Single-Ended and Differential S-Parameters Differential circuits have been important incommunication systems for many years. In the past,differential communication circuits operated at lowfrequencies, where they could be designed andanalyzed using lumped-element models andtechniques. With the frequency of operationincreasing beyond 1GHz, and above 1Gbps fordigital communications, this lumped-elementapproach is no longer valid, because the physicalsize of the circuit approaches the size of awavelength.Distributed models and analysis techniques are nowused instead of lumped-element techniques.Scattering parameters, or S-parameters, have beendeveloped for this purpose [1]. These S-parametersare defined for single-ended networks. S-parameterscan be used to describe differential networks, but astrict definition was not developed until Bockelmanand others addressed this issue [2]. Bockelman’swork also included a study on how to adapt single-ended S-parameters for use with differential circuits[2]. This adaptation, called “mixed-mode S-parameters,” addresses differential and common-mode operation, as well as the conversion betweenthe two modes of operation.This application note will explain the use of single-ended and mixed-mode S-parameters, and the basicconcepts of microwave measurement calibration.
上傳時間: 2014-03-25
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資料介紹說明: si8000m破解版帶破解文件crack si8000m是全新的邊界元素法場效解算器,建立在我們熟悉的早期POLAR阻抗設(shè)計系統(tǒng)易用使用的用戶界面之上。si8000m增加了強化建模技術(shù),可以預(yù)測多電介質(zhì)PCB的成品阻抗,同時考慮了密集差分結(jié)構(gòu)介電常數(shù)局部變化。 建模時常常忽略了便面圖層,si8000m模擬圖層與表面線路之間的阻焊厚度。這是一種更好的解決方案,可根據(jù)電路板采用的特殊阻焊方法進行定制。新的si8000m還提取偶模阻抗和共模阻抗。(偶模阻抗是黨倆條傳輸線對都采用相同量值,相同級性的信號驅(qū)動,傳輸線一邊的特性阻抗.)在USB2.0和LVDS等高速系統(tǒng)中,越來越需要控制這些特征阻抗。
上傳時間: 2013-11-05
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AL-FGB系列復(fù)合式過電壓保護器 AL-FGB型三相復(fù)合式過電壓保護器(簡稱AL-FGB)是我公司針對現(xiàn)行各類過電壓保護器保護弱點而研制的新一代專利產(chǎn)品,將組容吸收器和避雷器的功能有機結(jié)合在一起,專用于35KV及以下中壓電網(wǎng)中,主要用來吸收真空斷路器、真空接觸器在開斷感性負載時產(chǎn)生的高頻操作過電壓,同時具有吸收大氣過電壓及其他形式的暫態(tài)沖擊過電壓的功能; 因此具備一系列其它類型過電壓保護器無法比擬的優(yōu)點。可廣泛地應(yīng)用于真空斷路器操作的電動機、電抗器、變壓器等配電線路中。 