SDRAM的原理和時序 SDRAM內存模組與基本結構 我們平時看到的SDRAM都是以模組形式出現，為什么要做成這種形式呢？這首先要接觸到兩個概念：物理Bank與芯片位寬。1、 物理Bank 傳統內存系統為了保證CPU的正常工作，必須一次傳輸完CPU在一個傳輸周期內所需要的數據。而CPU在一個傳輸周期能接受的數 據容量就是CPU數據總線的位寬，單位是bit（位）。當時控制內存與CPU之間數據交換的北橋芯片也因此將內存總線的數據位寬 等同于CPU數據總線的位寬，而這個位寬就稱之為物理Bank（Physical Bank，下文簡稱P-Bank）的位寬。所以，那時的內存必須要組織成P-Bank來與CPU打交道。資格稍老的玩家應該還記 得Pentium剛上市時，需要兩條72pin的SIMM才能啟動，因為一條72pin -SIMM只能提供32bit的位寬，不能滿足Pentium的64bit數據總線的需要。直到168pin-SDRAM DIMM上市后，才可以使用一條內存開機。不過要強調一點，P-Bank是SDRAM及以前傳統內存家族的特有概念，RDRAM中將以通道（Channel）取代，而對 于像Intel E7500那樣的并發式多通道DDR系統，傳統的P-Bank概念也不適用。2、 芯片位寬 上文已經講到SDRAM內存系統必須要組成一個P-Bank的位寬，才能使CPU正常工作，那么這個P-Bank位寬怎么得到呢 ？這就涉及到了內存芯片的結構。 每個內存芯片也有自己的位寬，即每個傳輸周期能提供的數據量。理論上，完全可以做出一個位寬為64bit的芯片來滿足P-Ban k的需要，但這對技術的要求很高，在成本和實用性方面也都處于劣勢。所以芯片的位寬一般都較小。臺式機市場所用的SDRAM芯片 位寬最高也就是16bit，常見的則是8bit。這樣，為了組成P-Bank所需的位寬，就需要多顆芯片并聯工作。對于16bi t芯片，需要4顆（4×16bit=64bit）。對于8bit芯片，則就需要8顆了。以上就是芯片位寬、芯片數量與P-Bank的關系。P-Bank其實就是一組內存芯片的集合，這個集合的容量不限，但這個集合的 總位寬必須與CPU數據位寬相符。隨著計算機應用的發展，
上傳時間： 2013-11-04
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S51編程器制作包:自制AT89S51編程器教程AT89S51芯片的日漸流行，對我們單片機初學者來說是一個大好消息。因為做個AT89S51編程器非常容易，而且串行編程模式更便于做成在線編程器，給頻繁燒片，調試帶來了巨大的方便。 電路： 只要焊13根線就可以搞定這個電路。基本原理：RST置高電平，然后向單片機串行發送 編程命令。P1.7(SCK)輸入移位脈沖，P1.6(MISO)串行輸出，P1.5(MOSI)串行輸入（要了解詳細編程原理可以去看AT89S51的數據手冊）。使用并口發出控制信號，74373只是用于信號轉換，因為并口直接輸出高電平的電壓有點沒到位，使用其他芯片也可以，還有人提出直接接電阻。并口引腳1控制P1.7，引腳14控制P1.5，引腳15讀P1.6，引腳16控制RST，引腳17接74373 LE（鎖存允許），18-25這些引腳都可以接地。建議在你的單片機系統板上做個6芯的接口。注意：被燒寫的單片機一定是最小系統（單片機已經接好電源，晶振，可以運行），VCC，GND是給74373提供電源的。 還有一個方案：使用串口+單片機，這個方案已經用了半年了。電路稍微麻煩一點，速度比較快，而且可以燒AT89C51等等。其實許多器件編程原理差不多，由于我沒太多時間研究器件手冊，更沒有MONEY買一堆芯片來測試，所以只實現了幾個最常用單片機編程功能（AT89C51，C52，C55，AT89S51，S52，S53）。如果要燒寫其他單片機，你可以直接編寫底層控制子程序（例如，寫一個單元，讀一個單元，擦除ROM的子程序）。