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共陽數(shù)(shù)碼管

  • 共源共柵兩級運放中兩種補償方法的比較

    給出了兩種應(yīng)用于兩級CMOS 運算放大器的密勒補償技術(shù)的比較,用共源共柵密勒補償技術(shù)設(shè)計出的CMOS 運放與直接密勒補償相比,具有更大的單位增益帶寬、更大的擺率和更小的信號建立時間等優(yōu)點,還可以在達到相同補償效果的情況下極大地減小版圖尺寸. 通過電路級小信號等效電路的分析和仿真,對兩種補償技術(shù)進行比較,結(jié)果驗證了共源共柵密勒補償技術(shù)相對于直接密勒補償技術(shù)的優(yōu)越性.

    標簽： 共源共柵 運放 補償 比較

    上傳時間： 2013-10-14

    上傳用戶：gengxiaochao

  • CMOS工藝下高擺幅共源共柵偏置電路

    共源共柵級放大器可提供較高的輸出阻抗和減少米勒效應(yīng)，在放大器領(lǐng)域有很多的應(yīng)用。本文提出一種COMS工藝下簡單的高擺幅共源共柵偏置電路，且能應(yīng)用于任意電流密度。根據(jù)飽和電壓和共源共柵級電流密度的定義,本文提出器件寬長比與輸出電壓擺幅的關(guān)系,并設(shè)計一種高擺幅的共源共柵級偏置電路。

    標簽： CMOS 工藝 共源共柵 偏置電路

    上傳時間： 2013-10-08

    上傳用戶：debuchangshi

  • 高共模抑制比儀用放大電路方案

    本文針對傳統(tǒng)儀用放大電路的特點，介紹了一種高共模抑制比儀用放大電路，引入共模負反饋，大大提高了通用儀表放大器的共模抑制能力。

    標簽： 共模抑制比 儀用放大 電路 方案

    上傳時間： 2013-11-10

    上傳用戶：lingfei

  • 2SJ系列場效應(yīng)管參數(shù)大全

    2SJ系列場效應(yīng)管參數(shù)大全:

    標簽： 2SJ 場效應(yīng)管 參數(shù)大全

    上傳時間： 2013-11-24

    上傳用戶：wlcaption

  • 共發(fā)射級放大電路實驗

    　　共發(fā)射單級放大電路 　　1.掌握其放大電路的工作原理 ; 　　2.掌握靜態(tài)工作點的設(shè)置及其對電路參數(shù)的影響。

    標簽： 發(fā)射 放大電路 實驗

    上傳時間： 2013-10-24

    上傳用戶：破曉sunshine

  • 共集電極放大電路和共基極放大電路

    　　共集電極放大電路 　　共基極放大電路 　　放大電路三種組態(tài)的比較

    標簽： 放大電路 共集電極 共基

    上傳時間： 2014-12-23

    上傳用戶：JIEWENYU

  • 單管放大_從原理圖到PCB

    運用PROTEL DXP 2004設(shè)計的項目“單管放大”視頻教學，完整展現(xiàn)了從原理圖到PCB的過程

    標簽： PCB 單管放大 原理圖

    上傳時間： 2013-11-25

    上傳用戶：龍飛艇

  • 創(chuàng)建PCB元件管腳封裝

    創(chuàng)建PCB元件管腳封裝

    標簽： PCB 元件 管腳 封裝

    上傳時間： 2014-12-24

    上傳用戶：chenjjer

  • 共模干擾差模干擾及其抑制技術(shù)分析

    共模干擾和差模干擾是電子、 電氣產(chǎn)品上重要的干擾之一，它們 可以對周圍產(chǎn)品的穩(wěn)定性產(chǎn)生嚴重 的影響。在對某些電子、電氣產(chǎn)品 進行電磁兼容性設(shè)計和測試的過程 中，由于對各種電磁干擾采取的抑 制措施不當而造成產(chǎn)品在進行電磁 兼容檢測時部分測試項目超標或通 不過EMC 測試，從而造成了大量人 力、財力的浪費。為了掌握電磁干 擾抑制技術(shù)的一些特點，正確理解 一些概念是十分必要的。共模干擾 和差模干擾的概念就是這樣一種重 要概念。正確理解和區(qū)分共模和差 模干擾對于電子、電氣產(chǎn)品在設(shè)計 過程中采取相應(yīng)的抗干擾技術(shù)十分 重要，也有利于提高產(chǎn)品的電磁兼 容性。

    標簽： 共模干擾 差模 分 干擾

    上傳時間： 2014-01-16

    上傳用戶：tdyoung

  • 開關(guān)電源中功率MOSFET管損壞模式及分析

    結(jié)合功率MOSFET管不同的失效形態(tài)，論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下?lián)p壞的模式，并說明了產(chǎn)生這樣的損壞形態(tài)的原因，也分析了功率MOSFET管在關(guān)斷及開通過程中發(fā)生失效形態(tài)的差別，從而為失效在關(guān)斷或在開通過程中發(fā)生損壞提供了判斷依據(jù)。給出了測試過電流和過電壓的電路圖。同時分析了功率MOSFET管在動態(tài)老化測試中慢速開通、在電池保護電路應(yīng)用中慢速關(guān)斷及較長時間工作在線性區(qū)時損壞的形態(tài)。最后，結(jié)合實際應(yīng)用，論述了功率MOSFET通常會產(chǎn)生過電流和過電壓二種混合損壞方式損壞機理和過程。

    標簽： MOSFET 開關(guān)電源 功率 分

    上傳時間： 2013-11-14

    上傳用戶：dongqiangqiang

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