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  • TI-公司msp430開發板原理圖

    TI-公司msp430開發板原理圖

    標簽: 430 msp TI 開發板原理圖

    上傳時間: 2013-12-23

    上傳用戶:digacha

  • TI封裝技術

    TI封裝

    標簽: 封裝技術

    上傳時間: 2013-10-30

    上傳用戶:waitingfy

  • 基于相位偏移的主動移頻式孤島檢測方法

    針對傳統過壓/欠壓、過頻/欠頻、相位突變、主動頻率偏移孤島檢測方法的不足,提出了一種改進方法。將相位偏移量作為輔助量加入主動移頻孤島檢測方法中,使檢測容性負載的孤島現象具有與感性負載同樣的快速性,并能有效降低主動頻率偏移法對電網電能的影響。該方法實現簡單,檢測快速,仿真結果驗證了其快速性和有效性。

    標簽: 相位 偏移 孤島檢測 移頻

    上傳時間: 2013-11-09

    上傳用戶:edisonfather

  • 電源設計經典案例集錦(TI內部培訓資料)

    電源設計經典案例集錦(TI內部培訓資料)

    標簽: 電源設計 案例 內部培訓資料 集錦

    上傳時間: 2013-11-04

    上傳用戶:wkxiian

  • 對低壓差穩壓器工作與性能的技術綜論TI

    對低壓差穩壓器工作與性能的技術綜論TI

    標簽: 低壓差穩壓器 性能

    上傳時間: 2013-11-07

    上傳用戶:lvzhr

  • TI電池管理方案

    鋰電池充電前端保護 微弱能量收集器 太陽能充電器 鋰鐵電池充電器 TI電池管理器件選型

    標簽: 電池管理 方案

    上傳時間: 2013-10-19

    上傳用戶:liglechongchong

  • TI電源設計官方資料

    TI電源設計官方資料

    標簽: TI電源

    上傳時間: 2014-12-24

    上傳用戶:dbs012280

  • N+緩沖層對PT-IGBT通態壓降影響的研究

     N+緩沖層設計對PT-IGBT器件特性的影響至關重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進行仿真。提取相同電流密度下,不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態壓降,得到了通態壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線,該仿真結果與理論分析一致。對于PT-IGBT結構,N+緩沖層濃度及厚度存在最優值,只要合理的選取可以有效地降低通態壓降。

    標簽: PT-IGBT 緩沖層

    上傳時間: 2013-11-12

    上傳用戶:thesk123

  • TI電源設計經驗經典總結

    TI電源設計經驗經典總結,非常不錯的資料

    標簽: TI電源 設計經驗

    上傳時間: 2013-11-04

    上傳用戶:caiqinlin

  • 280W移相全橋軟開關DC

    移相控制的全橋PWM變換器是最常用的中大功率DC/DC變換電路拓撲形式之一。移相PWM控制方式利用開關管的結電容和高頻變壓器的漏電感或原邊串聯電感作為諧振元件,使開關管能進行零電壓開通和關斷,從而有效地降低了電路的開關損耗和開關噪聲,減少了器件開關過程中產生的電磁干擾,為變換器提高開關頻率、提高效率、減小尺寸及減輕質量提供了良好的條件。然而,傳統的移相全橋變換器的輸出整流二極管存在反向恢復過程,會引起寄生振蕩,二極管上存在很高的尖峰電壓,需增加阻容吸收回路進行抑制,文獻提出了兩種帶箝位二極管的拓撲,可以很好地抑制寄生振蕩。本文采取文獻提出的拓撲結構,設計了一臺280 W移相全橋軟開關DC/DC變換器,該變換器輸入電壓為194~310 V,輸出電壓為76V。

    標簽: 280W 移相全橋 軟開關

    上傳時間: 2014-08-30

    上傳用戶:thing20

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