Flash-ROM（閃存）已經(jīng)成為了目前最成功、流行的一種固態(tài)內(nèi)存，與 EEPROM 相比具有讀寫速度快，而與 SRAM 相比具有非易失、以及價(jià)廉等優(yōu)勢(shì)。而基于 NOR 和 NAND 結(jié)構(gòu)的閃存是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。 Intel 于 1988 年首先開發(fā)出 NOR flash 技術(shù)，徹底改變了原先由 EPROM 和 EEPROM 一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989 年東芝公司發(fā)表了 NAND flash 技術(shù)（后將該技術(shù)無償轉(zhuǎn)讓給韓國 Samsung 公司），強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級(jí)。
標(biāo)簽：
Flash-ROM
閃存
內(nèi)存
上傳時(shí)間：
2015-08-06
上傳用戶：lanwei