如果有需要，我可以在器件選擇欄提供一個“X-CHIP”的選擇，“X-CHIP”的編程細節將由用戶自己去實現。當你仔細閱讀器件手冊后，會發現實現這些子程序其實好容易，這也是初學者學單片機編程的好課題。如果成功了會極大的提高你學單片機的積極性。 軟件： 這個軟件的通信，控制部分早在半年前就完成了，這回只是換了個界面和加入并口下載線的功能，希望你看到這個軟件不會想吐。使用很簡當，有一點特別，當你用鼠標右鍵點擊按鈕后，可以把相關操作設置為自動模式（只有打開文件，擦除芯片，寫FLASH ROM，讀FLASH ROM，效驗數據 可以設置），點擊‘自動完成’后會依次完成這些操作，并在開始時檢測芯片。當“打開文件”設為自動后，第2次燒寫同一個文件時不必再去打開文件，軟件會自動刷新緩沖。軟件在WIN XP，WIN 2000可以使用（管理員登陸的），在WIN 98 ，WIN ME使用并口模式時會更快些。這個軟件同時支持串口編程器和并口下載線。操作正常結束后會有聲音提示。如果沒有聲卡或聲卡爛了，則聲音會從機箱揚聲器中發出。注意：記得在CMOS設置中把并口設為ECP模式。就這些東西，應該夠詳細吧，還有什么問題或遇到什么困難可以聯系我,軟件出現什么問題一定要通知我修正。祝你一次就搞定。
上傳時間： 2014-01-24
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離散傅里葉變換,(DFT)Direct Fouriet Transformer(PPT課件) 一、序列分類對一個序列長度未加以任何限制，則一個序列可分為： 無限長序列：n=-∞~∞或n=0~∞或n=-∞~ 0 有限長序列：0≤n≤N-1有限長序列在數字信號處理是很重要的一種序列。由于計算機容量的限制，只能對過程進行逐段分析。二、DFT引入由于有限長序列，引入DFT(離散付里葉變換)。DFT它是反映了“有限長”這一特點的一種有用工具。DFT變換除了作為有限長序列的一種付里葉表示，在理論上重要之外，而且由于存在著計算機DFT的有效快速算法--FFT,因而使離散付里葉變換(DFT)得以實現，它使DFT在各種數字信號處理的算法中起著核心的作用。三、本章主要討論 離散付里葉變換的推導離散付里葉變換的有關性質離散付里葉變換逼近連續時間信號的問題第二節 付里葉變換的幾種形式傅 里 葉 變 換 ： 建 立 以 時 間 t 為 自 變 量 的 “ 信 號 ” 與 以 頻 率 f為 自 變 量 的 “ 頻 率 函 數 ”(頻譜) 之 間 的 某 種 變 換 關 系 . 所 以 “ 時 間 ” 或 “ 頻 率 ” 取 連 續 還 是 離 散 值 , 就 形 成 各 種 不 同 形 式 的 傅 里 葉 變 換 對 。, 在 深 入 討 論 離 散 傅 里 葉 變 換 D F T 之 前 , 先 概 述 四種 不 同 形式 的 傅 里 葉 變 換 對 . 一、四種不同傅里葉變換對傅 里 葉 級 數(FS)：連 續 時 間 , 離 散 頻 率 的 傅 里 葉 變 換 。連 續 傅 里 葉 變 換(FT)：連 續 時 間 , 連 續 頻 率 的 傅 里 葉 變 換 。序 列 的 傅 里 葉 變 換(DTFT):離 散 時 間 , 連 續 頻 率 的 傅 里 葉 變 換.離 散 傅 里 葉 變 換(DFT):離 散 時 間 , 離 散 頻 率 的 傅 里 葉 變 換1.傅 里 葉 級 數(FS)周期連續時間信號 非周期離散頻譜密度函數。 周期為Tp的周期性連續時間函數 x(t) 可展成傅里葉級數X(jkΩ0) ,是離散非周期性頻譜 , 表 示為:例子通過以下 變 換 對 可 以 看 出 時 域 的 連 續 函 數 造 成 頻 域 是 非 周 期 的 頻 譜 函 數 , 而 頻 域 的 離 散 頻 譜 就 與 時 域 的 周 期 時 間 函 數 對 應 . (頻域采樣，時域周期延 拓)2.連 續 傅 里 葉 變 換(FT)非周期連續時間信號通過連續付里葉變換(FT)得到非周期連續頻譜密度函數。
上傳時間： 2013-11-19
