從基本的放大器電路知識(shí)開(kāi)始,詳盡介紹了數(shù)十種使用頻率很高的放大器電路工作原理、識(shí)圖方法、電路故障分析思路,還比較詳細(xì)地介紹了膽機(jī)中的電子管放大器基礎(chǔ)知識(shí),最后介紹了萬(wàn)用表檢修放大器的全過(guò)程。
上傳時(shí)間: 2013-04-24
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MOS運(yùn)算放大器的原理及設(shè)計(jì)書(shū)籍,PDG文件。
標(biāo)簽: MOS 運(yùn)算放大器
上傳時(shí)間: 2013-04-24
上傳用戶:rishian
隨著低壓供電系統(tǒng)中感性負(fù)荷越來(lái)越多,電網(wǎng)對(duì)無(wú)功電流的需求量急劇增加,為了提高系統(tǒng)供電質(zhì)量和供電效率,必須對(duì)電網(wǎng)進(jìn)行無(wú)功補(bǔ)償。晶閘管投切電容器(TSC)一種簡(jiǎn)單易行的補(bǔ)償措施,并已得到廣泛應(yīng)用。但是長(zhǎng)期以來(lái)無(wú)功補(bǔ)償裝置中的電容器投切開(kāi)關(guān)存在功能單一、使用壽命短、開(kāi)關(guān)沖擊大等不足,這些不足嚴(yán)重制約了補(bǔ)償裝置的發(fā)展。因此開(kāi)發(fā)大容量快速的集多種功能于一體的電子開(kāi)關(guān)功率單元將是晶閘管投切電容器(TSC)技術(shù)中長(zhǎng)期研究的主要內(nèi)容,具有很高的實(shí)用價(jià)值。 首先,本文回顧了投切開(kāi)關(guān)的發(fā)展歷史,并指出它們存在的優(yōu)點(diǎn)和弊端。闡述了晶閘管投切電容器(TSC)的基本工作原理及主電路的組成和實(shí)現(xiàn)手段。 其次,提出功率單元的概念,并介紹了它的組成、功能和作用、對(duì)功率單元各個(gè)組成部分進(jìn)行研究,主要包括根據(jù)系統(tǒng)電壓和電流選擇晶閘管型號(hào)、根據(jù)TSC無(wú)過(guò)渡過(guò)程原理的分析來(lái)設(shè)計(jì)過(guò)零觸發(fā)模塊、利用補(bǔ)償電容上的工作電壓波形設(shè)計(jì)多功能卡上的工作指示電路、故障檢測(cè)電路,根據(jù)TSC的保護(hù)特點(diǎn)將溫度開(kāi)關(guān)串入到控制信號(hào)和冷卻風(fēng)扇電路,在溫度過(guò)高時(shí)起到對(duì)功率單元的保護(hù)作用。然后在理論及設(shè)計(jì)參數(shù)的基礎(chǔ)上制造功率單元。在已有的TSC補(bǔ)償裝置上對(duì)功率單元的性能進(jìn)行實(shí)驗(yàn),實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,論文所設(shè)計(jì)功率單元能很好的實(shí)現(xiàn)投切電容器的作用,還實(shí)現(xiàn)各種保護(hù)和顯示功能,提高效率和補(bǔ)償效果。 最后,系統(tǒng)地闡述了功率單元作為集成化開(kāi)關(guān)模塊在無(wú)功補(bǔ)償領(lǐng)域的優(yōu)越性,并指出設(shè)計(jì)中需要完善的地方。
上傳時(shí)間: 2013-07-19
上傳用戶:許小華
近年來(lái),以電池作為電源的微電子產(chǎn)品得到廣泛使用,因而迫切要求采用低電源電壓的模擬電路來(lái)降低功耗。目前低電壓、低功耗的模擬電路設(shè)計(jì)技術(shù)正成為微電子行業(yè)研究的熱點(diǎn)之一。 在模擬集成電路中,運(yùn)算放大器是最基本的電路,所以設(shè)計(jì)低電壓、低功耗的運(yùn)算放大器非常必要。在實(shí)現(xiàn)低電壓、低功耗設(shè)計(jì)的過(guò)程中,必須考慮電路的主要性能指標(biāo)。