電梯在垂直升降的過程中,由于功率變化范圍很大,節(jié)能潛力巨大。本文主要工作在于結(jié)合電梯系統(tǒng)的特點(diǎn),對(duì)超級(jí)電容儲(chǔ)能系統(tǒng)中超級(jí)電容容量需求及其他相關(guān)參數(shù)的設(shè)置進(jìn)行詳細(xì)討論。也對(duì)與之配套的雙向DC/DC變換器進(jìn)行研究。 本文在研究了電梯系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)和運(yùn)行特點(diǎn)的基礎(chǔ)上,對(duì)其運(yùn)行過程中能量狀態(tài)的變化進(jìn)行了詳細(xì)分析,得到了儲(chǔ)能裝置中超級(jí)電容器容量的計(jì)算方法,并在此基礎(chǔ)上,根據(jù)超級(jí)電容器容量需求與系統(tǒng)前級(jí)雙向整流器功率的關(guān)系,提出了一套簡(jiǎn)單有效的能量管理方案,減少了儲(chǔ)能裝置中超級(jí)電容器的容量需求。并且對(duì)于超級(jí)電容容量設(shè)置給出了一般的原則。 儲(chǔ)能裝置與系統(tǒng)直流母線之間需要雙向變換器進(jìn)行能量傳遞,本文對(duì)于各種雙向直流變換器拓?fù)涞膬?yōu)缺點(diǎn)進(jìn)行了比較,結(jié)合在超級(jí)電容儲(chǔ)能裝置中的具體應(yīng)用需要,得出BUCK/BOOST型變換器更適合本文中的應(yīng)用。 本文為儲(chǔ)能裝置設(shè)計(jì)了基于DSP(數(shù)字信號(hào)處理器)全數(shù)字控制的具有多種工作方式的雙向DC/DC變換器的小功率樣機(jī),在電容器放電時(shí),以恒流模式向直流母線輸送能量;在電容器充電時(shí),以分段恒流模式或恒壓模式進(jìn)行充電。文中給出了詳細(xì)的硬件電路以及數(shù)字控制部分的設(shè)計(jì)過程,并通過實(shí)驗(yàn)進(jìn)行了驗(yàn)證。
標(biāo)簽: 電梯系統(tǒng) 儲(chǔ)能 超級(jí)電容
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功率因數(shù)補(bǔ)償裝置中FFT諧波檢測(cè)算法研究,很有參考意義
標(biāo)簽: FFT 功率因數(shù) 補(bǔ)償裝置
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本書主要闡述設(shè)計(jì)射頻與微波功率放大器所需的理論、方法、設(shè)計(jì)技巧,以及將分析計(jì)算與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)相結(jié)合的優(yōu)化設(shè)計(jì)方法。這些方法提高了設(shè)計(jì)效率,縮短了設(shè)計(jì)周期。本書內(nèi)容覆蓋非線性電路設(shè)計(jì)方法、非線性主動(dòng)設(shè)備建模、阻抗匹配、功率合成器、阻抗變換器、定向耦合器、高效率的功率放大器設(shè)計(jì)、寬帶功率放大器及通信系統(tǒng)中的功率放大器設(shè)計(jì)。 本書適合從事射頻與微波動(dòng)功率放大器設(shè)計(jì)的工程師、研究人員及高校相關(guān)專業(yè)的師生閱讀。 作者簡(jiǎn)介 Andrei Grebennikov是M/A—COM TYCO電子部門首席理論設(shè)計(jì)工程師,他曾經(jīng)任教于澳大利亞Linz大學(xué)、新加坡微電子學(xué)院、莫斯科通信和信息技術(shù)大學(xué)。他目前正在講授研究班課程,在該班上,本書作為國(guó)際微波年會(huì)論文集。 目錄 第1章 雙口網(wǎng)絡(luò)參數(shù) 1.1 傳統(tǒng)的網(wǎng)絡(luò)參數(shù) 1.2 散射參數(shù) 1.3 雙口網(wǎng)絡(luò)參數(shù)間轉(zhuǎn)換 1.4 雙口網(wǎng)絡(luò)的互相連接 1.5 實(shí)際的雙口電路 1.5.1 單元件網(wǎng)絡(luò) 1.5.2 π形和T形網(wǎng)絡(luò) 1.6 具有公共端口的三口網(wǎng)絡(luò) 1.7 傳輸線 參考文獻(xiàn) 第2章 非線性電路設(shè)計(jì)方法 2.1 頻域分析 2.1.1 三角恒等式法 2.1.2 分段線性近似法 2.1.3 貝塞爾函數(shù)法 2.2 時(shí)域分析 2.3 NewtOn.Raphscm算法 2.4 準(zhǔn)線性法 