電機(jī)學(xué)課件華中科技大學(xué)，需要自取，內(nèi)容十分詳細(xì)在軸（或滑輪，只能軸向轉(zhuǎn)動(dòng)，不可改變其在整個(gè)系統(tǒng)中的相對(duì)位置）最低點(diǎn)所在水平面的下方任意位置設(shè)計(jì)一個(gè)檢測單擺周期的傳感器，手動(dòng)拉開單擺，單擺擺幅<15°。制作一個(gè)數(shù)顯裝置，能動(dòng)態(tài)顯示單擺周期，顯示分辨率0.01秒，并能顯示計(jì)算連續(xù)測5次周期值和5次周期最大偏值。（2）系統(tǒng)電機(jī)數(shù)目不限，通過收放柔性線控制單擺長度來改變單擺周期。單擺目標(biāo)擺動(dòng)周期可用鍵盤設(shè)定并顯示，設(shè)定范圍為0.5T~2T(T為系統(tǒng)擺球初始擺角為15°的周期)，控制誤差范圍為設(shè)定值10%。（3）從確認(rèn)改變?cè)O(shè)定值起到單擺到達(dá)目標(biāo)周期，并基本穩(wěn)定（連續(xù)測5次周期最大偏差不得超過0.10秒），要求調(diào)整時(shí)間≤1分鐘。 2. 發(fā)揮部分（1）使單擺由垂直靜止?fàn)顟B(tài)自動(dòng)擺動(dòng)，讓單擺擺幅逐漸增大，直到超過30°單片機(jī)最小系統(tǒng)板、電機(jī)功放、工作電源可用成品，也可自制，必須自備。2．設(shè)計(jì)報(bào)告正文中應(yīng)包括電路系統(tǒng)總體框圖、單擺周期控制原理、主要的測試結(jié)果。詳細(xì)電路原理圖、單片機(jī)控制程序、測試結(jié)果用附件給出。3．題目中所有準(zhǔn)確度及分辨率指標(biāo)必須由測量器件及測量方法、原理所保證，報(bào)告中需要有理論計(jì)算。為了方便測試，最好帶有目測擺球角度的刻度盤等裝置
標(biāo)簽： 電機(jī) 華中 科技 大學(xué)
上傳時(shí)間： 2021-11-07
上傳用戶：默默
ROHM最近推出了SiCMOSFET的新系列產(chǎn)品“SCT3xxxxR系列”。SCT3xxxxR系列采用最新的溝槽柵極結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步降低了導(dǎo)通電阻；同時(shí)通過采用單獨(dú)設(shè)置柵極驅(qū)動(dòng)器用源極引腳的4引腳封裝，改善了開關(guān)特性，使開關(guān)損耗可以降低35%左右。此次，針對(duì)SiCMOSFET采用4引腳封裝的原因及其效果等議題，我們采訪了ROHM株式會(huì)社的應(yīng)用工程師。關(guān)于SiCMOSFET的SCT3xxxxR系列，除了導(dǎo)通電阻很低，還通過采用4引腳封裝使開關(guān)損耗降低了35%，對(duì)此我們非常感興趣。此次，想請(qǐng)您以4引腳封裝為重點(diǎn)介紹一下該產(chǎn)品。首先，請(qǐng)您大致講一下4引腳封裝具體是怎樣的封裝，采用這種封裝的背景和目的是什么。首先，采用4引腳封裝是為了改善SiCMOSFET的開關(guān)損耗。包括SiCMOSFET在內(nèi)的電源開關(guān)用MOSFET和IGBT，被作為開關(guān)元件廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。必須盡可能地降低這種開關(guān)元件產(chǎn)生的開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗，但不同的應(yīng)用，其降低損耗的方法也不盡相同。作為其中的一種手法，近年來發(fā)布了一種4引腳的新型封裝，即在MOSFET的源極、漏極、柵極三個(gè)引腳之外，另外設(shè)置了驅(qū)動(dòng)器源極引腳。此次的SCT3xxxxR系列，旨在通過采用最新的溝槽柵極結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻和傳導(dǎo)損耗；通過采用4引腳封裝，進(jìn)一步發(fā)揮出SiC本身具有的高速開關(guān)性能，并降低開關(guān)損耗。