對於集成電路而言,汽車是一種苛刻的使用環境,這裡,引擎罩下的工作溫度範圍可寬達 -40°C 至 125°C,而且,在電池電壓總線上出現大瞬變偏移也是預料之中的事
標簽: 集成 電流檢測 保護 汽車系統
上傳時間: 2013-11-20
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一直以來, 電子電路斷路器( E C B ) 都是由一個MOSFET、一個 MOSFET 控制器和一個電流檢測電阻器所組成的。
標簽: DFN 封裝 電子電路 斷路器
上傳時間: 2013-10-18
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N+緩沖層設計對PT-IGBT器件特性的影響至關重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進行仿真。提取相同電流密度下,不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態壓降,得到了通態壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線,該仿真結果與理論分析一致。對于PT-IGBT結構,N+緩沖層濃度及厚度存在最優值,只要合理的選取可以有效地降低通態壓降。
標簽: PT-IGBT 緩沖層
上傳時間: 2013-11-12
上傳用戶:thesk123
經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。
標簽: MOSFET EMI 電壓電流 控制
上傳時間: 2014-09-08
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介紹了一種反對稱漸變波導微帶探針過渡結構,采用高頻仿真軟件HFSS仿真分析了這個波導微帶過渡結構在 W 頻段的特性,并對影響過渡性能的幾個因素進行了敏感性分析,得出了可供工程應用參考的設計曲線。在全波導帶寬內,實現了插入損耗小于0.088 dB,回波損耗大于27 dB。該結構具有寬頻帶、結構簡單和易加工等優點,可廣泛用于毫米波固態電路系統中。
標簽: W波段 對稱 探針 轉換
上傳時間: 2013-11-13
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數字電子技朮
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上傳時間: 2013-10-09
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符合全球標準的小巧電源•35~150 W容量支持5 V, 12 V和24 V輸出電壓(100 W, 150 W: 僅24 V型)• 支持DIN導軌安裝• 安全標準 : UL 508/60950-1, EN 60950-1CSA C22.2 No. 60950-1
標簽: S8JX 100 150 35
上傳時間: 2014-04-17
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隨著我國通信、電力事業的發展,通信、電力網絡的規模越來越大,系統越來越復雜。與之相應的對交流供電的可靠性、靈活性、智能化、免維護越來越重要。在中國通信、電力網絡中,傳統的交流供電方案是以UPS或單機式逆變器提供純凈不間斷的交流電源。由于控制技術的進步、完善,(N+X)熱插拔模塊并聯逆變電源已經非常成熟、可靠;在歐美的通信、電力發達的國家,各大通信運營商、電力供應商、軍隊均大量應用了這種更合理的供電方案。與其它方案相比較,(N+X)熱插拔模塊并聯逆變電源具有以下明顯的優點。
標簽: 熱插拔 模塊 并聯 應用前景
上傳時間: 2014-03-24
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適用于51單片機的串口發n
標簽: 51單片機 串口 字節
上傳時間: 2014-12-25
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89c51一種用N+1條線實現矩陣鍵盤
標簽: 矩陣鍵盤
上傳時間: 2014-12-26
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