該產(chǎn)品使過電壓保護器的整體功能實現(xiàn)了重大突破,是目前功能最全面、保護最完善的產(chǎn)品。符合國家產(chǎn)業(yè)政策及國家電氣產(chǎn)品無油化、小型化、節(jié)能環(huán)保等發(fā)展趨勢,具有顯著的技術(shù)經(jīng)濟效益和廣泛的社會效益,是我國電力建設(shè)尤其是城鄉(xiāng)電網(wǎng)改造急需的產(chǎn)品。 該產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于發(fā)電廠、變(配)電站、各種水利設(shè)施、礦山、石油、化工、冶金以及其他各類工業(yè)企業(yè)等。 1、全面抑制雷電和操作過電壓的危害,功能強大,保護更全面 在中壓電網(wǎng)中,由于真空電器產(chǎn)品(真空斷路器、真空接觸器、真空負荷開關(guān)、真空重合器等)的滅弧能力特別強,在關(guān)、合感性負載(發(fā)電機、變壓器、電抗器和電動機等)時,容易引發(fā)截流過電壓、多次重燃過電壓及三相同時開斷過電壓。這些操作過電壓具有高幅值、高陡度(振蕩頻率高達105~106HZ),對感性負載的危害性極大,被稱為“電機殺手”。 目前各類避雷器和組合式過電壓保護器,都是利用氧化鋅閥片的殘壓限制過電壓的幅值,只限幅不限頻,用來防雷能起到好的效果,但對操作過電壓只治標不治本。 AL-FGB內(nèi)部為氧化鋅閥片和電阻電容的有機組合,兼有氧化鋅閥片型避雷器與阻容吸收器的優(yōu)點,從根本上克服了單純氧化鋅閥片型避雷器與阻容吸收器各自不可避免的缺點,不但能夠防雷,而且能有效抑制上述操作過電壓的幅值和陡度;雙效合一,至善盡美。 2、雙回路設(shè)計,功能互補,相互保護 操作過電壓保護阻容回路Ⅰ和避雷保護回路Ⅱ有機結(jié)合,保護功能互不干涉,還能相互保護。如圖2-1。 當雷電波侵入時,阻容回路Ⅰ不通(但可輔助減緩波頭陡度),雷電波按實線路徑,經(jīng)避雷回路Ⅱ泄入大地;同時保護了阻容回路中電容器,避免其因承受過高雷電過電壓而擊穿。當高頻振蕩的操作過電壓侵入時,則按虛線路徑,經(jīng)阻容回路Ⅰ流通,限幅降頻;同時減少避雷回路的動作次數(shù),保護閥片,延長產(chǎn)品壽命。 3、降低陡度,排除匝間擊穿危險性; 感性負載的匝間電位梯度與電流陡度(di/dt)成正比,操作過電壓陡度極高,對匝間絕緣危害極大,且易使斷路器重燃。現(xiàn)場許多事故實例都證明,在操作過電壓作用下,電機和變壓器的損壞部位大多集中在匝間,且以進線端的匝間為主,這說明高陡度對帶繞組的電氣設(shè)備危害極大。 AL-FGB設(shè)計的阻容回路能夠有效降低操作過電壓的振蕩頻率,緩解波頭陡度,從而降低繞組間的電位梯度,且能減少斷路器的重燃機率,成功抑制高陡度對電氣設(shè)備的危害。 目前同類的過電壓保護設(shè)備,如避雷器、各類組合式過電壓保護器等,對改變操作過電壓的振蕩頻率、降低陡度無能為力,即不能防治高陡度對感性負載匝間造成的損傷。 4、自控接入,環(huán)保節(jié)能; AL-FGB增加了自控接入裝置,在正常運行時僅通過μA級電流,不僅節(jié)約電能,而且不向電網(wǎng)提供附加電容電流,保證系統(tǒng)穩(wěn)定工作。具體參數(shù)設(shè)計保證其在需要時能夠迅速接入電網(wǎng),保護即時,而且接入電網(wǎng)工頻電壓性能穩(wěn)定、分散性小、不受大氣條件影響。 設(shè)置自控接入裝置對消除諧振過電壓(注:不超過AL- FGB的承受能力)也具有一定作用。當諧振過電壓幅值高至危害電氣設(shè)備時,AL-FGB接入電網(wǎng),電容器增大主回路電容,有利于破壞諧振條件,電阻阻尼震蕩,有利于降低諧振過電壓幅值。 5、免受諧波侵擾,適應(yīng)的電網(wǎng)運行環(huán)境更廣; 電網(wǎng)中常含有高次諧波分量,使電容回路的電流異常增大,電阻過熱,對過電壓保護設(shè)備的正常運行不利。 AL-FGB能免受高次諧波侵擾:因為它增加了自控接入裝置,在正常運行或發(fā)生單相接地異常運行時都與電網(wǎng)隔離,所以可以在高次諧波含量較高的電網(wǎng)中工作,適應(yīng)的電網(wǎng)運行環(huán)境更廣。 6、自控脫離,有效控制事故范圍; 諧振過電壓、間歇性弧光接地過電壓等系統(tǒng)過電壓,持續(xù)時間長、能量大,但幅度和陡度都不是很高。這類系統(tǒng)過電壓極易損壞過電壓保護設(shè)備,出現(xiàn)爆炸等現(xiàn)象。 AL-FGB增加了自控脫離裝置,能實現(xiàn)自我保護功能。當系統(tǒng)過電壓超過AL-FGB的承受能力時,自控脫離裝置選擇自我脫離,保護本體,避免出現(xiàn)爆炸的現(xiàn)象,控制事故范圍,延長使用壽命,運行更安全更經(jīng)濟。 