2.5 諧波平衡法 參考文獻(xiàn) 第3章 非線性有源器件模型 3.1 功率MOSFET管 3.1.1 小信號(hào)等效電路 3.1.2 等效電路元件的確定 3.1.3 非線性I—V模型 3.1.4 非線性C.V模型 3.1.5 電荷守恒 3.1.6 柵一源電阻 3.1.7 溫度依賴性 3.2 GaAs MESFET和HEMT管 3.2.1 小信號(hào)等效電路 3.2.2 等效電路元件的確定 3.2.3 CIJrtice平方非線性模型 3.2.4 Curtice.Ettenberg立方非線性模型 3.2.5 Materka—Kacprzak非線性模型 3.2.6 Raytheon(Statz等)非線性模型 3.2.7 rrriQuint非線性模型 3.2.8 Chalmers(Angek)v)非線性模型 3.2.9 IAF(Bemth)非線性模型 3.2.10 模型選擇 3.3 BJT和HBT汀管 3.3.1 小信號(hào)等效電路 3.3.2 等效電路中元件的確定 3.3.3 本征z形電路與T形電路拓?fù)渲g的等效互換 3.3.4 非線性雙極器件模型 參考文獻(xiàn) 第4章 阻抗匹配 4.1 主要原理 4.2 Smith圓圖 4.3 集中參數(shù)的匹配 4.3.1 雙極UHF功率放大器 4.3.2 M0SFET VHF高功率放大器 4.4 使用傳輸線匹配 4.4.1 窄帶功率放大器設(shè)計(jì) 4.4.2 寬帶高功率放大器設(shè)計(jì) 4.5 傳輸線類型 4.5.1 同軸線 4.5.2 帶狀線 4.5.3 微帶線 4.5.4 槽線 4.5.5 共面波導(dǎo) 參考文獻(xiàn) 第5章 功率合成器、阻抗變換器和定向耦合器 5.1 基本特性 5.2 三口網(wǎng)絡(luò) 5.3 四口網(wǎng)絡(luò) 5.4 同軸電纜變換器和合成器 5.5 wilkinson功率分配器 5.6 微波混合橋 5.7 耦合線定向耦合器 參考文獻(xiàn) 第6章 功率放大器設(shè)計(jì)基礎(chǔ) 6.1 主要特性 6.2 增益和穩(wěn)定性 6.3 穩(wěn)定電路技術(shù) 6.3.1 BJT潛在不穩(wěn)定的頻域 6.3.2 MOSFET潛在不穩(wěn)定的頻域 6.3.3 一些穩(wěn)定電路的例子 6.4 線性度 6.5 基本的工作類別:A、AB、B和C類 6.6 直流偏置 6.7 推挽放大器 6.8 RF和微波功率放大器的實(shí)際外形 參考文獻(xiàn) 第7章 高效率功率放大器設(shè)計(jì) 7.1 B類過激勵(lì) 7.2 F類電路設(shè)計(jì) 7.3 逆F類 7.4 具有并聯(lián)電容的E類 7.5 具有并聯(lián)電路的E類 7.6 具有傳輸線的E類 7.7 寬帶E類電路設(shè)計(jì) 7.8 實(shí)際的高效率RF和微波功率放大器 參考文獻(xiàn) 第8章 寬帶功率放大器 8.1 Bode—Fan0準(zhǔn)則 8.2 具有集中元件的匹配網(wǎng)絡(luò) 8.3 使用混合集中和分布元件的匹配網(wǎng)絡(luò) 8.4 具有傳輸線的匹配網(wǎng)絡(luò) 8.5 有耗匹配網(wǎng)絡(luò) 8.6 實(shí)際設(shè)計(jì)一瞥 參考文獻(xiàn) 第9章 通信系統(tǒng)中的功率放大器設(shè)計(jì) 9.1 Kahn包絡(luò)分離和恢復(fù)技術(shù) 9.2 包絡(luò)跟蹤 9.3 異相功率放大器 9.4 Doherty功率放大器方案 9.5 開關(guān)模式和雙途徑功率放大器 9.6 前饋線性化技術(shù) 9.7 預(yù)失真線性化技術(shù) 9.8 手持機(jī)應(yīng)用的單片cMOS和HBT功率放大器 參考文獻(xiàn)
標(biāo)簽: 射頻 微波功率 放大器設(shè)計(jì)
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這本書列舉了matlab在27個(gè)實(shí)例中的使用說明和各種技巧。
標(biāo)簽: matlab 中的應(yīng)用
