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用于定量表示ADC動態性能的常用指標有六個，分別是：SINAD(信納比)、ENOB(有效位 數)、SNR(信噪比)、THD(總諧波失真)、THD + N(總諧波失真加噪聲)和SFDR(無雜散動態 范圍)
標簽： THD SINAD ENOB SFDR
上傳時間： 2014-01-22
上傳用戶：魚哥哥你好
基于N溝道MOS管H橋驅動電路設計與制作
標簽： MOS N溝道 H橋驅動 電路設計
上傳時間： 2014-08-01
上傳用戶：1109003457
計數器是一種重要的時序邏輯電路，廣泛應用于各類數字系統中。介紹以集成計數器74LS161和74LS160為基礎，用歸零法設計N進制計數器的原理與步驟。用此方法設計了3種36進制計數器，并用Multisim10軟件進行仿真。計算機仿真結果表明設計的計數器實現了36進制計數的功能。基于集成計數器的N進制計數器設計方法簡單、可行，運用Multisim 10進行電子電路設計和仿真具有省時、低成本、高效率的優越性。
標簽： 歸零法 N進制計數器原
上傳時間： 2013-10-11
上傳用戶：gtzj
在理論模型的基礎上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質摻雜濃度的變化規律。所得結論與硅、鍺p-n 結實驗數據相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。
標簽： p-n 隧道 擊穿 模型研究
上傳時間： 2013-10-31
上傳用戶：summery
開關電源設計筆記-幾分鐘搞定一款LED電源
標簽： LED 開關電源設計 分 電源
上傳時間： 2013-10-14
上傳用戶：wenwiang
N+緩沖層設計對PT-IGBT器件特性的影響至關重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態壓降，得到了通態壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結果與理論分析一致。對于PT-IGBT結構，N+緩沖層濃度及厚度存在最優值，只要合理的選取可以有效地降低通態壓降。
標簽： PT-IGBT 緩沖層
上傳時間： 2013-11-12
上傳用戶：thesk123
CMOS 邏輯系統的功耗主要與時脈頻率、系統內各閘極輸入電容及電源電壓有關，裝置尺寸縮小後，電源電壓也隨之降低，使得閘極大幅降低功耗。這種低電壓裝置擁有更低的功耗和更高的運作速度，因此系統時脈頻率可升高至 Ghz 範圍。
標簽： DDR 記憶體 電源
上傳用戶：immanuel2006
透過增加輸入電容，可以在獲得更多鏈波電流的同時，還能藉由降低輸入電容的壓降來縮小電源的工作輸入電壓範圍。這會影響電源的變壓器圈數比以及各種電壓與電流應力(current stresscurrent stress current stresscurrent stress current stress current stress )。電容鏈波電流額定值越大，應力越小，電源效率也就越高。
標簽： 輸入電容 電流
上傳時間： 2013-11-11
上傳用戶：jelenecheung
為了研究既簡單又具有優良動、靜態性能的逆變電源控制方案，介紹一套全新的帶有自適應功能的逆變電源模糊參數自整定系統，并通過MATLAB/SIMULINK仿真實驗驗證了該方法能夠出色滿足各項苛刻性能指標要求，具有十分廣闊的應用前景。
標簽： 模糊 參數自適應 自整定 系統研究
上傳時間： 2013-11-22
上傳用戶：完瑪才讓
差動保護整定范例一： 三圈變壓器參數如下表： 變壓器容量Se 31500KVA 變壓器接線方式 Yn，y，d11 變壓器變比Ue 110kV/35kV/10kV 110kV側TA變比nTA 300/5 35KV側TA變比nTA 1000/5 10KV側TA變比nTA 2000/5 TA接線 外部變換方式 一次接線 10kV側雙分支 調壓ΔU ±8×1.25% 電流互感器接線系數Kjx 當為Y接線時為1，當為Δ接線時為 區外三相最大短路電流 假設為1000A(此值需根據現場情況計算確定) 計算： 高壓側二次額定電流 中壓側二次額定電流 低壓側二次額定電流
標簽： 變壓器 差動保護 工程師 整定
上傳時間： 2013-11-01
上傳用戶：edisonfather
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