采用射頻等離子體增強化學氣相沉積(RF2PECVD)技術制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結構為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶化硅薄膜能夠在a2Si 表面成功生長,電池制備過程中采用了H 等離子體處理a2Si 表面的方法。通過調節電池P 層和N 層厚度和H 等離子體處理a2Si 表面的時間,優化了太陽能電池的制備工藝。結果表明,使用H 等離子體處理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面獲得高電導率的P 型晶化硅薄膜,并且這種結構可以應用到電池上;當P 型晶化硅層沉積時間12. 5 min ,N 層沉積12 min ,此種結構電池特性最好,效率達6. 40 %。通過調整P 型晶化硅薄膜的結構特征,將能進一步改善電池的性能。
標簽：
NIP
非晶硅
薄膜太陽能電池
上傳時間：
2013-11-21
上傳用戶：wanqunsheng
在三相PWM 整流器的功率管驅動信號中加入死區時間可防止電壓直通,但這會對變換器的電壓電流波形產生影響,稱之為死區效應。為此,詳細描述了死區時間內變換器的工作過程,提出了三相PWM 整流器的死區電壓效應和電流效應,并分別進行了定量分析。然后結合空間矢量調制策略,引入了死區效應空間矢量的概念,統一并從本質上解釋了死區的兩種效應。為了克服死區效應的不良影響,提出了兩種補償措施,并詳細介紹了利用DSP 的數字實現方法,這兩種措施均不需要改變硬件電路,也不會增加控制器的復雜度和負擔。最后,通過實驗驗證了理論分析的正確性和補償措施的有效性,還指明了進一步研究的方向。
標簽：
PWM
三相
整流器
效應分析
上傳時間：
2013-10-21
上傳用戶：Aeray