由于電源電壓的降低會(huì)影響電路的性能,所以只實(shí)現(xiàn)低壓、低功耗的目標(biāo)而不實(shí)現(xiàn)優(yōu)良的性能(如高速)是不大妥當(dāng)?shù)摹?論文對(duì)國(guó)內(nèi)外的低電壓、低功耗模擬電路的設(shè)計(jì)方法做了廣泛的調(diào)查研究,分析了這些方法的工作原理和各自的優(yōu)缺點(diǎn),在吸收這些成果的基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)了一個(gè)3.3 V低功耗、高速、軌對(duì)軌的CMOS/BiCMOS運(yùn)算放大器。在設(shè)計(jì)輸入級(jí)時(shí),選擇了兩級(jí)直接共源一共柵輸入級(jí)結(jié)構(gòu);為穩(wěn)定運(yùn)放輸出共模電壓,設(shè)計(jì)了共模負(fù)反饋電路,并進(jìn)行了共模回路補(bǔ)償;在偏置電路設(shè)計(jì)中,電流鏡負(fù)載并不采用傳統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)共源-共柵結(jié)構(gòu),而是采用適合在低壓工況下的低壓、寬擺幅共源-共柵結(jié)構(gòu);為了提高效率,在設(shè)計(jì)時(shí)采用了推挽共源極放大器作為輸出級(jí),輸出電壓擺幅基本上達(dá)到了軌對(duì)軌;并采用帶有調(diào)零電阻的密勒補(bǔ)償技術(shù)對(duì)運(yùn)放進(jìn)行頻率補(bǔ)償。 采用標(biāo)準(zhǔn)的上華科技CSMC 0.6μpm CMOS工藝參數(shù),對(duì)整個(gè)運(yùn)放電路進(jìn)行了設(shè)計(jì),并通過(guò)了HSPICE軟件進(jìn)行了仿真。結(jié)果表明,當(dāng)接有5 pF負(fù)載電容和20 kΩ負(fù)載電阻時(shí),所設(shè)計(jì)的CMOS運(yùn)放的靜態(tài)功耗只有9.6 mW,時(shí)延為16.8ns,開(kāi)環(huán)增益、單位增益帶寬和相位裕度分別達(dá)到82.78 dB,52.8 MHz和76°,而所設(shè)計(jì)的BiCMOS運(yùn)放的靜態(tài)功耗達(dá)到10.2 mW,時(shí)延為12.7 ns,開(kāi)環(huán)增益、單位增益帶寬和相位裕度分別為83.3 dB、75 MHz以及63°,各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)都達(dá)到了設(shè)計(jì)要求。
標(biāo)簽: CMOSBiCMOS 低壓 低功耗
上傳時(shí)間: 2013-06-29
上傳用戶:saharawalker
該講義由德州儀器的高級(jí)工程師主講。主要講述放大器如何才能穩(wěn)定的工作,
標(biāo)簽: 運(yùn)算放大器 穩(wěn)定性分析
上傳時(shí)間: 2013-07-07
上傳用戶:playboys0
由于絕緣柵雙極晶體管IGBT具有工作頻率高、處理功率大和驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單等諸多優(yōu)點(diǎn),在電力電子設(shè)備、尤其是中大型功率的電力電子設(shè)備中的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。但是,IGBT失效引發(fā)的設(shè)備故障往往會(huì)對(duì)生產(chǎn)帶來(lái)巨大影響和損失,因此,對(duì)IGBT的失效研究具有十分重要的應(yīng)用意義。 本文在深入分析IGBT器件工作原理和工作特性的基礎(chǔ)上,采用雙極傳輸理論聯(lián)立求解電子和空穴的傳輸方程,得到了穩(wěn)態(tài)時(shí)電子和空穴電流的表達(dá)式,對(duì)造成IGBT失效的各種因素進(jìn)行了詳細(xì)分析。