那么，我想詳細(xì)了解一下剛剛您的概述中出現(xiàn)的幾個(gè)要點(diǎn)。首先，什么是“驅(qū)動(dòng)器源極引腳”？驅(qū)動(dòng)器源極引腳是應(yīng)用了開爾文連接原理的源極引腳。開爾文連接是通過電阻測量中的4個(gè)引腳或四線檢測方式，在電流路徑基礎(chǔ)上加上兩條測量電壓的線路，以極力消除微小電阻測量或大電流條件下測量時(shí)不可忽略的線纜電阻和接觸電阻的影響的方法，是一種廣為人知的方法。這種4引腳封裝僅限源極，通過使連接?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)電路返回線的源極電壓引腳與流過大電流的電源源極引腳獨(dú)立，來消除ID對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路的影響。
上傳時(shí)間： 2021-11-07
上傳用戶：
FC162是一款低功耗，高速，高噪聲容限，EPROM/ROM基于8位CMOS工藝制造的單片機(jī)，采用RISC指令集，共有42條指令， 除分支指令為兩個(gè)周期指令以外其余為單周期指令。這種易用、易記的指令集大大縮短了開發(fā)時(shí)間。 FC162包含了上電復(fù)位(Power-on Reset POR)，掉電復(fù)位(Brown-out Reset BOR)， 上電復(fù)位計(jì)數(shù)器（Power-up Reset Timer PWRT），振蕩啟動(dòng)計(jì)數(shù)器 (Oscillator Start-up Timer OST)， 看門狗定時(shí)器(Watchdog Timer)， EPROM/ROM， SRAM，雙向三 態(tài)I/O口，（可以設(shè)置為上拉/下拉）， 省電睡眠模式， 一個(gè)帶8位預(yù)置器的8位定時(shí)/計(jì)數(shù)器，獨(dú)立中斷，睡眠喚醒模式和可靠的代碼保 護(hù)，有兩個(gè)振蕩源可供用戶配置選擇，包含省電振蕩源和低功耗振蕩器。 FC162可訪問256×13的程序存儲(chǔ)空間。 FC162能直接或間接訪問寄存器以及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)，所有的特殊功能寄存器分布在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)同時(shí)包含特定的程序指針。
標(biāo)簽： fc162
上傳時(shí)間： 2021-11-13
上傳用戶：qingfengchizhu
模擬電子Multisim仿真電路仿真實(shí)驗(yàn)150例Multisim工程源碼RCL無源諧振濾波器.ms8RLC無源低通濾波器.ms8從零起調(diào)的穩(wěn)壓電源.ms8共發(fā)射極固定偏置電路1.ms8共發(fā)射極固定偏置電路2.ms8共發(fā)射極簡單.ms8共發(fā)射極簡單偏置電路1.ms8共發(fā)射極簡單偏置電路2.ms8共基極固定.ms8共基極固定電路.ms8共基極簡單電路.ms8共集電極固定電路.ms8共集電極射極跟隨器.ms8減法器.ms8切比雪夫低通濾波器.ms8加法器.ms8單電源差放.ms8雙電源差放.ms8反相放大器.ms8反相過零比較器.ms8同相放大器.ms8回差比較器.ms8微分器.ms8有源低通濾波器.ms8有源帶通濾波器.ms8有源諧振濾波器.ms8有源陷波器.ms8有源高通濾波器.ms8標(biāo)準(zhǔn)三角波發(fā)生器.ms8積分器.ms8簡易波形發(fā)生器.ms8跟隨器.ms8過零比較器.ms8門限比較器.ms8非零起調(diào)穩(wěn)壓電源.ms8-------
上傳時(shí)間： 2021-12-11
上傳用戶：
