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照相技術(shù)

  • swt帶dnd應(yīng)用的網(wǎng)址收藏夾源碼

    swt帶dnd應(yīng)用的網(wǎng)址收藏夾源碼,使用xml語(yǔ)言作為數(shù)據(jù)技久支持,對(duì)網(wǎng)址進(jìn)行分類,收藏,技持拖放技術(shù)---全是自己寫(xiě)的源碼

    標(biāo)簽: swt dnd 網(wǎng)址 源碼

    上傳時(shí)間: 2017-09-26

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  • 三菱42種啟停程序編法

    這個(gè)是技成培訓(xùn)里的科目。有需要請(qǐng)下載。如需要更多資料請(qǐng)聯(lián)系QQ1305222725

    標(biāo)簽: 三菱 程序

    上傳時(shí)間: 2016-10-19

    上傳用戶:jaby

  • 普 通 牌 分 析 儀

    普 通 牌 分 析 儀▂【電:188乄2010,乄7106】包.教.會(huì).純.手.法.技.術(shù),年初油惠活動(dòng)6折起.daxiong0206

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    上傳時(shí)間: 2017-02-06

    上傳用戶:dage188

  • 三公想拿到大牌的有什么辦法

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    標(biāo)簽: 三公想拿到大牌的有什么辦法

    上傳時(shí)間: 2017-02-06

    上傳用戶:dage188

  • STM32的IAP方案

    IAP,全稱是“In-Application Programming”,中文解釋為“在程序中編程”。 IAP 是一種 對(duì)通過(guò)微控制器的對(duì)外接口(如 USART, IIC, CAN, USB,以太網(wǎng)接口甚至是無(wú)線射頻通道) 對(duì)正在運(yùn)行程序的微控制器進(jìn)行內(nèi)部程序的更新的技術(shù)(注意這完全有別于 ICP 或者 ISP 技 術(shù))

    標(biāo)簽: STM IAP 32 方案

    上傳時(shí)間: 2017-05-15

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  • 電力電子器件及應(yīng)用技術(shù)

    電力電子器件及應(yīng)用技術(shù)電力電子器件及應(yīng)用技電電力電子器件及應(yīng)用技術(shù)力電子器件及應(yīng)用技術(shù)術(shù)

    標(biāo)簽: 電力電子器件及應(yīng)用技術(shù)

    上傳時(shí)間: 2019-07-01

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  • 華為PCB的EMC設(shè)計(jì)指南.rar

    電磁兼容學(xué)科是一門(mén)綜合性交叉學(xué)科,實(shí)用性很強(qiáng)。本書(shū)注重從實(shí)際出發(fā),結(jié)合強(qiáng)電類工程實(shí)際的特點(diǎn),介紹了電磁兼容的基本知識(shí),包括電磁干擾的產(chǎn)生和電磁兼容性的實(shí)現(xiàn)技術(shù),以及一些常見(jiàn)的電磁干擾問(wèn)題及其解決方法。

    標(biāo)簽: 華為 pcb emc

    上傳時(shí)間: 2021-10-16

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  • 電磁兼容原理及應(yīng)用.rar

    電磁兼容學(xué)科是一門(mén)綜合性交叉學(xué)科,實(shí)用性很強(qiáng)。本書(shū)注重從實(shí)際出發(fā),結(jié)合強(qiáng)電類工程實(shí)際的特點(diǎn),介紹了電磁兼容的基本知識(shí),包括電磁干擾的產(chǎn)生和電磁兼容性的實(shí)現(xiàn)技術(shù),以及一些常見(jiàn)的電磁干擾問(wèn)題及其解決方法。本書(shū)第1 章介紹了電磁兼容的基本概念和電磁干擾源及危害。第2 章介紹了傳導(dǎo)和輻射兩類干擾的產(chǎn)生機(jī)理。第3 章至第5 章介紹了接地、屏蔽和濾波等三種主要的電磁兼容性技術(shù)。第6 章介紹了電磁干擾的發(fā)射和敏感性測(cè)量技術(shù)。第7 至第9 章結(jié)合實(shí)際,具體介紹了靜電防護(hù)、電子系統(tǒng)的電磁兼容設(shè)計(jì)和浪涌抑制技術(shù)。第10 章介紹了與電力系統(tǒng)相關(guān)的一些典型的電磁兼容問(wèn)題。

