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伺服技術(shù)(shù)

  • 新代安川參數(shù)

    新代系統(tǒng)與日本安川驅(qū)動器調(diào)試參數(shù)表 本參數(shù)是日本2代安川伺服器

    標(biāo)簽： 參數(shù)

    上傳時間： 2016-08-03

    上傳用戶：自動化X3

  • 信捷手冊DS2

    XINJIE 信捷伺服應(yīng)用手冊。。。。。。。

    標(biāo)簽： DS2 信捷 手冊

    上傳時間： 2016-08-23

    上傳用戶：xiaojie

  • 前饋誤差補償PID Matlab程序

    在高精度的伺服系統(tǒng)中，速度和方向是控制整個伺服系統(tǒng)的核心。由于系統(tǒng)的硬件的限制，伺服系統(tǒng)的速度和方向控制都存在一定偏差，這個伺服系統(tǒng)的控制帶來了不利的影響。針對上述存在的問題，本文將前饋控制算法引入到伺服控制系統(tǒng)中，對偏差帶來的干擾進行提前處理。改進了PID算法，將前饋補償引入到PID算法中，以改善系統(tǒng)的動態(tài)性能。通過MATLAB仿真圖，對比兩種算法的輸出和偏差，分析兩種算法的優(yōu)缺點。本文主要通過仿真對兩種算法進行對比，進而反映兩種算法優(yōu)缺點，以供使用

    標(biāo)簽： Matlab PID 前饋 誤差補償 程序

    上傳時間： 2016-12-07

    上傳用戶：labouf

  • 基于BISS協(xié)議的編碼器接口技術(shù)研究及應(yīng)用_王列虎

    在對編碼器自帶的 BISS口串行通信協(xié)議進行研究的基礎(chǔ)之上, 提出利用 FPGA設(shè)計編碼器的通信接口, 該接口 實現(xiàn)了伺服系統(tǒng)中的控制芯片 DSP與編碼器之間的通信。仿真結(jié)果與實際運行結(jié)果表明, 該通信接口能夠有效地從編碼器 獲得位置信息并實時傳送給 DSP。 該設(shè)計已成功應(yīng)用于某數(shù)控設(shè)備制造廠的數(shù)控機床用伺服系統(tǒng)當(dāng)中。

    標(biāo)簽： BISS 協(xié)議 編碼器 接口 技術(shù)研究

    上傳時間： 2017-12-03

    上傳用戶：cstry888

  • 1pg脈沖模塊

    三菱plc的脈沖定位模塊，大家來看看哈，伺服步進點機脈沖定位

    標(biāo)簽： 1pg 脈沖 模塊

    上傳時間： 2017-12-26

    上傳用戶：wky320

  • 電子設(shè)計參考資料

    微型伺服驅(qū)動器開關(guān)電源設(shè)計，伏秒乘積精講，反激式開關(guān)電源變壓器快速計算

    標(biāo)簽： 電子設(shè)計 參考資料

    上傳時間： 2018-04-03

    上傳用戶：yuwei664

  • 電子設(shè)計資源

    電機驅(qū)動交流輸入50W隔離反激電源，伺服驅(qū)動器主電源可將高電壓交流輸入（110V 到 690V）或直流鏈路電壓轉(zhuǎn)換為單個隔離式24V直流，正激、反激式、雙端開關(guān)電源高頻變壓器設(shè)計詳解

    標(biāo)簽： 電子設(shè)計 資源

    上傳時間： 2018-04-05

    上傳用戶：yuwei664

  • PLC編程實例

    關(guān)于PLC對電機控制和伺服系統(tǒng)控保邏輯的應(yīng)用

    標(biāo)簽： PLC 編程實例

    上傳時間： 2019-02-21

    上傳用戶：spursss

  • S120參數(shù)手冊

    西門子伺服S120和S150的參數(shù)手冊官方

    標(biāo)簽： S120 參數(shù) 手冊

    上傳時間： 2019-05-18

    上傳用戶：wpcxaok

  • ESD Protection in CMOS ICs

    在互補式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產(chǎn)製程的演進，元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段，以增進積體電路(IC)的性能及運算速度，以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現(xiàn)一些可靠度的問題。 在次微米技術(shù)中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發(fā)展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結(jié)構(gòu); 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發(fā)展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg，而發(fā)展出 Polycide 製 程 ; 在更進步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發(fā)展出所謂 Salicide 製程

    標(biāo)簽： Protection CMOS ESD ICs in

    上傳時間： 2020-06-05

    上傳用戶：shancjb

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