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物料搬運(yùn)(yùn)

  • 一個經(jīng)典的Delphi遠(yuǎn)程注入

    一個經(jīng)典的Delphi遠(yuǎn)程注入,很好,幾乎可以整個代碼搬下來。

    標(biāo)簽: Delphi 遠(yuǎn)程

    上傳時間: 2014-01-04

    上傳用戶:rocwangdp

  • These codes require an ASCII input file interp.dat of the following form: N: Number of Polynomia

    These codes require an ASCII input file interp.dat of the following form: N: Number of Polynomial Interpolation Points (Small) First Sample (x1,y1) Second Sample (x2,y2) ... Nth Sample (xN,yN) N1: Number of Error Evaluation Points (Large) First Sample (x1,y1) Second Sample (x2,y2) ... N1th Sample (xN1,yN1)

    標(biāo)簽: Polynomia following require Number

    上傳時間: 2017-09-21

    上傳用戶:許小華

  • 包含一些大眾化的數(shù)學(xué)題目

    包含一些大眾化的數(shù)學(xué)題目,比如說buffon丟針問題、dijkstra的三色旗問題、找零錢問題、背包問題、無限位數(shù)的整數(shù)運(yùn)算、最短路徑問題...

    標(biāo)簽:

    上傳時間: 2014-01-05

    上傳用戶:athjac

  • 2013-2014cscd核心期刊目錄

    2013-2014cscd核心期刊目錄,這個在官網(wǎng)上也有的,小弟搬到蟲蟲啦

    標(biāo)簽: cscd核心期刊

    上傳時間: 2015-03-13

    上傳用戶:呼嚕的傷冬

  • 活用適應(yīng)控制

    11111111111111活用自動控制,運(yùn)用科學(xué)數(shù)學(xué)自然

    標(biāo)簽: adaptive-control

    上傳時間: 2015-03-16

    上傳用戶:54333

  • 重疊20160121

    計算用,省時省力又方便古力大家多多運(yùn)用 計算用,省時省力又方便古力大家多多運(yùn)用

    標(biāo)簽: 重疊電2016012

    上傳時間: 2016-02-17

    上傳用戶:栗子zxw

  • 神州墨香商業(yè)端

    放墨香商業(yè)版本, 巨陵-蠻牛掉元寶,願意打的就是高手 開放包袱商人會帶備稀而物品給各位大俠購買 本服轉(zhuǎn)身請登入官網(wǎng)轉(zhuǎn)身 本服遊戲幣個人上限是40億 如果帶多了 轉(zhuǎn)圖重登都會變回40億 全球最強(qiáng)防外掛系統(tǒng),打造2016年最公平的墨湘 本服承諾,絕無任何嚴(yán)重bug,保證遊戲穩(wěn)定運(yùn)行 本服禁止空白名,定期自動清理帶空名的玩家

    標(biāo)簽: 墨香

    上傳時間: 2016-04-11

    上傳用戶:西子灣灣

  • 基于 Simulink的數(shù)字上下變頻建模與仿真

     軟件無線電是一個具有開放性、標(biāo)準(zhǔn)化、模塊化的通用硬件平臺, 具有靈活性和集中性的特點。 上下變頻 作為軟件無線電的一個重要環(huán)節(jié), 目的是把信號搬移到更高或更低的頻率上。 介紹了在 simulink環(huán)境下利用 Xil- inxDspIPCore數(shù)字上下變頻的實現(xiàn)過程并進(jìn)行了仿真。 仿真表明, 通過 I, Q兩路信號對模塊的復(fù)用, 可以在完成 數(shù)字上下變頻的同時減少系統(tǒng)資源消耗

    標(biāo)簽: Simulink 數(shù)字 下變頻 建模 仿真

    上傳時間: 2016-05-10

    上傳用戶:daizhiming

  • Wpf物料管理系統(tǒng)

    一款用C# 寫的ERP 源碼,包含數(shù)據(jù)庫,編譯無出錯,歡迎下載學(xué)習(xí)。。。

    標(biāo)簽: VC C#

    上傳時間: 2016-11-30

    上傳用戶:IFKU123

  • ESD Protection in CMOS ICs

    在互補(bǔ)式金氧半(CMOS)積體電路中,隨著量產(chǎn)製程的演進(jìn),元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段,以增進(jìn)積體電路(IC)的性能及運(yùn)算速度,以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減,卻出現(xiàn)一些可靠度的問題。 在次微米技術(shù)中,為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發(fā)展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結(jié)構(gòu); 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd,而發(fā)展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg,而發(fā)展出 Polycide 製 程 ; 在更進(jìn)步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造,而發(fā)展出所謂 Salicide 製程

    標(biāo)簽: Protection CMOS ESD ICs in

    上傳時間: 2020-06-05

    上傳用戶:shancjb

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