    標(biāo)簽: 電磁兼容

    上傳時(shí)間: 2021-10-16

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  • 第三代半導(dǎo)體GaN功率開(kāi)關(guān)器件的發(fā)展現(xiàn)狀及面臨的挑戰(zhàn)

    作者:何亮,劉揚(yáng)論文摘要:氮 化 鎵 (G a N )材 料 具 有 優(yōu) 異 的 物 理 特 性 ,非 常 適 合 于 制 作 高 溫 、高 速 和 大 功 率 電 子 器 件 ,具 有 十 分 廣 闊 的 市場(chǎng)前景 。 S i襯 底 上 G a N 基 功 率 開(kāi) 關(guān) 器 件 是 目 前 的 主 流 技 術(shù) 路 線 ,其 中 結(jié) 型 柵 結(jié) 構(gòu) (p 型 柵 )和 共 源 共 柵 級(jí) 聯(lián) 結(jié) 構(gòu) (C asco de)的 常 關(guān) 型 器 件 已 經(jīng) 逐 步 實(shí) 現(xiàn) 產(chǎn) 業(yè) 化 ,并 在 通 用 電 源 及 光 伏 逆 變 等 領(lǐng) 域 得 到 應(yīng) 用 。但 是 鑒 于 以 上 兩 種 器 件 結(jié) 構(gòu) 存 在 的 缺 點(diǎn) ,業(yè) 界 更 加 期 待 能 更 充 分 發(fā) 揮 G a N 性能的 “ 真 ” 常 關(guān) M 0 S F E T 器件。而 GaN M 0 S F E T 器件的全面實(shí)用 化 ,仍 然 面 臨 著 在 材 料 外 延 方 面 和 器 件 穩(wěn) 定 性 方 面 的 挑 戰(zhàn) 。

    標(biāo)簽: 第三代半導(dǎo)體 GaN 功率開(kāi)關(guān)器件

    上傳時(shí)間: 2021-12-08

    上傳用戶:XuVshu

  • CYCLONE4E FPGA開(kāi)發(fā)板EP4CE10F17 開(kāi)拓者FPGA開(kāi)發(fā)板PDF原理圖+主要器件技

    CYCLONE4E FPGA開(kāi)發(fā)板EP4CE10F17 開(kāi)拓者FPGA開(kāi)發(fā)板PDF原理圖+主要器件技術(shù)手冊(cè)00-CYCLONE4E FPGA開(kāi)發(fā)板EP4CE10F17 開(kāi)拓者FPGA開(kāi)發(fā)板PDF原理圖.pdfAD9708.pdfAMS1117.pdfAP3216C.pdfAT24C64.pdfCH340.pdfCyclone IV EP4CE10引腳信息.pdfCyclone IV器件手冊(cè).pdfDHT11.pdfDS18B20_cn.pdfDS18B20_en.pdfGT9147數(shù)據(jù)手冊(cè).pdfGT9147編程指南.pdfHR911105A-datasheet.pdfHS0038B.pdfnRF24L01P(新版無(wú)線模塊控制IC).PDFOTT2001A IIC協(xié)議指導(dǎo).pdfOTT2001A_V02.pdfOV5640_CSP3_DS_2.01_Ruisipusheng.pdfPCF8563.pdfPCF8591.pdfRJ45_HR911105A.pdfRTL8201CP.pdfSMBJ3.3-440_series.pdfSMBJ5.0ca.pdfSN74LVC1G00.pdfSP3232.pdfSP3485.pdfTJA1050.pdfTLC5510.pdfW9825G6KH.pdfWM8978G.pdfWM8978中文資料.doc

    標(biāo)簽: cyclone4e fpga 開(kāi)發(fā)板

    上傳時(shí)間: 2022-01-10

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