應(yīng)用MATLAB軟件,對(duì)硅參數(shù)的熱導(dǎo)率、載流子濃度、載流子壽命、電子遷移率、空穴遷移率和雙極擴(kuò)散系數(shù)等進(jìn)行了仿真,深入研究了IGBT的失效因素,得到了IGBT失效的主要原因是發(fā)生擎住效應(yīng)以及泄漏電流導(dǎo)致IGBT延緩失效的有用結(jié)論。并且,進(jìn)行了IGBT動(dòng)態(tài)模型的設(shè)計(jì)和仿真,對(duì)IGBT在短路情況下的失效機(jī)理進(jìn)行了深入研究。 考慮到實(shí)際設(shè)備中的IGBT在使用中經(jīng)常會(huì)發(fā)生反復(fù)過(guò)流這一問(wèn)題,通過(guò)搭建試驗(yàn)電路,著重對(duì)反復(fù)過(guò)流對(duì)IGBT可能帶來(lái)的影響進(jìn)行了試驗(yàn)研究,探討了IGBT因反復(fù)過(guò)流導(dǎo)致的累積失效的變化規(guī)律。本文研究結(jié)果對(duì)于正確判斷IGBT失效以及失效程度、進(jìn)而正確判斷和預(yù)測(cè)設(shè)備的可能故障,具有一定的應(yīng)用參考價(jià)值。
上傳時(shí)間: 2013-08-04
上傳用戶:lrx1992
無(wú)功功率是影響電壓穩(wěn)定的一個(gè)重要因素,它關(guān)系到整個(gè)電力系統(tǒng)能否安全穩(wěn)定的運(yùn)行。由于工業(yè)企業(yè)存在大量低功率因數(shù)、沖擊性負(fù)載,導(dǎo)致大量無(wú)功的產(chǎn)生;同時(shí),隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展,在工業(yè)領(lǐng)域內(nèi)大功率的電力電子設(shè)備得到廣泛運(yùn)用,然而,由于電力電子設(shè)備的非線性特性,運(yùn)行時(shí)又會(huì)產(chǎn)生大量諧波,因此,如何將無(wú)功補(bǔ)償與諧波抑制同時(shí)進(jìn)行考慮,是未來(lái)無(wú)功補(bǔ)償技術(shù)領(lǐng)域的重要研究課題之一。 本文介紹了功率理論的發(fā)展,以及常用的無(wú)功補(bǔ)償方式的原理和特點(diǎn),同時(shí)重點(diǎn)介紹了瞬時(shí)無(wú)功功率理論以及以此為基礎(chǔ)的TSC無(wú)功補(bǔ)償控制器。在硬件方面,本文設(shè)計(jì)了基于LF2407ADSP芯片的TSC控制器、控制器外圍電路及主電路三大模塊。在軟件方面,本文包括數(shù)據(jù)采集軟件、控制投切算法、觸發(fā)控制軟件三部分。其中著重介紹了無(wú)沖擊電流投入電容的設(shè)計(jì)思路,得出了一個(gè)好的電路。 軟件仿真和樣機(jī)實(shí)測(cè)結(jié)果表明,這種TSC裝置在提供動(dòng)態(tài)無(wú)功功率補(bǔ)償和減小沖擊涌流方面具有優(yōu)良的性能。
標(biāo)簽: DSP TSC 瞬時(shí)無(wú)功功率
上傳時(shí)間: 2013-04-24
上傳用戶:hoperingcong
lm386小功率音頻放大器pdf文件,原理圖,電路圖。
上傳時(shí)間: 2013-06-29
上傳用戶:guh000
MOS集成運(yùn)算放大器的版圖設(shè)計(jì) 集成電路設(shè)計(jì)綜合實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)書(shū)
標(biāo)簽: MOS 集成運(yùn)算放大器 版圖設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間: 2013-04-24
上傳用戶:yolo_cc
單電源運(yùn)算放大器電路應(yīng)用圖集單電源運(yùn)算放大器電路應(yīng)用圖集
標(biāo)簽: 單電源 運(yùn)算放大器 電路應(yīng)用
上傳時(shí)間: 2013-06-15
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