7、既可保護相對地,又可保護相間; 四極式聯(lián)接(如圖2-2),具體參數(shù)設(shè)計保證:不僅能保護相對地絕緣,而且能保護相間絕緣。本身為連體結(jié)構(gòu),體積小,性能穩(wěn)定,而價格不高。 8、吸收容量大,保護范圍更廣; 針對35KV電網(wǎng)系統(tǒng),AL-FGB電容容量高達0.05μF,保護范圍完全覆蓋該電網(wǎng)系統(tǒng)中的各類電氣設(shè)備,且裕量充足;針對35KV以下各類電網(wǎng)系統(tǒng),其電容容量高達0.1μF,吸收容量更大,保護范圍更廣泛。 9、選材考究,VO級阻燃材質(zhì); 9.1 阻容回路 采用具有自愈功能的干式高壓電容器,這種電容器真正達到了防護型電容器的各項技術(shù)指標,其絕緣水平完全達到了GB311.1—1997標準的要求,該產(chǎn)品能在環(huán)境溫度上限,1.15UN和1.5IN下長期運行,在2UN下連續(xù)運行4小時不出現(xiàn)閃絡(luò)和擊穿;極間選用國外進口的優(yōu)質(zhì)、高性能的絕緣材料聚丙烯金屬化鍍膜為固體介質(zhì);各個電容器單元聯(lián)接后采用阻燃環(huán)氧樹脂灌封;電性能穩(wěn)定可靠。 配置散熱性能良好的特制非線性無感電阻,可靠性大大提高,從而也大大提高了電力系統(tǒng)運行的可靠性和安全性,使用壽命更長。 9.2 避雷回路 采用非線性伏—安特性十分優(yōu)異的氧化鋅閥片,具有良好的陡波響應(yīng)特性,殘壓低、容量大、保護大氣過電壓可靠性高。 9.3外殼 采用阻燃級別達到最高級別的VO級進口材質(zhì),使用更放心。 10、動態(tài)記錄,清晰掌控設(shè)備運行狀況; 可根據(jù)用戶要求選裝放電動作記錄器,清晰掌控AL-FGB的工作動作狀況。
上傳時間: 2013-10-17
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資料介紹說明: si8000m破解版帶破解文件crack si8000m是全新的邊界元素法場效解算器,建立在我們熟悉的早期POLAR阻抗設(shè)計系統(tǒng)易用使用的用戶界面之上。si8000m增加了強化建模技術(shù),可以預(yù)測多電介質(zhì)PCB的成品阻抗,同時考慮了密集差分結(jié)構(gòu)介電常數(shù)局部變化。 建模時常常忽略了便面圖層,si8000m模擬圖層與表面線路之間的阻焊厚度。這是一種更好的解決方案,可根據(jù)電路板采用的特殊阻焊方法進行定制。新的si8000m還提取偶模阻抗和共模阻抗。(偶模阻抗是黨倆條傳輸線對都采用相同量值,相同級性的信號驅(qū)動,傳輸線一邊的特性阻抗.)在USB2.0和LVDS等高速系統(tǒng)中,越來越需要控制這些特征阻抗。
上傳時間: 2013-11-16
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AL-FGB系列復(fù)合式過電壓保護器 AL-FGB型三相復(fù)合式過電壓保護器(簡稱AL-FGB)是我公司針對現(xiàn)行各類過電壓保護器保護弱點而研制的新一代專利產(chǎn)品,將組容吸收器和避雷器的功能有機結(jié)合在一起,專用于35KV及以下中壓電網(wǎng)中,主要用來吸收真空斷路器、真空接觸器在開斷感性負載時產(chǎn)生的高頻操作過電壓,同時具有吸收大氣過電壓及其他形式的暫態(tài)沖擊過電壓的功能; 因此具備一系列其它類型過電壓保護器無法比擬的優(yōu)點。可廣泛地應(yīng)用于真空斷路器操作的電動機、電抗器、變壓器等配電線路中。 該產(chǎn)品使過電壓保護器的整體功能實現(xiàn)了重大突破,是目前功能最全面、保護最完善的產(chǎn)品。符合國家產(chǎn)業(yè)政策及國家電氣產(chǎn)品無油化、小型化、節(jié)能環(huán)保等發(fā)展趨勢,具有顯著的技術(shù)經(jīng)濟效益和廣泛的社會效益,是我國電力建設(shè)尤其是城鄉(xiāng)電網(wǎng)改造急需的產(chǎn)品。 該產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于發(fā)電廠、變(配)電站、各種水利設(shè)施、礦山、石油、化工、冶金以及其他各類工業(yè)企業(yè)等。 1、全面抑制雷電和操作過電壓的危害,功能強大,保護更全面 在中壓電網(wǎng)中,由于真空電器產(chǎn)品(真空斷路器、真空接觸器、真空負荷開關(guān)、真空重合器等)的滅弧能力特別強,在關(guān)、合感性負載(發(fā)電機、變壓器、電抗器和電動機等)時,容易引發(fā)截流過電壓、多次重燃過電壓及三相同時開斷過電壓。這些操作過電壓具有高幅值、高陡度(振蕩頻率高達105~106HZ),對感性負載的危害性極大,被稱為“電機殺手”。 