SPWM全橋逆變器主功率電路和控制電路設計
上傳時間： 2022-04-04
上傳用戶：jason_vip1
該文檔為基于MATLAB的單相逆變器并網(wǎng)控制技術仿真研究總結文檔，是一份很不錯的參考資料，具有較高參考價值，感興趣的可以下載看看………………
上傳時間： 2022-04-06
上傳用戶：jason_vip1
基于STM32單相逆變器的SPWM程序的資料，分享給大家一起看看。
上傳時間： 2022-05-04
上傳用戶：slq1234567890
雙向正弦波逆變器,AD18,原理圖,PCB原創(chuàng)產(chǎn)品文件。SPWM正弦波逆變橋反向工作時兼做全橋開關；逆變升壓管充電時兼做同步整流管；包含本人的正弦波逆變器電路夢的專利技術（已申報）。絕對的原創(chuàng)作品！
標簽： 正弦波逆變器
上傳時間： 2022-05-15
上傳用戶：ttalli
1000W逆變器的PROTEL 99SE原理圖+PCB圖,Protel 99se 設計，包括原理圖及PCB印制板圖，可用Protel或 Altium Designer(AD)軟件打開或修改，可作為你產(chǎn)品設計的參考。
標簽： 逆變器 protel99se pcb
上傳時間： 2022-05-15
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EG8010 是一款數(shù)字化的、功能很完善的自帶死區(qū)控制的純正弦波逆變發(fā)生器芯片，應用于 DC-DC-AC 兩級功率變換架構或 DC-AC 單級工頻變壓器升壓變換架構，外接 12MHz 晶體振蕩器，能實現(xiàn)高精度、失真和諧波都很小的純正弦波 50Hz 或 60Hz 逆變器專用芯片。該芯片采用 CMOS 工藝，內(nèi)部集成 SPWM 正弦發(fā)生器、死區(qū)時間控制電路、幅度因子乘法器、軟啟動電路、保護電路、RS232 串行通訊接口和 12832 串行液晶驅(qū)動模塊等功能。
標簽： 正弦波逆變器
上傳時間： 2022-05-31
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本人對逆變器感興趣，參考各類資料后，經(jīng)過兩次改版，制作了這一款純正弦波逆變器。設計功率在300W。從DC升壓到SPWM產(chǎn)生正弦波，均采用stm32c8t6（STM32C8T6數(shù)據(jù)手冊）作為主控芯片，并同時提供高壓，低壓，過功率，和短路保護功能。現(xiàn)開源。希望和喜歡做逆變的朋友交流，共同提高。 SPWM穩(wěn)壓方式暫時采用310/DC求調(diào)制比的方式。從調(diào)試到現(xiàn)在已經(jīng)燒毀了5片stm32都是cpu短路，等有空查查是什么原因。 本機帶載過手電鉆，豆?jié){機，電視機，和一臺臺式電腦。豆?jié){機空載沒問題，放上豆子后，幾秒鐘后會觸發(fā)保護。臺式電腦工作10分鐘后電瓶沒電了，就沒再試。
上傳時間： 2022-06-10
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電動汽車、混合動力汽車、燃料電池汽車為代表的新能源汽車是實現(xiàn)節(jié)能減排目標的重要行業(yè)之一。IGBT模塊作為新能源汽車的核心，其發(fā)展受到廣泛關注.IGBT模塊發(fā)展的關鍵在于改善封裝方式。本文指出了日前的封裝材料在電動汽車逆變器大功率IGBT模塊的封裝過程中存在的缺陷，引入了新型連接材料納米銀焊膏。為了驗證納米銀焊膏的連接性能，以確定其能否應用在所需的1GBT模塊的制作過程中，本文首先設計了單個模擬芯片的燒結連接實驗，通過微x射線斷層掃描儀、剪切實驗、1描電鏡等檢測手段，對燒結后的連接層進行了全方位的檢測，結果發(fā)現(xiàn)雖然連接層沒有發(fā)現(xiàn)明顯的缺陷，但是剪切強度較低，經(jīng)過分析猜想可能是磁控濺射鍍層的質(zhì)量并不十分可靠，因此又設計用真芯片和小塊鍍銀銅板的燒結連接實驗，連接傳況良好，剪切實驗的過程中，發(fā)現(xiàn)是芯片先出現(xiàn)破損，這證明了連接的質(zhì)量是可靠的。因此可以將納米銀焊膏應用在IGBT模塊的制作中。本文重點介紹了整個IGBT模塊的制作方法。采用和之前單個芯片燒結相類似的操作過程，完成整個模塊的燒結。燒結完成后通過微 射線斷層掃描儀對燒結的質(zhì)量進行了檢測，通過檢測發(fā)現(xiàn)連接層質(zhì)量良好。模塊燒結連接之后，更做出最終成型的IGBT模塊，還需要經(jīng)過外殼設計與制造、打線、灌度、組裝等工T藝，從而得到最終的成品，并通過晶體管特性測試儀對模塊的基本電性能進行了檢測。