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由于絕緣柵雙極晶體管IGBT具有工作頻率高、處理功率大和驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單等諸多優(yōu)點(diǎn),在電力電子設(shè)備、尤其是中大型功率的電力電子設(shè)備中的應(yīng)用越來越廣泛。但是,IGBT失效引發(fā)的設(shè)備故障往往會(huì)對(duì)生產(chǎn)帶來巨大影響和損失,因此,對(duì)IGBT的失效研究具有十分重要的應(yīng)用意義。 本文在深入分析IGBT器件工作原理和工作特性的基礎(chǔ)上,采用雙極傳輸理論聯(lián)立求解電子和空穴的傳輸方程,得到了穩(wěn)態(tài)時(shí)電子和空穴電流的表達(dá)式,對(duì)造成IGBT失效的各種因素進(jìn)行了詳細(xì)分析。應(yīng)用MATLAB軟件,對(duì)硅參數(shù)的熱導(dǎo)率、載流子濃度、載流子壽命、電子遷移率、空穴遷移率和雙極擴(kuò)散系數(shù)等進(jìn)行了仿真,深入研究了IGBT的失效因素,得到了IGBT失效的主要原因是發(fā)生擎住效應(yīng)以及泄漏電流導(dǎo)致IGBT延緩失效的有用結(jié)論。并且,進(jìn)行了IGBT動(dòng)態(tài)模型的設(shè)計(jì)和仿真,對(duì)IGBT在短路情況下的失效機(jī)理進(jìn)行了深入研究。 考慮到實(shí)際設(shè)備中的IGBT在使用中經(jīng)常會(huì)發(fā)生反復(fù)過流這一問題,通過搭建試驗(yàn)電路,著重對(duì)反復(fù)過流對(duì)IGBT可能帶來的影響進(jìn)行了試驗(yàn)研究,探討了IGBT因反復(fù)過流導(dǎo)致的累積失效的變化規(guī)律。本文研究結(jié)果對(duì)于正確判斷IGBT失效以及失效程度、進(jìn)而正確判斷和預(yù)測(cè)設(shè)備的可能故障,具有一定的應(yīng)用參考價(jià)值。
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matlab中實(shí)現(xiàn)雷達(dá)信號(hào)處理,雷達(dá)仿真中會(huì)用到的
標(biāo)簽: matlab 雷達(dá)信號(hào)處理
上傳時(shí)間: 2013-04-24
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有機(jī)發(fā)光顯示器件(OrganicLight-EmittingDiodes,OLEDs)作為下一代顯示器倍受關(guān)注,它具有輕、薄、高亮度、快速響應(yīng)、高清晰度、低電壓、高效率和低成本等優(yōu)點(diǎn),完全可以媲美CRT、LCD、LED等顯示器件。作為全固化顯示器件,OLED的最大優(yōu)越性是能夠與塑料晶體管技術(shù)相結(jié)合實(shí)現(xiàn)柔性顯示,應(yīng)用前景非常誘人。OLED如此眾多的優(yōu)點(diǎn)和廣闊的商業(yè)前景,吸引了全球眾多研究機(jī)構(gòu)和企業(yè)參與其研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。然而,OLED也存在一些問題,特別是在發(fā)光機(jī)理、穩(wěn)定性和壽命等方面還需要進(jìn)一步的研究。要達(dá)到這些目標(biāo),除了器件的材料,結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)外,封裝也十分重要。 本論文的主要工作是利用現(xiàn)有的材料,從綠光OLED器件制作工藝、發(fā)光機(jī)理,結(jié)構(gòu)和封裝入手,首先,探討了作為陽極的ITO玻璃表面處理工藝和ITO玻璃的光刻工藝。ITO表面的清潔程度嚴(yán)重影響著光刻質(zhì)量和器件的最終性能;ITO表面經(jīng)過氧等離子處理后其表面功函數(shù)增大,明顯提高了器件的發(fā)光亮度和發(fā)光效率。 其次,針對(duì)光刻、曝光工藝技術(shù)進(jìn)行了一系列相關(guān)實(shí)驗(yàn),在光刻工藝中,光刻膠的厚度是影響光刻質(zhì)量的一個(gè)重要因素,其厚度在1.2μm左右時(shí),光刻效果理想。研究了OLED器件陰極隔離柱成像過程中的曝光工藝,摸索出了最佳工藝參數(shù)。 然后采用以C545T作為綠光摻雜材料制作器件結(jié)構(gòu)為ITO/CuPc(20nm)/NPB(100nm)/Alq3(80nm):C545T(2.1%摻雜比例)/Alq3(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(1,00nm)的綠光OLED器件。最后基于以上器件采用了兩種封裝工藝,實(shí)驗(yàn)一中,在封裝玻璃的四周涂上UV膠,放入手套箱,在氮?dú)獗Wo(hù)氣氛下用紫外冷光源照射1min進(jìn)行一次封裝,然后取出OLED片,在ITO玻璃和封裝玻璃接口處涂上UV膠,真空下用紫外冷光源照射1min,固化進(jìn)行二次封裝。