目前各類避雷器和組合式過電壓保護器,都是利用氧化鋅閥片的殘壓限制過電壓的幅值,只限幅不限頻,用來防雷能起到好的效果,但對操作過電壓只治標不治本。 AL-FGB內(nèi)部為氧化鋅閥片和電阻電容的有機組合,兼有氧化鋅閥片型避雷器與阻容吸收器的優(yōu)點,從根本上克服了單純氧化鋅閥片型避雷器與阻容吸收器各自不可避免的缺點,不但能夠防雷,而且能有效抑制上述操作過電壓的幅值和陡度;雙效合一,至善盡美。 2、雙回路設(shè)計,功能互補,相互保護 操作過電壓保護阻容回路Ⅰ和避雷保護回路Ⅱ有機結(jié)合,保護功能互不干涉,還能相互保護。如圖2-1。 當雷電波侵入時,阻容回路Ⅰ不通(但可輔助減緩波頭陡度),雷電波按實線路徑,經(jīng)避雷回路Ⅱ泄入大地;同時保護了阻容回路中電容器,避免其因承受過高雷電過電壓而擊穿。當高頻振蕩的操作過電壓侵入時,則按虛線路徑,經(jīng)阻容回路Ⅰ流通,限幅降頻;同時減少避雷回路的動作次數(shù),保護閥片,延長產(chǎn)品壽命。 3、降低陡度,排除匝間擊穿危險性; 感性負載的匝間電位梯度與電流陡度(di/dt)成正比,操作過電壓陡度極高,對匝間絕緣危害極大,且易使斷路器重燃。現(xiàn)場許多事故實例都證明,在操作過電壓作用下,電機和變壓器的損壞部位大多集中在匝間,且以進線端的匝間為主,這說明高陡度對帶繞組的電氣設(shè)備危害極大。 AL-FGB設(shè)計的阻容回路能夠有效降低操作過電壓的振蕩頻率,緩解波頭陡度,從而降低繞組間的電位梯度,且能減少斷路器的重燃機率,成功抑制高陡度對電氣設(shè)備的危害。 目前同類的過電壓保護設(shè)備,如避雷器、各類組合式過電壓保護器等,對改變操作過電壓的振蕩頻率、降低陡度無能為力,即不能防治高陡度對感性負載匝間造成的損傷。 4、自控接入,環(huán)保節(jié)能; AL-FGB增加了自控接入裝置,在正常運行時僅通過μA級電流,不僅節(jié)約電能,而且不向電網(wǎng)提供附加電容電流,保證系統(tǒng)穩(wěn)定工作。具體參數(shù)設(shè)計保證其在需要時能夠迅速接入電網(wǎng),保護即時,而且接入電網(wǎng)工頻電壓性能穩(wěn)定、分散性小、不受大氣條件影響。 設(shè)置自控接入裝置對消除諧振過電壓(注:不超過AL- FGB的承受能力)也具有一定作用。當諧振過電壓幅值高至危害電氣設(shè)備時,AL-FGB接入電網(wǎng),電容器增大主回路電容,有利于破壞諧振條件,電阻阻尼震蕩,有利于降低諧振過電壓幅值。 5、免受諧波侵擾,適應(yīng)的電網(wǎng)運行環(huán)境更廣; 電網(wǎng)中常含有高次諧波分量,使電容回路的電流異常增大,電阻過熱,對過電壓保護設(shè)備的正常運行不利。 AL-FGB能免受高次諧波侵擾:因為它增加了自控接入裝置,在正常運行或發(fā)生單相接地異常運行時都與電網(wǎng)隔離,所以可以在高次諧波含量較高的電網(wǎng)中工作,適應(yīng)的電網(wǎng)運行環(huán)境更廣。 6、自控脫離,有效控制事故范圍; 諧振過電壓、間歇性弧光接地過電壓等系統(tǒng)過電壓,持續(xù)時間長、能量大,但幅度和陡度都不是很高。這類系統(tǒng)過電壓極易損壞過電壓保護設(shè)備,出現(xiàn)爆炸等現(xiàn)象。 AL-FGB增加了自控脫離裝置,能實現(xiàn)自我保護功能。當系統(tǒng)過電壓超過AL-FGB的承受能力時,自控脫離裝置選擇自我脫離,保護本體,避免出現(xiàn)爆炸的現(xiàn)象,控制事故范圍,延長使用壽命,運行更安全更經(jīng)濟。 7、既可保護相對地,又可保護相間; 四極式聯(lián)接(如圖2-2),具體參數(shù)設(shè)計保證:不僅能保護相對地絕緣,而且能保護相間絕緣。本身為連體結(jié)構(gòu),體積小,性能穩(wěn)定,而價格不高。 8、吸收容量大,保護范圍更廣; 針對35KV電網(wǎng)系統(tǒng),AL-FGB電容容量高達0.05μF,保護范圍完全覆蓋該電網(wǎng)系統(tǒng)中的各類電氣設(shè)備,且裕量充足;針對35KV以下各類電網(wǎng)系統(tǒng),其電容容量高達0.1μF,吸收容量更大,保護范圍更廣泛。 9、選材考究,VO級阻燃材質(zhì); 9.1 阻容回路 采用具有自愈功能的干式高壓電容器,這種電容器真正達到了防護型電容器的各項技術(shù)指標,其絕緣水平完全達到了GB311.1—1997標準的要求,該產(chǎn)品能在環(huán)境溫度上限,1.15UN和1.5IN下長期運行,在2UN下連續(xù)運行4小時不出現(xiàn)閃絡(luò)和擊穿;極間選用國外進口的優(yōu)質(zhì)、高性能的絕緣材料聚丙烯金屬化鍍膜為固體介質(zhì);各個電容器單元聯(lián)接后采用阻燃環(huán)氧樹脂灌封;電性能穩(wěn)定可靠。 配置散熱性能良好的特制非線性無感電阻,可靠性大大提高,從而也大大提高了電力系統(tǒng)運行的可靠性和安全性,使用壽命更長。 9.2 避雷回路 采用非線性伏—安特性十分優(yōu)異的氧化鋅閥片,具有良好的陡波響應(yīng)特性,殘壓低、容量大、保護大氣過電壓可靠性高。 9.3外殼 采用阻燃級別達到最高級別的VO級進口材質(zhì),使用更放心。 10、動態(tài)記錄,清晰掌控設(shè)備運行狀況; 可根據(jù)用戶要求選裝放電動作記錄器,清晰掌控AL-FGB的工作動作狀況。