上傳時間： 2022-06-20
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摘要：對幾種三相逆變器中常用的IGBT驅(qū)動專用集成電路進行了詳細的分析，對TLP250，EXB系列和M579系列進行了深入的討論，給出了它們的電氣特性參數(shù)和內(nèi)部功能方框圖，還給出了它們的典型應用電路。討論了它們的使用要點及注意事項，對每種驅(qū)動芯片進行了IGBT的驅(qū)動實驗，通過有關的波形驗證了它們的特點，最后得出結論：IGBT驅(qū)動集成電路的發(fā)展趨勢是集過流保護、驅(qū)動信號放大功能、能夠外接電源且具有很強抗干擾能力等于一體的復合型電路。關鍵詞：絕緣柵雙極晶體管：集成電路；過流保護1前言電力電子變換技術的發(fā)展，使得各種各樣的電力電子器件得到了迅速的發(fā)展.20世紀80年代，為了給高電壓應用環(huán)境提供一種高輸入阻抗的器件，有人提出了絕緣門極雙極型品體管（IGBT）[1].在IGBT中，用一個MoS門極區(qū)來控制寬基區(qū)的高電壓雙極型晶體管的電流傳輸，這藏產(chǎn)生了一種具有功率MOSFET的高輸入阻抗與雙極型器件優(yōu)越通態(tài)特性相結合的非常誘人的器件，它具有控制功率小、開關速度快和電流處理能力大、飽和壓降低等性能。在中小功率、低噪音和高性能的電源、逆變器、不間斷電源（UPS）和交流電機調(diào)速系統(tǒng)的設計中，它是日前最為常見的一種器件。
上傳時間： 2022-06-21
上傳用戶：jiabin
1前言萊鋼型鋼廠大型生產(chǎn)線傳動系統(tǒng)采用西門子SIMOVERT MASTER系列PWM交-直-交電壓型變頻器供電，變頻器采用公共直流母線式結構；冷床傳輸鏈采用4臺電機單獨傳動，每臺電機分別由獨立的逆變單元控制，逆變單元的控制方式為無速度編碼器的矢量控制，相互之間依靠速度給定的同時性保持同步。自2005年投入生產(chǎn)以來，冷床傳輸鏈運行較為穩(wěn)定，但2007年2月以后，冷床傳輸鏈逆變單元頻繁出現(xiàn)絕緣柵雙極型晶體管（Insolated Gate Bipolar Transistor，IGBT）損壞現(xiàn)象，具體故障情況統(tǒng)計見表1由表1可知，冷床傳輸鏈4臺逆變器都出現(xiàn)過IGBT損壞的現(xiàn)象，故障代碼是F025和F0272原因分析1）IGBT損壞一般是由于輸出短路或接地等外部原因造成。但從實際情況上看，檢查輸出電纜及電機等外部條件沒有問題，并且更換新的IGBT后，系統(tǒng)可以立即正常運行，從而排除了輸出短路或接地等外部條件造成IGBT損壞。2）IGBT存在過壓。該系統(tǒng)采用公共直流母線控制方式，制動電阻直接掛接于直流母線上，當逆變單元的反饋能量使直流母線電壓超過DC 715 V時，制動單元動作，進行能耗制動；此外掛接于該直流母線上的其他逆變單元并沒有出現(xiàn)IGBT損壞的現(xiàn)象，因此不是由于制動反饋過壓造成IGBT燒壞。3）由于負荷分配不均造成出力大的IGBT損壞。從實際運行波形上看，負荷分配相對較為均勻，相互差別僅為2%左右，應該不會造成IGBT損壞。此外，4只逆變單元都出現(xiàn)了IGBT損壞現(xiàn)象，如果是由于負荷分配不均造成，應該出力大的逆變單元IGBT總是燒壞，因此排除由于負荷分配不均造成IGBT損壞。4）逆變單元容量選擇不合適，裝置容量偏小造成長期過流運行，從而導致IGBT燒毀。逆變單元型號及電機參數(shù)：額定功率90kw，額定電流186A，負載電流169 A，短時電流254 A，中間同路額定電流221 A，電源電流205 A，電機功率110kw，電機額定電流205 A，電機正常運行時的電流及轉(zhuǎn)矩波形如圖1所示。
上傳時間： 2022-06-22
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