實(shí)驗(yàn)二中,在各功能層蒸鍍完成后,又在陰極的外面蒸鍍了一層薄膜封裝層,然后再按實(shí)驗(yàn)一的方法進(jìn)行封裝。薄膜封裝層的材料分別為硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)。分別對(duì)兩種封裝工藝器件的電流-電壓特性、亮度-電壓特性、發(fā)光光譜及壽命等特性進(jìn)行了測(cè)試與討論。通過對(duì)比,研究發(fā)現(xiàn)增加薄膜封裝層器件的壽命比未加薄膜封裝層器件壽命都有所延長(zhǎng),其中,Se薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長(zhǎng)了1.4倍,Te薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長(zhǎng)了兩倍多,Sb薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長(zhǎng)了1.3倍,研究還發(fā)現(xiàn)薄膜封裝層基本不影響器件的電流-電壓特性、色坐標(biāo)等光電性能。最后,分別對(duì)三種薄膜封裝層材料硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)進(jìn)行了研究。
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60年代初,國(guó)際上首次將B超診斷儀應(yīng)用于臨床診斷,40多年來B超診斷儀的發(fā)展極為迅速。隨著數(shù)字信號(hào)處理及計(jì)算機(jī)技術(shù)的發(fā)展,目前國(guó)際上先進(jìn)水平的超聲診斷設(shè)備幾乎每一個(gè)環(huán)節(jié)都包含著數(shù)字信號(hào)處理的內(nèi)容,研制全數(shù)字化的超聲診斷設(shè)備已成為發(fā)展趨勢(shì)。 @@ 基于FPGA及嵌入式操作系統(tǒng)的全數(shù)字超聲診斷系統(tǒng)具有技術(shù)含量高、便攜的特點(diǎn),可用數(shù)字硬件電路來實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)量極其龐大的超聲信息的實(shí)時(shí)處理。 @@ 本文從超聲診斷原理入手,在對(duì)超聲診斷系統(tǒng)中的幾個(gè)關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行分析的基礎(chǔ)上,重點(diǎn)研究開發(fā)超聲診斷系統(tǒng)中數(shù)字信號(hào)處理部分的兩個(gè)核心算法。以FPGA芯片為載體,在Quartus Ⅱ平臺(tái)中采用Verilog HDL語言進(jìn)行編程并仿真驗(yàn)證,分別實(shí)現(xiàn)了數(shù)字FIR濾波器及CORDIC坐標(biāo)變換兩個(gè)模塊的功能。另外,采用Verilog HDL語言對(duì)應(yīng)用于圖像顯示模塊的SPI接口進(jìn)行了編程設(shè)計(jì),編譯下載至FPGA中,最終實(shí)現(xiàn)了與ARM A8的OMPG3530板之間高速串行數(shù)據(jù)的傳輸。 @@ 采用在單片F(xiàn)PGA芯片內(nèi)實(shí)現(xiàn)數(shù)字式超聲診斷部分核心算法并與高性能ARMA8處理器相配合的數(shù)字信號(hào)處理解決方案,具有高速度、高精度、高集成度、便攜的特點(diǎn),為全數(shù)字化便攜超聲診斷設(shè)備的研制打下了基礎(chǔ)。 @@關(guān)鍵詞:超聲診斷系統(tǒng);FPGA;數(shù)字FIR濾波器;CORDIC算法;SPI總線
標(biāo)簽: FPGA 全數(shù)字 超聲診斷系統(tǒng)
上傳時(shí)間: 2013-07-07