PW2902 是一款支持寬電壓輸入的開關(guān)降壓型 DC-DC，芯片內(nèi)置 100V/5A 功率 MOS，最高輸入電壓 90V。 PW2902 具有低待機(jī)功耗、高效率、低紋波、優(yōu)異的母線電壓調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率等特性。支持大電流輸出，輸出電流可達(dá) 2A 以上。 PW2902 同時(shí)支持輸出恒壓和輸出恒流功能。PW2902 采用固定頻率的 PWM 控制方式，典型開關(guān)頻率為 140KHz。輕載時(shí)會(huì)自動(dòng)降低開關(guān)頻率以獲得高轉(zhuǎn)換效率。 PW2902 內(nèi)部集成軟啟動(dòng)以及過溫保護(hù)電路，輸出短路保護(hù)，限流保護(hù)等功能，提高系統(tǒng)可靠性。PW2902 支持輸出電壓 5V 和 12V 時(shí)， 輸出電流 2 安培
標(biāo)簽： pw2902
上傳時(shí)間： 2022-02-11
上傳用戶：
LT3095MPUDD雙通道低噪聲偏置發(fā)生器的典型應(yīng)用電路凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出雙通道 IC LT3095，該器件從單一輸入提供兩路非常低噪聲、低紋波的偏置電源。每個(gè)通道都納入了單片升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器，一個(gè)集成的超低噪聲和高 PSRR (電源抑制比) 線性穩(wěn)壓器對(duì)該轉(zhuǎn)換器進(jìn)行了后置穩(wěn)壓。LT3095 在輸出電壓高達(dá) 20V 時(shí)提供高達(dá) 50mA 的連續(xù)輸出電流，總紋波和噪聲 <100μVP-P。該器件在 3V 至 20V 輸入電壓范圍內(nèi)工作，從而可與多種電源兼容。 LT3095 的固定頻率、峰值電流模式升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器包括一個(gè)集成的 950mA 電源開關(guān)、肖特基二極管和內(nèi)部頻率補(bǔ)償。開關(guān)頻率在 450kHz 至 2MHz 內(nèi)可通過單個(gè)電阻器編程，或可同步至一個(gè)外部時(shí)鐘，因此允許使用纖巧的外部組件。結(jié)合緊湊的 3mm x 5mm QFN 封裝，LT3095 可提供簡單、占板面積緊湊、高效率的解決方案，適用于儀表放大器、RF 和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、以及其他低噪聲偏置應(yīng)用。 LT3095 的線性穩(wěn)壓器運(yùn)用凌力爾特專有的電流源基準(zhǔn)架構(gòu)，從而提供了很多優(yōu)勢，例如能夠用單個(gè)電阻器設(shè)定輸出電壓，帶寬、噪聲、PSRR 和負(fù)載調(diào)節(jié)性能基本上不受輸出電壓影響。集成輸出噪聲 (在 10Hz 至 100kHz 帶寬) 僅為 4μVRMS，而且在整個(gè)開關(guān)頻率范圍內(nèi) PSRR 超過70dB，從而使總的噪聲和紋波 <100μVP-P。線性穩(wěn)壓器調(diào)節(jié)升壓型轉(zhuǎn)換器的輸出電壓，使其比線性穩(wěn)壓器輸出電壓高 2V，從而優(yōu)化了功耗、瞬態(tài)響應(yīng)和 PSRR 性能。為了提高系統(tǒng)可靠性，LT3095 提供短路和熱保護(hù)，還為每個(gè)通道提供獨(dú)立和精確的使能 / UVLO 門限。微功率工作時(shí)，兩個(gè) EN 引腳均被拉低。
標(biāo)簽： 噪聲偏置發(fā)生器
上傳時(shí)間： 2022-02-15
上傳用戶：
SW3518 是一款高集成度的多快充協(xié)議雙口充電芯片， 支持 A+C 口任意口快充輸出， 支持雙口獨(dú)立限流。 其集成了 5A 高效率同步降壓變換器， 支持 PPS/PD/QC/AFC/FCP/SCP/PE/SFCP/VOOC等多種快充協(xié)議， CC/CV 模式， 以及雙口管理邏輯。 外圍只需少量的器件， 即可組成完整的高性能多快充協(xié)議雙口充電解決方案。