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用單片機AT89C51改造普通雙桶洗衣機：AT89C2051作為AT89C51的簡化版雖然去掉了P0、P2等端口，使I/O口減少了，但是卻增加了一個電壓比較器，因此其功能在某些方面反而有所增強，如能用來處理模擬量、進行簡單的模數轉換等。本文利用這一功能設計了一個數字電容表，可測量容量小于2微法的電容器的容量，采用3位半數字顯示，最大顯示值為1999，讀數單位統一采用毫微法（nf），量程分四檔，讀數分別乘以相應的倍率。電路工作原理 本數字電容表以電容器的充電規律作為測量依據，測試原理見圖1。電源電路圖。 壓E+經電阻R給被測電容CX充電，CX兩端原電壓隨充電時間的增加而上升。當充電時間t等于RC時間常數τ時，CX兩端電壓約為電源電壓的63.2%，即0.632E+。數字電容表就是以該電壓作為測試基準電壓，測量電容器充電達到該電壓的時間，便能知道電容器的容量。例如，設電阻R的阻值為1千歐，CX兩端電壓上升到0.632E+所需的時間為1毫秒，那么由公式τ=RC可知CX的容量為1微法。 測量電路如圖2所示。A為AT89C2051內部構造的電壓比較器，AT89C2051 圖2 的P1.0和P1.1口除了作I/O口外，還有一個功能是作為電壓比較器的輸入端，P1.0為同相輸入端，P1.1為反相輸入端，電壓比較器的比較結果存入P3.6口對應的寄存器，P3.6口在AT89C2051外部無引腳。電壓比較器的基準電壓設定為0.632E+，在CX兩端電壓從0升到0.632E+的過程中，P3.6口輸出為0，當電池電壓CX兩端電壓一旦超過0.632E+時，P3.6口輸出變為1。以P3.6口的輸出電平為依據，用AT89C2051內部的定時器T0對充電時間進行計數，再將計數結果顯示出來即得出測量結果。整機電路見圖3。電路由單片機電路、電容充電測量電路和數碼顯示電路等 圖3 部分組成。AT89C2051內部的電壓比較器和電阻R2-R7等組成測量電路，其中R2-R5為量程電阻，由波段開關S1選擇使用，電壓比較器的基準電壓由5V電源電壓經R6、RP1、R7分壓后得到，調節RP1可調整基準電壓。當P1.2口在程序的控制下輸出高電平時，電容CX即開始充電。量程電阻R2-R5每檔以10倍遞減，故每檔顯示讀數以10倍遞增。由于單片機內部P1.2口的上拉電阻經實測約為200K，其輸出電平不能作為充電電壓用，故用R5兼作其上拉電阻，由于其它三個充電電阻和R5是串聯關系，因此R2、R3、R4應由標準值減去1K，分別為999K、99K、9K。由于999K和1M相對誤差較小，所以R2還是取1M。數碼管DS1-DS4、電阻R8-R14等組成數碼顯示電路。本機采用動態掃描顯示的方式，用軟件對字形碼譯碼。P3.0-P3.5、P3.7口作數碼顯示七段筆劃字形碼的輸出，P1.3-P1.6口作四個數碼管的動態掃描位驅動碼輸出。這里采用了共陰數碼管，由于AT89C2051的P1.3-P1.6口有25mA的下拉電流能力，所以不用三極管就能驅動數碼管。R8-R14為P3.0-P3.5、P3.7口的上拉電阻，用以驅動數碼管的各字段，當P3的某一端口輸出低電平時其對應的字段筆劃不點亮，而當其輸出高電平時，則對應的上拉電阻即能點亮相應的字段筆劃。
上傳時間： 2013-12-31
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AVR單片機GCC程序設計:第一章 概述1.1 AVR 單片機GCC 開發概述1.2 一個簡單的例子1.3 用MAKEFILE 管理項目1.4 開發環境的配置1.5 實驗板CA-M8第二章 存儲器操作編程2.1 AVR 單片機存儲器組織結構2.2 I/O 寄存器操作2.3 SRAM 內變量的使用2.4 在程序中訪問FLASH 程序存儲器2.5 EEPROM 數據存儲器操作2.6 avr-gcc 段結構與再定位2.7 外部RAM 