上傳時間: 2013-10-16
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中文版詳情瀏覽:http://www.elecfans.com/emb/fpga/20130715324029.html Xilinx UltraScale:The Next-Generation Architecture for Your Next-Generation Architecture The Xilinx® UltraScale™ architecture delivers unprecedented levels of integration and capability with ASIC-class system- level performance for the most demanding applications. The UltraScale architecture is the industr y's f irst application of leading-edge ASIC architectural enhancements in an All Programmable architecture that scales from 20 nm planar through 16 nm FinFET technologies and beyond, in addition to scaling from monolithic through 3D ICs. Through analytical co-optimization with the X ilinx V ivado® Design Suite, the UltraScale architecture provides massive routing capacity while intelligently resolving typical bottlenecks in ways never before possible. This design synergy achieves greater than 90% utilization with no performance degradation. Some of the UltraScale architecture breakthroughs include: • Strategic placement (virtually anywhere on the die) of ASIC-like system clocks, reducing clock skew by up to 50% • Latency-producing pipelining is virtually unnecessary in systems with massively parallel bus architecture, increasing system speed and capability • Potential timing-closure problems and interconnect bottlenecks are eliminated, even in systems requiring 90% or more resource utilization • 3D IC integration makes it possible to build larger devices one process generation ahead of the current industr y standard • Greatly increased system performance, including multi-gigabit serial transceivers, I/O, and memor y bandwidth is available within even smaller system power budgets • Greatly enhanced DSP and packet handling The Xilinx UltraScale architecture opens up whole new dimensions for designers of ultra-high-capacity solutions.