標(biāo)簽： sw3518
上傳時(shí)間： 2022-02-17
上傳用戶：
SW3516 是一款高集成度的快充車充芯片， 支持 A+C 口任意口快充輸出， 支持雙口獨(dú)立限流。其集成了 5A 高效率同步降壓變換器， 支持 PPS/PD/QC/AFC/FCP/SCP/PE/SFCP/低壓直充等多種快充協(xié)議， CC/CV 模式， 以及雙口管理邏輯。 外圍只需少量的器件， 即可組成完整的高性能多快充協(xié)議車充解決方案。
標(biāo)簽： sw3516
上傳時(shí)間： 2022-02-17
上傳用戶：kent
電壓比較器.ppt（1）閾值電壓：比較器輸出發(fā)生跳變時(shí)的輸入電壓稱之為閾值電壓或門限電平。 （2）輸出電平：輸出電壓的高電平和低電平。 （3）靈敏度：輸出電壓跳變的前后，輸入電壓之差值。其值越小，靈敏度越高。然而，靈敏度越高，抗干擾能力就越差。零電平和非零電平比較器的靈敏度取決于運(yùn)放從一個(gè)飽和狀態(tài)轉(zhuǎn)換到另一個(gè)飽和狀態(tài)所需輸入電壓的值，而遲滯比較器的靈敏度等于兩個(gè)閾值電壓之差值。因而，遲滯比較器的抗干擾能力強(qiáng)。 （4）響應(yīng)時(shí)間：輸出電壓發(fā)生跳變所需的時(shí)間稱之為響應(yīng)時(shí)間。
標(biāo)簽： 電壓比較器
上傳時(shí)間： 2022-02-18
上傳用戶：aben
5G 底層核心技術(shù)專利現(xiàn)狀分析 無線通信技術(shù)從 2G 到 3G 是一個(gè)歷史性的跨越，從單純的語音通話和簡單的短信數(shù)據(jù)傳輸， 跨入了無線互聯(lián)網(wǎng)。 在 2009 年發(fā)放 3G 牌照的時(shí)候，產(chǎn)業(yè)界最希望找到的是應(yīng)用無線寬帶能力的殺手級(jí)應(yīng)用。 當(dāng)時(shí)最早的應(yīng)用是把 3G 當(dāng)做無線上網(wǎng)卡銷售，例如中國電信的 CDMA2000 每月 300 小時(shí)不限流 量的 3G 上網(wǎng)卡。而通過 4 年多的產(chǎn)業(yè)實(shí)踐，到了 4G 時(shí)代，應(yīng)用無線寬帶能力的導(dǎo)航、音樂、 在線視頻、購物、支付、游戲等殺手級(jí)應(yīng)用已經(jīng)涌現(xiàn)，無線寬帶的流量開始變得珍貴，目前中 國電信的 4G 套餐就沒有按小時(shí)計(jì)費(fèi)全部都按流量計(jì)費(fèi)。 正是看到了產(chǎn)業(yè)的興旺發(fā)達(dá)，在 2013 年剛剛發(fā)放 4G 牌照后，2015 年 5G 就成為了熱門的 話題。之前的分析占據(jù) 5G 產(chǎn)業(yè)的制高點(diǎn)關(guān)鍵在于底層核心技術(shù)。有一種觀點(diǎn)認(rèn)為，目前 5G 的 框架還沒有確定，談核心空口技術(shù)是否過早。 5G 底層技術(shù)專利形成時(shí)間遠(yuǎn)早于 5G 標(biāo)準(zhǔn)框架 目前對(duì)于 5G 的標(biāo)準(zhǔn)制定工作已經(jīng)開始加速，但初步的框架確定估計(jì)也要到 2016 年。但標(biāo) 準(zhǔn)框架未定之時(shí)，正是底層技術(shù)核心專利爭奪的關(guān)鍵時(shí)期。從歷史上的經(jīng)驗(yàn)看。我國自主提出 的 3G 國際標(biāo)準(zhǔn) TD-SCDMA 的標(biāo)準(zhǔn)框架專利 CN97104039.7 是在 1997 年由信威通信申請(qǐng)的。而高 通公司賴以掌控 3G 產(chǎn)業(yè)鏈命脈的底層 CDMA 核心專利卻是美國高通公司于
標(biāo)簽： 5g
上傳時(shí)間： 2022-02-21
上傳用戶：
蟲蟲下載站版權(quán)所有 京ICP備2021023401號(hào)-1