存儲器操作2.8 堆應用第三章 GCC C 編譯器的使用3.1 編譯基礎3.2 生成靜態連接庫第四章 AVR 功能模塊應用實驗4.1 中斷服務程序4.2 定時器/計數器應用4.3 看門狗應用4.4 UART 應用4.5 PWM 功能編程4.6 模擬比較器4.7 A/D 轉換模塊編程4.8 數碼管顯示程序設計4.9 鍵盤程序設計4.10 蜂鳴器控制第五章 使用C 語言標準I/O 流調試程序5.1 avr-libc 標準I/O 流描述5.2 利用標準I/0 流調試程序5.3 最小化的格式化的打印函數第六章 CA-M8 上實現AT89S52 編程器的實現6.1 編程原理6.2 LuckyProg2004 概述6.3 AT989S52 isp 功能簡介6.4 下位機程序設計第七章 硬件TWI 端口編程7.1 TWI 模塊概述7.2 主控模式操作實時時鐘DS13077.3 兩個Mega8 間的TWI 通信第八章 BootLoader 功能應用8.1 BootLoader 功能介紹8.2 avr-libc 對BootLoader 的支持8.3 BootLoader 應用實例8.4 基于LuckyProg2004 的BootLoader 程序第九章 匯編語言支持9.1 C 代碼中內聯匯編程序9.2 獨立的匯編語言支持9.3 C 與匯編混合編程第十章 C++語言支持附錄 1 avr-gcc 選項附錄 2 Intel HEX 文件格式描述
上傳時間： 2014-04-03
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隨著當前電子技術及發動機電控技術的發展，以32位嵌入式微控制器及多任務實時操作系統為基本技術特征的新一代電子控制單元ECU(Electronic Control Unit)的開發已成為汽車電子發展應用的主流。本文在Tonadofor OSEKWorks多任務實時操作系統及32佗Power PC微控制器MPC555的基礎上，介紹高壓共軌柴油發動機電子控制單元的最小系統設計方案。
上傳時間： 2013-10-30
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鋰離子電池Li+ 是適合電子產品輕薄小需求的高能量密度高性能電池,被廣泛應用于手機,PDA ,筆記本電腦等高端產品中.圖一所示電路提供了一種結構簡單緊湊的單節Li+電池充電方案圖中墻上適配器為9VDC 800mA 限流型電壓源Anam Friwo 等公司均有相應產品MAX1679內置充電終止檢測電路和充電過程控制.器插入電池或充電器上電都將啟動一次充電過程一次完整的充電過程包括初始化充電以較小的充電電流為電池充電使電池電壓大于2.5V溫度范圍如果超出2.5 到47.5 則處于等待狀態.快充過程快充開始后MAX1679打開外接的P 溝道場效應管快充電流由外部限流型充電電源決定.一旦檢測到電池電壓達到Li+電池充電終止門限電壓時快充結束.充電終止門限電壓由電阻RADJ確定,可參考以下公式:
上傳時間： 2013-11-14
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通用的多電源總線，如VME、VXI 和PCI 總線，都可提供功率有限的3.3V、5V 和±12V（或±24V）電源，如果在這些系統中添加設備（如插卡等），則需要額外的3.3V或5V電源，這個電源通常由負載較輕的-12V電源提供。圖1 電路，將-12V 電壓升壓到15.3V（相對于-12V 電壓），進而得到3.3V 的電源電壓，輸出電流可達300mA。Q2 將3.3V 電壓轉換成適當的電壓（-10.75V）反饋給IC1 的FB 引腳，PWM 升壓控制器可提供1W 的輸出功率，轉換效率為83%。整個電路大約占6.25Cm2的線路板尺寸，適用于依靠臺式PC機電源供電，需要提供1W輸出功率的應用，這種應用中，由于-12V總線電壓限制在1.2W以內，因此需要保證高于83%的轉換效率。