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微波晶體管

  • 場效應管的h參數(shù)等效模型

    主要介紹場效應管H參數(shù)的模型

    標簽: 場效應管 h參數(shù) 等效模型

    上傳時間: 2014-01-09

    上傳用戶:1966649934

  • MOS管驅(qū)動電路總結(jié)

    下面是我對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎的一點總結(jié),其中參考了一些資料,非全部原創(chuàng)。包括MOS管的介紹,特性,驅(qū)動以及應用電路。

    標簽: MOS 驅(qū)動電路

    上傳時間: 2013-11-18

    上傳用戶:文993

  • 2SJ系列場效應管參數(shù)大全

    2SJ系列場效應管參數(shù)大全:

    標簽: 2SJ 場效應管 參數(shù)大全

    上傳時間: 2013-11-24

    上傳用戶:wlcaption

  • 單管放大_從原理圖到PCB

    運用PROTEL DXP 2004設計的項目“單管放大”視頻教學,完整展現(xiàn)了從原理圖到PCB的過程

    標簽: PCB 單管放大 原理圖

    上傳時間: 2013-11-25

    上傳用戶:龍飛艇

  • 創(chuàng)建PCB元件管腳封裝

    創(chuàng)建PCB元件管腳封裝

    標簽: PCB 元件 管腳 封裝

    上傳時間: 2014-12-24

    上傳用戶:chenjjer

  • IC封裝製程簡介(IC封裝制程簡介)

    半導體的產(chǎn)品很多,應用的場合非常廣泛,圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別,圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為   PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array         雖然半導體元件的外型種類很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。    從半導體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片,透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片,圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當引發(fā)過電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。   圖四是常見的LED,也就是發(fā)光二極體,其內(nèi)部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來做分別,晶片是貼附在負極的腳上,經(jīng)由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時,晶片會發(fā)光而使LED發(fā)亮,如圖六所示。     半導體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品,稱為IC封裝製程,又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節(jié)中將簡介這兩段的製造程序。

    標簽: 封裝 IC封裝 制程

    上傳時間: 2014-01-20

    上傳用戶:蒼山觀海

  • 開關(guān)電源中功率MOSFET管損壞模式及分析

    結(jié)合功率MOSFET管不同的失效形態(tài),論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下?lián)p壞的模式,并說明了產(chǎn)生這樣的損壞形態(tài)的原因,也分析了功率MOSFET管在關(guān)斷及開通過程中發(fā)生失效形態(tài)的差別,從而為失效在關(guān)斷或在開通過程中發(fā)生損壞提供了判斷依據(jù)。給出了測試過電流和過電壓的電路圖。同時分析了功率MOSFET管在動態(tài)老化測試中慢速開通、在電池保護電路應用中慢速關(guān)斷及較長時間工作在線性區(qū)時損壞的形態(tài)。最后,結(jié)合實際應用,論述了功率MOSFET通常會產(chǎn)生過電流和過電壓二種混合損壞方式損壞機理和過程。

    標簽: MOSFET 開關(guān)電源 功率

    上傳時間: 2013-11-14

    上傳用戶:dongqiangqiang

  • 移動電源原理圖+數(shù)碼管

    帶數(shù)碼管顯示的 移動電源原理圖

    標簽: 移動電源 原理圖 數(shù)碼管

    上傳時間: 2013-10-21

    上傳用戶:拔絲土豆

  • N溝道MOS管和P溝道MOS管

    通俗易懂的介紹MOS管和使用方法

    標簽: MOS N溝道

    上傳時間: 2014-08-23

    上傳用戶:woshinimiaoye

  • 開關(guān)電源,電機驅(qū)動用MOS管:2SK2843

    開關(guān)電源,電機驅(qū)動用MOS管:2SK2843

    標簽: 2843 MOS 2SK SK

    上傳時間: 2013-10-27

    上傳用戶:wsf950131

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