標簽: UltraScale Xilinx 架構(gòu)
上傳時間: 2013-11-21
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有時候,做元件封裝的時候,做得不是按中心設(shè)置為原點(不提倡這種做法),所以制成之后導(dǎo)出來的坐標圖和直接提供給貼片廠的要求相差比較大。比如,以元件的某一個pin 腳作為元件的原點,明顯就有問題,直接修改封裝的話,PCB又的重新調(diào)整。所以想到一個方法:把每個元件所有的管腳的X坐標和Y坐標分別求平均值,就為元件的中心。
上傳時間: 2014-01-09
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enter——選取或啟動 esc——放棄或取消 f1——啟動在線幫助窗口 tab——啟動浮動圖件的屬性窗口 pgup——放大窗口顯示比例 pgdn——縮小窗口顯示比例 end——刷新屏幕 del——刪除點取的元件(1個) ctrl+del——刪除選取的元件(2個或2個以上) x+a——取消所有被選取圖件的選取狀態(tài) x——將浮動圖件左右翻轉(zhuǎn) y——將浮動圖件上下翻轉(zhuǎn) space——將浮動圖件旋轉(zhuǎn)90度 crtl+ins——將選取圖件復(fù)制到編輯區(qū)里 shift+ins——將剪貼板里的圖件貼到編輯區(qū)里 shift+del——將選取圖件剪切放入剪貼板里 alt+backspace——恢復(fù)前一次的操作 ctrl+backspace——取消前一次的恢復(fù) crtl+g——跳轉(zhuǎn)到指定的位置 crtl+f——尋找指定的文字
上傳時間: 2013-11-01
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PCB Layout Rule Rev1.70, 規(guī)範內(nèi)容如附件所示, 其中分為: (1) ”PCB LAYOUT 基本規(guī)範”:為R&D Layout時必須遵守的事項, 否則SMT,DIP,裁板時無法生產(chǎn). (2) “錫偷LAYOUT RULE建議規(guī)範”: 加適合的錫偷可降低短路及錫球. (3) “PCB LAYOUT 建議規(guī)範”:為製造單位為提高量產(chǎn)良率,建議R&D在design階段即加入PCB Layout. (4) ”零件選用建議規(guī)範”: Connector零件在未來應(yīng)用逐漸廣泛, 又是SMT生產(chǎn)時是偏移及置件不良的主因,故製造希望R&D及採購在購買異形零件時能顧慮製造的需求, 提高自動置件的比例.