由于限流電阻（RSENSE）將峰值電流限制在120mA，N 溝道MOSFET（Q1）可選用廉價的邏輯電平驅動型場效應管，R1、R2 設置輸出電壓（3.3V 或5V）。IC1 平衡端（Pin5）的反饋電壓高于PGND引腳（Pin7）1.25V，因此：VFB = -12V + 1.25V = - 10.75V選擇電阻R1后，可確定：I2 = 1.25V / R1 = 1.25V / 12.1kΩ = 103μA可由下式確定R2：R2 = （VOUT - VBE）/ I2 =（3.3V - 0.7V）/ 103μA = 25.2 kΩ圖1 中，IC1 的開關頻率允許通過外部電阻設置，頻率范圍為100kHz 至500kHz，有利于RF、數據采集模塊等產品的設計。當選擇較高的開關頻率時，能夠保證較高的轉換效率，并可選用較小的電感和電容。為避免電流倒流，可在電路中增加一個與R1串聯的二極管。
上傳時間： 2013-10-17
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LTC1732 是LINEAR TECHNOLOGY 公司推出的鋰離子電池充電控制集成電路芯片。它具有電池插入檢測和自動低壓電池充電功能。文章介紹了該芯片的結構、特點、工作原理及應用信息，給出了典型的應用電路。 LTC1732 是LINEAR TECHNOLOGY 公司生產的鋰-離子（Li-離子）電池恒流/恒壓線性充電控制器。它也可以對鎳-鎘（NiCd）和鎳-氫（NiMH）電池恒流充電。其充電電流可通過外部傳感電阻器編程到7%（最大值）的精度。最終的浮動電壓精度為1%。利用LTC1732 的SEL 端可為4.1V 或4.2V 電池充電。當輸入電源撤消后，LTC1732 可自動進入低電流睡眠狀態，以使消耗電流下降到7μA。LTC1732 的內部比較器用于檢測充電結束條件（C/10），而總的充電時間則是通過可編程計時器的外部電容來設置的。在電池完全放電后，控制器將自動以規定電流的10%對被充電電池進行慢速充電直到電池電壓超過2.457V。當放電后的電池插入充電器或當輸入電源接通時，LTC1732 將開始重新充電。另外，如果電池一直插入在充電器且在電池電壓降到3.8V（LTC1732-4）或4.05V（LTC1732-4.2）以下時，充電器也將開始重新充電。LTC1732 的其它主特點如下：●具有1%的預置充電電壓精度；●輸入電壓范圍4.5V～12V；●充電電流可編程控制；●具有C/10 充電電流檢測輸出；●可編程控制充電終端計時；●帶有低電壓電池自動小電流充電模式；●可編程控制恒定電流接通模式；●具有電池插入檢測和自動低壓電流充電功能；●帶有輸入電源（隔離適配器）檢測輸出；●LTC1732-4.2 型器件的再充電閾值電壓為4.05V；●LTC1732-4 型器件的再充電閾值電壓為3.8V。
上傳時間： 2013-11-12
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鍵盤是一個由開關組成的矩陣，是重要的輸入設備，在小型微機系統中，如單板微計算機、帶有微處理器的專用設備中，鍵盤的規模小，可采用簡單實用的接口方式，在軟件控制下完成鍵盤的輸入功能。小型鍵盤結構框圖行線接口：8位并行輸出口，驅動行線。列線接口：8位并行輸出口，讀取列線 代碼。電阻：列線提取電阻，行線的限流電阻 保護行線接口輸出電路。二極管：防止兩條行線上按鍵同時按下 時，可能對行線接口電路造成 的損害。行掃描法識別鍵按下的軟件方法行線接口輸出電路輸出一個8位掃描碼，其中有一位為0，其余位全為1。輸出為0行線的邏輯0電平，被有鍵按下的列線輸入接口讀入。 軟件根據列線輸入接口讀入的列值（只一位為0）判斷出按下鍵的座標位置，形成鍵號。根據鍵號轉到相應的鍵處理程序中去。
上傳時間： 2013-10-15
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