(duì)環(huán)路的穩(wěn)定性和相位噪聲進(jìn)行仿真，相位裕度在45°以上，環(huán)路工作穩(wěn)定，且具有較好的相位噪聲特性
上傳時(shí)間： 2014-12-23
上傳用戶：吾學(xué)吾舞
基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)與制作
標(biāo)簽： MOS N溝道 H橋驅(qū)動(dòng) 電路設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2014-08-01
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模糊C-均值聚類算法是一種無監(jiān)督圖像分割技術(shù)，但存在著初始隸屬度矩陣隨機(jī)選取的影響，可能收斂到局部最優(yōu)解的缺點(diǎn)。提出了一種粒子群優(yōu)化與模糊C-均值聚類相結(jié)合的圖像分割算法，根據(jù)粒子群優(yōu)化算法強(qiáng)大的全局搜索能力，有效地避免了傳統(tǒng)的FCM對(duì)隨機(jī)初始值的敏感，容易陷入局部最優(yōu)的缺點(diǎn)。實(shí)驗(yàn)表明，該算法加快了收斂速度，提高了圖像的分割精度。
上傳時(shí)間： 2013-10-25
上傳用戶：llandlu
為了克服傳統(tǒng)功率MOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結(jié)構(gòu),稱為超級(jí)結(jié)器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導(dǎo)體薄層交替排列組成。在截止態(tài)時(shí),由于p 型和n 型層中的耗盡區(qū)電場產(chǎn)生相互補(bǔ)償效應(yīng),使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會(huì)引起器件擊穿電壓的下降。導(dǎo)通時(shí),這種高濃度的摻雜使器件的導(dǎo)通電阻明顯降低。由于CoolMOS 的這種獨(dú)特器件結(jié)構(gòu),使它的電性能優(yōu)于傳統(tǒng)功率MOS。本文對(duì)CoolMOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓關(guān)系的理論計(jì)算表明,對(duì)CoolMOS 橫向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,對(duì)縱向器件: Ron ·A = C ·V B ,與縱向DMOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間Ron ·A = C ·V 2. 5B 的關(guān)系相比,CoolMOS 的導(dǎo)通電阻降低了約兩個(gè)數(shù)量級(jí)。
標(biāo)簽： CoolMOS VDMOS 導(dǎo)通電阻 分
上傳時(shí)間： 2013-10-21
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