標簽: LAYOUT PCB 設(shè)計規(guī)范
上傳時間: 2013-11-03
上傳用戶:tzl1975
PCB設(shè)計問題集錦 問:PCB圖中各種字符往往容易疊加在一起,或者相距很近,當板子布得很密時,情況更加嚴重。當我用Verify Design進行檢查時,會產(chǎn)生錯誤,但這種錯誤可以忽略。往往這種錯誤很多,有幾百個,將其他更重要的錯誤淹沒了,如何使Verify Design會略掉這種錯誤,或者在眾多的錯誤中快速找到重要的錯誤。 答:可以在顏色顯示中將文字去掉,不顯示后再檢查;并記錄錯誤數(shù)目。但一定要檢查是否真正屬于不需要的文字。 問: What’s mean of below warning:(6230,8330 L1) Latium Rule not checked: COMPONENT U26 component rule.答:這是有關(guān)制造方面的一個檢查,您沒有相關(guān)設(shè)定,所以可以不檢查。 問: 怎樣導(dǎo)出jop文件?答:應(yīng)該是JOB文件吧?低版本的powerPCB與PADS使用JOB文件。現(xiàn)在只能輸出ASC文件,方法如下STEP:FILE/EXPORT/選擇一個asc名稱/選擇Select ALL/在Format下選擇合適的版本/在Unit下選Current比較好/點擊OK/完成然后在低版本的powerPCB與PADS產(chǎn)品中Import保存的ASC文件,再保存為JOB文件。 問: 怎樣導(dǎo)入reu文件?答:在ECO與Design 工具盒中都可以進行,分別打開ECO與Design 工具盒,點擊右邊第2個圖標就可以。 問: 為什么我在pad stacks中再設(shè)一個via:1(如附件)和默認的standardvi(如附件)在布線時V選擇1,怎么布線時按add via不能添加進去這是怎么回事,因為有時要使用兩種不同的過孔。答:PowerPCB中有多個VIA時需要在Design Rule下根據(jù)信號分別設(shè)置VIA的使用條件,如電源類只能用Standard VIA等等,這樣操作時就比較方便。詳細設(shè)置方法在PowerPCB軟件通中有介紹。 問:為什么我把On-line DRC設(shè)置為prevent..移動元時就會彈出(圖2),而你們教程中也是這樣設(shè)置怎么不會呢?答:首先這不是錯誤,出現(xiàn)的原因是在數(shù)據(jù)中沒有BOARD OUTLINE.您可以設(shè)置一個,但是不使用它作為CAM輸出數(shù)據(jù). 問:我用ctrl+c復(fù)制線時怎設(shè)置原點進行復(fù)制,ctrl+v粘帖時總是以最下面一點和最左邊那一點為原點 答: 復(fù)制布線時與上面的MOVE MODE設(shè)置沒有任何關(guān)系,需要在右鍵菜單中選擇,這在PowerPCB軟件通教程中有專門介紹. 問:用(圖4)進行修改線時拉起時怎總是往左邊拉起(圖5),不知有什么辦法可以輕易想拉起左就左,右就右。答: 具體條件不明,請檢查一下您的DESIGN GRID,是否太大了. 問: 好不容易拉起右邊但是用(圖6)修改線怎么改怎么下面都會有一條不能和在一起,而你教程里都會好好的(圖8)答:這可能還是與您的GRID 設(shè)置有關(guān),不過沒有問題,您可以將不需要的那段線刪除.最重要的是需要找到布線的感覺,每個軟件都不相同,所以需要多練習(xí)。 問: 尊敬的老師:您好!這個圖已經(jīng)畫好了,但我只對(如圖1)一種的完全間距進行檢查,怎么錯誤就那么多,不知怎么改進。請老師指點。這個圖在附件中請老師幫看一下,如果還有什么問題請指出來,本人在改進。謝!!!!!答:請注意您的DRC SETUP窗口下的設(shè)置是錯誤的,現(xiàn)在選中的SAME NET是對相同NET進行檢查,應(yīng)該選擇NET TO ALL.而不是SAME NET有關(guān)各項參數(shù)的含義請仔細閱讀第5部教程. 問: U101元件已建好,但元件框的拐角處不知是否正確,請幫忙CHECK 答:元件框等可以通過修改編輯來完成。問: U102和U103元件沒建完全,在自動建元件參數(shù)中有幾個不明白:如:SOIC--》silk screen欄下spacing from pin與outdent from first pin對應(yīng)U102和U103元件應(yīng)寫什么數(shù)值,還有這兩個元件SILK怎么自動設(shè)置,以及SILK內(nèi)有個圓圈怎么才能畫得與該元件參數(shù)一致。 答:Spacing from pin指從PIN到SILK的Y方向的距離,outdent from first pin是第一PIN與SILK端點間的距離.請根據(jù)元件資料自己計算。
上傳時間: 2014-01-03
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