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數(shù)字信息時(shí)代帶來了“信息大爆炸”,使數(shù)據(jù)量大增,而數(shù)字圖像數(shù)據(jù)更是如此,如果不對(duì)圖像數(shù)據(jù)進(jìn)行有效的壓縮,那么圖像信息的存儲(chǔ)與傳輸將無法進(jìn)行。顯然,尋求一種高效的圖像壓縮系統(tǒng)具有很大的現(xiàn)實(shí)意義。 本文基于大規(guī)模現(xiàn)場(chǎng)可編程邏輯陣列(FPGA)和高速數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)協(xié)同作業(yè),來完成實(shí)時(shí)圖像處理的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。出于對(duì)系統(tǒng)設(shè)計(jì)上的性能和功耗方面的考慮,系統(tǒng)中FPGA 選用的是ALTERA公司的Cyclone系列芯片EP1C12Q240C8,DSP選用的是TI公司的55x系列芯片TMS320VC5502。該系統(tǒng)集圖像采集、壓縮、顯示和存儲(chǔ)功能于一體,其中DSP為主處理器負(fù)責(zé)圖像處理,F(xiàn)PGA為協(xié)處理器負(fù)責(zé)系統(tǒng)的所有數(shù)字邏輯控制。FPGA和DSP的工作之間形成流水,并且借助于一片雙口RAM(CY7C025AV-15AI)完成兩者的通訊。結(jié)合FPGA和DSP自身的特點(diǎn),本文提出一種新穎的信息通信方式,借助于一片雙口RAM,其內(nèi)部按其存儲(chǔ)空間等分兩塊,利用乒乓技術(shù)完成對(duì)高速實(shí)時(shí)的圖像數(shù)據(jù)緩沖。 該系統(tǒng)從視頻采集、傳輸、壓縮到圖像存儲(chǔ)等整個(gè)過程的工作,分別由FPGA和DSP承擔(dān)。充分考慮到它們自身的優(yōu)缺點(diǎn),在滿足系統(tǒng)實(shí)時(shí)性要求的同時(shí),結(jié)構(gòu)靈活,便于以后的擴(kuò)展與升級(jí)。結(jié)果表明,在TMS320VC5502實(shí)現(xiàn)了對(duì)采集圖像的JPEG壓縮,效果良好且滿足了實(shí)時(shí)性的要求,因此系統(tǒng)的功能得到了總體上的驗(yàn)證。 關(guān)鍵詞:圖像處理;FPGA;DSP;JPEG
標(biāo)簽: FPGA DSP 實(shí)時(shí)圖像
上傳時(shí)間: 2013-06-11
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對(duì)一些信號(hào)的監(jiān)測(cè)尤其是對(duì)電壓、電流、溫度等模擬量的監(jiān)測(cè)有著很廣泛的應(yīng)用,通過監(jiān)測(cè)到的數(shù)據(jù),可以對(duì)系統(tǒng)相關(guān)設(shè)置進(jìn)行及時(shí)調(diào)整,為人們的生產(chǎn)生活帶來便利與保證。 系統(tǒng)采用Actel公司先進(jìn)的模數(shù)混合FPGA以及Actel公司的SOPC設(shè)計(jì)解決方案,單芯片實(shí)現(xiàn)以CortexMI處理器為核心的片上監(jiān)測(cè)系統(tǒng)。它可以完成對(duì)電壓、電流、溫度等模擬量的監(jiān)測(cè),系統(tǒng)模擬模塊將采集到的數(shù)據(jù)ADC后送給處理器Cortex-MI進(jìn)行處理,通過串行口,以太網(wǎng)口和OLED,實(shí)現(xiàn)與PC主機(jī)交互,板上實(shí)時(shí)顯示以及遠(yuǎn)程主機(jī)檢測(cè)功能。借助于Actel的先進(jìn)的新型fusion模數(shù)混合FPGA器件,單芯片實(shí)現(xiàn)可直接對(duì)外部模擬信號(hào)進(jìn)行處理的數(shù)模混合系統(tǒng),簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì);對(duì)電壓,電流,溫度等模擬量的測(cè)控在日常生活中有很重要的意義,該系統(tǒng)在智能家電,電源監(jiān)控以及微控制器等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用前景。 本文研究的主要內(nèi)容包括: 1.對(duì)現(xiàn)有嵌入式設(shè)計(jì)方法進(jìn)行比較,確定系統(tǒng)設(shè)計(jì)目標(biāo)并選擇SOPC方案設(shè)計(jì)系統(tǒng); 2.系統(tǒng)硬件平臺(tái)設(shè)計(jì); 3.系統(tǒng)軟件設(shè)計(jì)。
標(biāo)簽: FPGA 電壓電流 溫度監(jiān)測(cè)
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